| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 58601 | 2SD640 | TIPO TRIPLO DO SILICONE NPN DIFFUSEO | TOSHIBA |
| 58602 | 2SD641 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE NPN | TOSHIBA |
| 58603 | 2SD641 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE NPN | TOSHIBA |
| 58604 | 2SD647A | TIPO MEGA DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE NPN | TOSHIBA |
| 58605 | 2SD647A | TIPO MEGA DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE NPN | TOSHIBA |
| 58606 | 2SD648A | TIPO MEGA DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE NPN | TOSHIBA |
| 58607 | 2SD648A | TIPO MEGA DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE NPN | TOSHIBA |
| 58608 | 2SD649 | Si NPN triplo difundido junção mesa. Saída de deflexão horizontal operado de linha. | Panasonic |
| 58609 | 2SD655 | Transistor Do Silicone NPN | Hitachi Semiconductor |
| 58610 | 2SD655 | Silicone NPN Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 58611 | 2SD655 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 58612 | 2SD661 | Do type(For epitaxial do planer do silicone NPN amplification low-frequency e low-noise) | Panasonic |
| 58613 | 2SD661 | Do type(For epitaxial do planer do silicone PNP amplification low-frequency e low-noise) | Panasonic |
| 58614 | 2SD661A | Do type(For epitaxial do planer do silicone PNP amplification low-frequency e low-noise) | Panasonic |
| 58615 | 2SD661A | Do type(For epitaxial do planer do silicone NPN amplification low-frequency e low-noise) | Panasonic |
| 58616 | 2SD662 | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - Geral-use a Baixo-Freqüência Amplifires | Panasonic |
| 58617 | 2SD662B | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - Geral-use a Baixo-Freqüência Amplifires | Panasonic |
| 58618 | 2SD666 | Par complementar do AMPLIFICADOR DE ALTA TENSÃO da FREQÜÊNCIA BAIXA com 2SB646/A | Hitachi Semiconductor |
| 58619 | 2SD666 | Par complementar do AMPLIFICADOR DE ALTA TENSÃO da FREQÜÊNCIA BAIXA com 2SB646/A | Hitachi Semiconductor |
| 58620 | 2SD666A | Par complementar do AMPLIFICADOR DE ALTA TENSÃO da FREQÜÊNCIA BAIXA com 2SB646/A | Hitachi Semiconductor |
| 58621 | 2SD666A | Par complementar do AMPLIFICADOR DE ALTA TENSÃO da FREQÜÊNCIA BAIXA com 2SB646/A | Hitachi Semiconductor |
| 58622 | 2SD667 | Transistor Do Silicone NPN | Hitachi Semiconductor |
| 58623 | 2SD667 | Silicone NPN Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 58624 | 2SD667 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 58625 | 2SD667A | Transistor Do Silicone NPN | Hitachi Semiconductor |
| 58626 | 2SD667A | Silicone NPN Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 58627 | 2SD667A | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 58628 | 2SD669 | Transistor Do Silicone NPN | Hitachi Semiconductor |
| 58629 | 2SD669 | Silicone NPN Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 58630 | 2SD669A | Transistor Do Silicone NPN | Hitachi Semiconductor |
| 58631 | 2SD669A | Silicone NPN Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 58632 | 2SD673A | Par complementar do AMPLIFICADOR de PODER da FREQÜÊNCIA BAIXA com 2SD673A | Unknow |
| 58633 | 2SD673A | Par complementar do AMPLIFICADOR de PODER da FREQÜÊNCIA BAIXA com 2SD673A | Unknow |
| 58634 | 2SD687 | PROCESSO EPITAXIAL DO SILICONE NPN TYPE(PCT) | TOSHIBA |
| 58635 | 2SD687 | PROCESSO EPITAXIAL DO SILICONE NPN TYPE(PCT) | TOSHIBA |
| 58636 | 2SD688 | SILICONE NPN EPITAXIAL (PROCESSO DO PCT) | TOSHIBA |
| 58637 | 2SD688 | SILICONE NPN EPITAXIAL (PROCESSO DO PCT) | TOSHIBA |
| 58638 | 2SD691 | Si NPN difundido junção mesa. Amplificador de alta potência. | Panasonic |
| 58639 | 2SD692 | Si NPN difundido junção mesa. Amplificador de alta potência. | Panasonic |
| 58640 | 2SD693 | Si NPN triplo difundido mesa. Comutação de alta potência. | Panasonic |
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