| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 610681 | KM416V1204BT-L5 | 3,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
| 610682 | KM416V1204BT-L6 | 3,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
| 610683 | KM416V1204BT-L7 | 3,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 70ns | Samsung Electronic |
| 610684 | KM416V1204C | ШТОССЕЛЬ 1M x 16Bit cmos
динамический с выдвинутыми данными вне | Samsung Electronic |
| 610685 | KM416V1204CJ-45 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными из, 45ns, VCC = 3,3 В, обновите период = 16мс | Samsung Electronic |
| 610686 | KM416V1204CJ-5 | 3,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
| 610687 | KM416V1204CJ-50 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными из, 50 нс, VCC = 3,3 В, обновите период = 16мс | Samsung Electronic |
| 610688 | KM416V1204CJ-6 | 3,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
| 610689 | KM416V1204CJ-60 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными из, 60 нс, VCC = 3,3 В, обновите период = 16мс | Samsung Electronic |
| 610690 | KM416V1204CJ-L5 | 3,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
| 610691 | KM416V1204CJ-L6 | 3,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
| 610692 | KM416V1204CJL-45 | 1M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45ns, VCC = 3,3 В, само-регенерации | Samsung Electronic |
| 610693 | KM416V1204CJL-50 | 1M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нс, VCC = 3,3 В, само-регенерации | Samsung Electronic |
| 610694 | KM416V1204CJL-60 | 1M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нс, VCC = 3,3 В, само-регенерации | Samsung Electronic |
| 610695 | KM416V1204CT-45 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными из, 45ns, VCC = 3,3 В, обновите период = 16мс | Samsung Electronic |
| 610696 | KM416V1204CT-5 | 3,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
| 610697 | KM416V1204CT-50 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными из, 50 нс, VCC = 3,3 В, обновите период = 16мс | Samsung Electronic |
| 610698 | KM416V1204CT-6 | 3,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
| 610699 | KM416V1204CT-60 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными из, 60 нс, VCC = 3,3 В, обновите период = 16мс | Samsung Electronic |
| 610700 | KM416V1204CT-L5 | 3,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
| 610701 | KM416V1204CT-L6 | 3,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
| 610702 | KM416V1204CTL-45 | 1M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45ns, VCC = 3,3 В, само-регенерации | Samsung Electronic |
| 610703 | KM416V1204CTL-50 | 1M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нс, VCC = 3,3 В, само-регенерации | Samsung Electronic |
| 610704 | KM416V1204CTL-60 | 1M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нс, VCC = 3,3 В, само-регенерации | Samsung Electronic |
| 610705 | KM416V254D | ШТОССЕЛЬ 256K х 16Bit cmos динамический
с выдвинутыми данными вне | Samsung Electronic |
| 610706 | KM416V254DJ-5 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 3,3 В, 50 нс, 8ms период обновления | Samsung Electronic |
| 610707 | KM416V254DJ-6 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 3,3 В, 60 нс, 8ms период обновления | Samsung Electronic |
| 610708 | KM416V254DJ-7 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 3,3 В, 70ns, 8ms период обновления | Samsung Electronic |
| 610709 | KM416V254DJL-5 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 3,3 В, 50 нс, само-обновления | Samsung Electronic |
| 610710 | KM416V254DJL-6 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 3,3 В, 60 нс, само-обновления | Samsung Electronic |
| 610711 | KM416V254DJL-7 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 3,3 В, 70ns, само-обновления | Samsung Electronic |
| 610712 | KM416V254DT-5 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 3,3 В, 50 нс, 8ms период обновления | Samsung Electronic |
| 610713 | KM416V254DT-6 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 3,3 В, 60 нс, 8ms период обновления | Samsung Electronic |
| 610714 | KM416V254DT-7 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 3,3 В, 70ns, 8ms период обновления | Samsung Electronic |
| 610715 | KM416V254DTL-5 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 3,3 В, 50 нс, само-обновления | Samsung Electronic |
| 610716 | KM416V254DTL-6 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 3,3 В, 60 нс, само-обновления | Samsung Electronic |
| 610717 | KM416V254DTL-7 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 3,3 В, 70ns, само-обновления | Samsung Electronic |
| 610718 | KM416V256D | ШТОССЕЛЬ 256K х 16Bit cmos динамический
с быстрым режимом страницы | Samsung Electronic |
| 610719 | KM416V256DJ-5 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницы, 50 нс, 3,3 | Samsung Electronic |
| 610720 | KM416V256DJ-6 | 256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с режимом быстрой страницы, 60 нс, 3,3 | Samsung Electronic |
| | | |
