| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 610761 | KM416V4100BS-5 | 4M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
| 610762 | KM416V4100BS-6 | 4M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
| 610763 | KM416V4100BS-L45 | 4M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 45ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
| 610764 | KM416V4100BS-L5 | 4M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 50ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
| 610765 | KM416V4100BS-L6 | 4M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 60ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
| 610766 | KM416V4100C | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com modalidade rápida da página | Samsung Electronic |
| 610767 | KM416V4100CS-45 | 4M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 45ns | Samsung Electronic |
| 610768 | KM416V4100CS-5 | 4M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
| 610769 | KM416V4100CS-6 | 4M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
| 610770 | KM416V4100CS-L45 | 4M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 45ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
| 610771 | KM416V4100CS-L5 | 4M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 50ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
| 610772 | KM416V4100CS-L6 | 4M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 60ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
| 610773 | KM416V4104B | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
| 610774 | KM416V4104BS-45 | RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 45ns | Samsung Electronic |
| 610775 | KM416V4104BS-5 | RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
| 610776 | KM416V4104BS-6 | RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
| 610777 | KM416V4104BSL-45 | RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 45ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
| 610778 | KM416V4104BSL-5 | RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 50ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
| 610779 | KM416V4104BSL-6 | RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 60ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
| 610780 | KM416V4104C | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
| 610781 | KM416V4104CS-45 | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
| 610782 | KM416V4104CS-50 | RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
| 610783 | KM416V4104CS-60 | RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
| 610784 | KM416V4104CS-L45 | RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 45ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
| 610785 | KM416V4104CS-L50 | RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 50ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
| 610786 | KM416V4104CS-L60 | RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 60ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
| 610787 | KM4170 | Custo Baixo, +2.7V & +5V, Amplificadores Do Trilho-à-Trilho I/O | Fairchild Semiconductor |
| 610788 | KM4170IS5TR3 | Custo Baixo +2.7V & Amplificadores Do Trilho-à-Trilho I/O De +5V/ | Fairchild Semiconductor |
| 610789 | KM4170IT5TR3 | Custo Baixo +2.7V & Amplificadores Do Trilho-à-Trilho I/O De +5V/ | Fairchild Semiconductor |
| 610790 | KM418RD | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 os bancos dependentes do bocado x de 2*16 dirigem RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 610791 | KM418RD16AC | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 os bancos dependentes do bocado x de 2*16 dirigem RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 610792 | KM418RD16AD | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 os bancos dependentes do bocado x de 2*16 dirigem RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 610793 | KM418RD16C | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 os bancos dependentes do bocado x de 2*16 dirigem RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 610794 | KM418RD16D | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 os bancos dependentes do bocado x de 2*16 dirigem RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 610795 | KM418RD2AC | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 os bancos dependentes do bocado x de 2*16 dirigem RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 610796 | KM418RD2AD | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 os bancos dependentes do bocado x de 2*16 dirigem RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 610797 | KM418RD2C | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 os bancos dependentes do bocado x de 2*16 dirigem RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 610798 | KM418RD2D | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 os bancos dependentes do bocado x de 2*16 dirigem RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 610799 | KM418RD32AC | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 os bancos dependentes do bocado x de 2*16 dirigem RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 610800 | KM418RD32AD | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 os bancos dependentes do bocado x de 2*16 dirigem RDRAMTM | Samsung Electronic |
| | | |
