Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
610761 | KM416V4100BS-5 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 50 нс | Samsung Electronic |
610762 | KM416V4100BS-6 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 60 нс | Samsung Electronic |
610763 | KM416V4100BS-L45 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 45ns, с низким энергопотреблением | Samsung Electronic |
610764 | KM416V4100BS-L5 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 50 нс, низким энергопотреблением | Samsung Electronic |
610765 | KM416V4100BS-L6 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 60 нс, низким энергопотреблением | Samsung Electronic |
610766 | KM416V4100C | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
быстрым листом данным по режима страницы | Samsung Electronic |
610767 | KM416V4100CS-45 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 45ns | Samsung Electronic |
610768 | KM416V4100CS-5 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 50 нс | Samsung Electronic |
610769 | KM416V4100CS-6 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 60 нс | Samsung Electronic |
610770 | KM416V4100CS-L45 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 45ns, с низким энергопотреблением | Samsung Electronic |
610771 | KM416V4100CS-L5 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 50 нс, низким энергопотреблением | Samsung Electronic |
610772 | KM416V4100CS-L6 | 4M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 60 нс, низким энергопотреблением | Samsung Electronic |
610773 | KM416V4104B | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
610774 | KM416V4104BS-45 | 4M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 45ns | Samsung Electronic |
610775 | KM416V4104BS-5 | 4M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 50 нс | Samsung Electronic |
610776 | KM416V4104BS-6 | 4M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 60 нс | Samsung Electronic |
610777 | KM416V4104BSL-45 | 4M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 45ns, малой мощности | Samsung Electronic |
610778 | KM416V4104BSL-5 | 4M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 50 нс, малой мощности | Samsung Electronic |
610779 | KM416V4104BSL-6 | 4M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 60 нс, малой мощности | Samsung Electronic |
610780 | KM416V4104C | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
610781 | KM416V4104CS-45 | ШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
610782 | KM416V4104CS-50 | 4M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 50 нс | Samsung Electronic |
610783 | KM416V4104CS-60 | 4M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 60 нс | Samsung Electronic |
610784 | KM416V4104CS-L45 | 4M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 45ns, малой мощности | Samsung Electronic |
610785 | KM416V4104CS-L50 | 4M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 50 нс, малой мощности | Samsung Electronic |
610786 | KM416V4104CS-L60 | 4M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 60 нс, малой мощности | Samsung Electronic |
610787 | KM4170 | Низкая Цена, +2.7V & +5V, Усилители
Рельс-к-Rel6sa I/O | Fairchild Semiconductor |
610788 | KM4170IS5TR3 | Низкая Цена +2.7V & Усилители Рельс-к-Rel6sa
I/O +5V/ | Fairchild Semiconductor |
610789 | KM4170IT5TR3 | Низкая Цена +2.7V & Усилители Рельс-к-Rel6sa
I/O +5V/ | Fairchild Semiconductor |
610790 | KM418RD | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
610791 | KM418RD16AC | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
610792 | KM418RD16AD | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
610793 | KM418RD16C | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
610794 | KM418RD16D | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
610795 | KM418RD2AC | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
610796 | KM418RD2AD | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
610797 | KM418RD2C | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
610798 | KM418RD2D | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
610799 | KM418RD32AC | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
610800 | KM418RD32AD | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
| | | |