|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 15260 | 15261 | 15262 | 15263 | 15264 | 15265 | 15266 | 15267 | 15268 | 15269 | 15270 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
610561KM416V1000BJL-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нсSamsung Electronic
610562KM416V1000BJL-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нсSamsung Electronic
610563KM416V1000BJL-71M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 70nsSamsung Electronic
610564KM416V1000BT-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нсSamsung Electronic
610565KM416V1000BT-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нсSamsung Electronic
610566KM416V1000BT-71M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 70nsSamsung Electronic
610567KM416V1000BTL-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нсSamsung Electronic
610568KM416V1000BTL-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нсSamsung Electronic
610569KM416V1000BTL-71M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 70nsSamsung Electronic
610570KM416V1000CШТОССЕЛЬ 1M x 16Bit cmos динамический с быстрым режимом страницыSamsung Electronic
610571KM416V1000CJ-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нсSamsung Electronic
610572KM416V1000CJ-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нсSamsung Electronic
610573KM416V1000CJL-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нсSamsung Electronic
610574KM416V1000CJL-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нсSamsung Electronic
610575KM416V1000CT-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нсSamsung Electronic
610576KM416V1000CT-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нсSamsung Electronic
610577KM416V1000CTL-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нсSamsung Electronic
610578KM416V1000CTL-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нсSamsung Electronic
610579KM416V1004A1M x ШТОССЕЛЬ cmos 16 БИТОВ ДИНАМИЧЕСКИЙ С ВЫДВИНУТЫМИ ДАННЫМИ ВНЕSamsung Electronic
610580KM416V1004A-61M x ШТОССЕЛЬ cmos 16 БИТОВ ДИНАМИЧЕСКИЙ С ВЫДВИНУТЫМИ ДАННЫМИ ВНЕSamsung Electronic
610581KM416V1004A-71M x ШТОССЕЛЬ cmos 16 БИТОВ ДИНАМИЧЕСКИЙ С ВЫДВИНУТЫМИ ДАННЫМИ ВНЕSamsung Electronic
610582KM416V1004A-81M x ШТОССЕЛЬ cmos 16 БИТОВ ДИНАМИЧЕСКИЙ С ВЫДВИНУТЫМИ ДАННЫМИ ВНЕSamsung Electronic
610583KM416V1004A-F61M x ШТОССЕЛЬ cmos 16 БИТОВ ДИНАМИЧЕСКИЙ С ВЫДВИНУТЫМИ ДАННЫМИ ВНЕSamsung Electronic
610584KM416V1004A-F71M x ШТОССЕЛЬ cmos 16 БИТОВ ДИНАМИЧЕСКИЙ С ВЫДВИНУТЫМИ ДАННЫМИ ВНЕSamsung Electronic
610585KM416V1004A-F81M x ШТОССЕЛЬ cmos 16 БИТОВ ДИНАМИЧЕСКИЙ С ВЫДВИНУТЫМИ ДАННЫМИ ВНЕSamsung Electronic
610586KM416V1004A-L61M x ШТОССЕЛЬ cmos 16 БИТОВ ДИНАМИЧЕСКИЙ С ВЫДВИНУТЫМИ ДАННЫМИ ВНЕSamsung Electronic
610587KM416V1004A-L71M x ШТОССЕЛЬ cmos 16 БИТОВ ДИНАМИЧЕСКИЙ С ВЫДВИНУТЫМИ ДАННЫМИ ВНЕSamsung Electronic
610588KM416V1004A-L81M x ШТОССЕЛЬ cmos 16 БИТОВ ДИНАМИЧЕСКИЙ С ВЫДВИНУТЫМИ ДАННЫМИ ВНЕSamsung Electronic
610589KM416V1004AJ-63,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
610590KM416V1004AJ-73,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 70nsSamsung Electronic
610591KM416V1004AJ-83,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 80 неSamsung Electronic
610592KM416V1004AJ-F63,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
610593KM416V1004AJ-F73,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 70nsSamsung Electronic
610594KM416V1004AJ-F83,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 80 неSamsung Electronic
610595KM416V1004AJ-L63,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
610596KM416V1004AJ-L73,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 70nsSamsung Electronic
610597KM416V1004AJ-L83,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 80 неSamsung Electronic
610598KM416V1004AR-63,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
610599KM416V1004AR-73,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 70nsSamsung Electronic
610600KM416V1004AR-83,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 80 неSamsung Electronic
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 15260 | 15261 | 15262 | 15263 | 15264 | 15265 | 15266 | 15267 | 15268 | 15269 | 15270 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com