|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 15264 | 15265 | 15266 | 15267 | 15268 | 15269 | 15270 | 15271 | 15272 | 15273 | 15274 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
610721KM416V256DJ-7256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 70ns, 3,3Samsung Electronic
610722KM416V256DLJ-5256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с быстрым страничным, 50 нс, 3,3, возможностей самостоятельного обновленияSamsung Electronic
610723KM416V256DLJ-6256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с быстрым страничным, 60 нс, 3,3, возможностей самостоятельного обновленияSamsung Electronic
610724KM416V256DLJ-7256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с быстрым страничным, 70ns, 3,3, возможностей самостоятельного обновленияSamsung Electronic
610725KM416V256DLT-5256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с быстрым страничным, 50 нс, 3,3, возможностей самостоятельного обновленияSamsung Electronic
610726KM416V256DLT-6256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с быстрым страничным, 60 нс, 3,3, возможностей самостоятельного обновленияSamsung Electronic
610727KM416V256DLT-7256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с быстрым страничным, 70ns, 3,3, возможностей самостоятельного обновленияSamsung Electronic
610728KM416V256DT-5256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницы, 50 нс, 3,3Samsung Electronic
610729KM416V256DT-6256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницы, 60 нс, 3,3Samsung Electronic
610730KM416V256DT-7256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 70ns, 3,3Samsung Electronic
610731KM416V4000BШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с быстрым листом данным по режима страницыSamsung Electronic
610732KM416V4000BS-454M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 45nsSamsung Electronic
610733KM416V4000BS-54M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 50 нсSamsung Electronic
610734KM416V4000BS-64M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 60 нсSamsung Electronic
610735KM416V4000BS-L454M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 45ns, с низким энергопотреблениемSamsung Electronic
610736KM416V4000BS-L54M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 50 нс, низким энергопотреблениемSamsung Electronic
610737KM416V4000BS-L64M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 60 нс, низким энергопотреблениемSamsung Electronic
610738KM416V4000CШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с быстрым листом данным по режима страницыSamsung Electronic
610739KM416V4000CS-454M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 45nsSamsung Electronic
610740KM416V4000CS-54M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 50 нсSamsung Electronic
610741KM416V4000CS-64M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 60 нсSamsung Electronic
610742KM416V4000CS-L454M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 45ns, с низким энергопотреблениемSamsung Electronic
610743KM416V4000CS-L54M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 50 нс, низким энергопотреблениемSamsung Electronic
610744KM416V4000CS-L64M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 60 нс, низким энергопотреблениемSamsung Electronic
610745KM416V4004BШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
610746KM416V4004BS-454M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 45nsSamsung Electronic
610747KM416V4004BS-54M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 50 нсSamsung Electronic
610748KM416V4004BS-64M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 60 нсSamsung Electronic
610749KM416V4004BSL-454M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 50 нс, малой мощностиSamsung Electronic
610750KM416V4004BSL-54M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 50 нс, малой мощностиSamsung Electronic
610751KM416V4004BSL-64M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 60 нс, малой мощностиSamsung Electronic
610752KM416V4004CШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с выдвинутыми данными из листа данныхSamsung Electronic
610753KM416V4004CS-454M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 45nsSamsung Electronic
610754KM416V4004CS-504M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 50 нсSamsung Electronic
610755KM416V4004CS-604M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 60 нсSamsung Electronic
610756KM416V4004CS-L454M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 45ns, малой мощностиSamsung Electronic
610757KM416V4004CS-L504M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 50 нс, малой мощностиSamsung Electronic
610758KM416V4004CS-L604M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 3,3 блок питания, 60 нс, малой мощностиSamsung Electronic
610759KM416V4100BШТОССЕЛЬ 4M х 16bit cmos динамический с быстрым листом данным по режима страницыSamsung Electronic
610760KM416V4100BS-454M х 16bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницы, 3,3 блок питания, 45nsSamsung Electronic
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 15264 | 15265 | 15266 | 15267 | 15268 | 15269 | 15270 | 15271 | 15272 | 15273 | 15274 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com