| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 610881 | KM432S2030CT-G10 | 2M х 32 SDRAM 512K х 32bit
x DRAM 4 кренов одновременный LVTTL(3.3V) | Samsung Electronic |
| 610882 | KM432S2030CT-G6 | 2M х 32 SDRAM 512K х 32bit
x DRAM 4 кренов одновременный LVTTL(3.3V) | Samsung Electronic |
| 610883 | KM432S2030CT-G7 | 2M х 32 SDRAM 512K х 32bit
x DRAM 4 кренов одновременный LVTTL(3.3V) | Samsung Electronic |
| 610884 | KM432S2030CT-G8 | 2M х 32 SDRAM 512K х 32bit
x DRAM 4 кренов одновременный LVTTL(3.3V) | Samsung Electronic |
| 610885 | KM4470 | Низкая Цена, +2.7V & +5V, Усилители
Рельс-к-Rel6sa I/O | Fairchild Semiconductor |
| 610886 | KM4470IP14TR3 | Низкая Цена +2.7V & Усилители Рельс-к-Rel6sa
I/O +5V/ | Fairchild Semiconductor |
| 610887 | KM44C1000D | ШТОССЕЛЬ 1M x 4Bit cmos
динамический с быстрым режимом страницы | Samsung Electronic |
| 610888 | KM44C1000DJ-5 | 1M х 4bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 50 нс | Samsung Electronic |
| 610889 | KM44C1000DJ-6 | 1M х 4bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 60 нс | Samsung Electronic |
| 610890 | KM44C1000DJ-7 | 1M х 4bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 70ns | Samsung Electronic |
| 610891 | KM44C1000DJL-5 | 1M х 4bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 50 нс | Samsung Electronic |
| 610892 | KM44C1000DJL-6 | 1M х 4bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 60 нс | Samsung Electronic |
| 610893 | KM44C1000DJL-7 | 1M х 4bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 70ns | Samsung Electronic |
| 610894 | KM44C1000DT-5 | 1M х 4bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 50 нс | Samsung Electronic |
| 610895 | KM44C1000DT-6 | 1M х 4bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 60 нс | Samsung Electronic |
| 610896 | KM44C1000DT-7 | 1M х 4bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 70ns | Samsung Electronic |
| 610897 | KM44C1000DTL-5 | 1M х 4bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 50 нс | Samsung Electronic |
| 610898 | KM44C1000DTL-6 | 1M х 4bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 60 нс | Samsung Electronic |
| 610899 | KM44C1000DTL-7 | 1M х 4bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 70ns | Samsung Electronic |
| 610900 | KM44C256B-10 | 100 нс; V (см / вход / выход): от -1.0 до 7.0V; 600 МВт; 50 мА; 256 х 4-битный CMOS Dynamic RAM с Fast моды страница | Samsung Electronic |
| 610901 | KM44C256B-7 | 70 нс; V (см / вход / выход): от -1.0 до 7.0V; 600 МВт; 50 мА; 256 х 4-битный CMOS Dynamic RAM с Fast моды страница | Samsung Electronic |
| 610902 | KM44C256B-8 | 80 не; V (см / вход / выход): от -1.0 до 7.0V; 600 МВт; 50 мА; 256 х 4-битный CMOS Dynamic RAM с Fast моды страница | Samsung Electronic |
| 610903 | KM44C256C-6 | 60 нс; V (см / вход / выход): от -1.0 до 7.0V; 385mW; 50 мА; 256 х 4-битный CMOS Dynamic RAM с Fast моды страница | Samsung Electronic |
| 610904 | KM44C256C-7 | 70 нс; V (см / вход / выход): от -1.0 до 7.0V; 385mW; 50 мА; 256 х 4-битный CMOS Dynamic RAM с Fast моды страница | Samsung Electronic |
| 610905 | KM44C256C-8 | 80 не; V (см / вход / выход): от -1.0 до 7.0V; 385mW; 50 мА; 256 х 4-битный CMOS Dynamic RAM с Fast моды страница | Samsung Electronic |
| 610906 | KM44C256CL-6 | 60 нс; V (см / вход / выход): от -1.0 до 7.0V; 385mW; 50 мА; 256 х 4-битный CMOS Dynamic RAM с Fast моды страница | Samsung Electronic |
| 610907 | KM44C256CL-7 | 70 нс; V (см / вход / выход): от -1.0 до 7.0V; 385mW; 50 мА; 256 х 4-битный CMOS Dynamic RAM с Fast моды страница | Samsung Electronic |
| 610908 | KM44C256CL-8 | 80 не; V (см / вход / выход): от -1.0 до 7.0V; 385mW; 50 мА; 256 х 4-битный CMOS Dynamic RAM с Fast моды страница | Samsung Electronic |
| 610909 | KM44C256CSL-6 | 60 нс; V (см / вход / выход): от -1.0 до 7.0V; 385mW; 50 мА; 256 х 4-битный CMOS Dynamic RAM с Fast моды страница | Samsung Electronic |
| 610910 | KM44C256CSL-7 | 70 нс; V (см / вход / выход): от -1.0 до 7.0V; 385mW; 50 мА; 256 х 4-битный CMOS Dynamic RAM с Fast моды страница | Samsung Electronic |
| 610911 | KM44C256CSL-8 | 80 не; V (см / вход / выход): от -1.0 до 7.0V; 385mW; 50 мА; 256 х 4-битный CMOS Dynamic RAM с Fast моды страница | Samsung Electronic |
| 610912 | KM44C256D-6 | 60 нс; V (см / вход / выход): от -1.0 до 7.0V; 385mW; 50 мА; 256 х 4-битный CMOS Dynamic RAM с Fast моды страница | Samsung Electronic |
| 610913 | KM44C256D-7 | 60 нс; V (см / вход / выход): от -1.0 до 7.0V; 358mW; 50 мА; 256 х 4-битный CMOS Dynamic RAM с Fast моды страница | Samsung Electronic |
| 610914 | KM44C256D-8 | 60 нс; V (см / вход / выход): от -1.0 до 7.0V; 330 МВт; 50 мА; 256 х 4-битный CMOS Dynamic RAM с Fast моды страница | Samsung Electronic |
| 610915 | KM44C4000C | ШТОССЕЛЬ 4M х 4Bit cmos динамический с
быстрым режимом страницы | Samsung Electronic |
| 610916 | KM44C4000CK-5 | 4M х 4bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 50 нс | Samsung Electronic |
| 610917 | KM44C4000CK-6 | 4M х 4bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 60 нс | Samsung Electronic |
| 610918 | KM44C4000CKL-5 | 4M х 4bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 50 нс | Samsung Electronic |
| 610919 | KM44C4000CKL-6 | 4M х 4bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 60 нс | Samsung Electronic |
| 610920 | KM44C4000CS-5 | 4M х 4bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 50 нс | Samsung Electronic |
| | | |
