|   Première page   |   Tous les fabricants   |   Par fonction   |  

Le numéro de la pièce, la description ou le fabricant des:
Saut rapide à:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Feuilles de datas trouvées :: 1351360Page: << | 15263 | 15264 | 15265 | 15266 | 15267 | 15268 | 15269 | 15270 | 15271 | 15272 | 15273 | >>
Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
610681KM416V1204BT-L53.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
610682KM416V1204BT-L63.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
610683KM416V1204BT-L73.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns,Samsung Electronic
610684KM416V1204CRAM dynamique du 1M X 16Bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
610685KM416V1204CJ-451m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, 45ns, VCC = 3.3V, période de rafraîchissement = 16 msSamsung Electronic
610686KM416V1204CJ-53.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
610687KM416V1204CJ-501m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, 50ns, VCC = 3.3V, période de rafraîchissement = 16 msSamsung Electronic
610688KM416V1204CJ-63.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
610689KM416V1204CJ-601m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, 60ns, VCC = 3.3V, période de rafraîchissement = 16 msSamsung Electronic
610690KM416V1204CJ-L53.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
610691KM416V1204CJ-L63.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
610692KM416V1204CJL-451m x 16Bit CMOS RAM dynamique avec des données sur de longues, 45ns, VCC = 3.3V, auto-rafraîchissementSamsung Electronic
610693KM416V1204CJL-501m x 16Bit CMOS RAM dynamique avec des données sur de longues, 50ns, VCC = 3.3V, auto-rafraîchissementSamsung Electronic
610694KM416V1204CJL-601m x 16Bit CMOS RAM dynamique avec des données sur de longues, 60ns, VCC = 3.3V, auto-rafraîchissementSamsung Electronic
610695KM416V1204CT-451m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, 45ns, VCC = 3.3V, période de rafraîchissement = 16 msSamsung Electronic
610696KM416V1204CT-53.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
610697KM416V1204CT-501m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, 50ns, VCC = 3.3V, période de rafraîchissement = 16 msSamsung Electronic
610698KM416V1204CT-63.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
610699KM416V1204CT-601m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, 60ns, VCC = 3.3V, période de rafraîchissement = 16 msSamsung Electronic



610700KM416V1204CT-L53.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
610701KM416V1204CT-L63.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
610702KM416V1204CTL-451m x 16Bit CMOS RAM dynamique avec des données sur de longues, 45ns, VCC = 3.3V, auto-rafraîchissementSamsung Electronic
610703KM416V1204CTL-501m x 16Bit CMOS RAM dynamique avec des données sur de longues, 50ns, VCC = 3.3V, auto-rafraîchissementSamsung Electronic
610704KM416V1204CTL-601m x 16Bit CMOS RAM dynamique avec des données sur de longues, 60ns, VCC = 3.3V, auto-rafraîchissementSamsung Electronic
610705KM416V254DRAM dynamique de 256K x de 16Bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
610706KM416V254DJ-5256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, Vcc = 3,3V, 50ns, période de rafraîchissement de 8msSamsung Electronic
610707KM416V254DJ-6256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, Vcc = 3,3V, 60ns, période de rafraîchissement de 8msSamsung Electronic
610708KM416V254DJ-7256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, Vcc = 3,3V, 70ns, période de rafraîchissement de 8msSamsung Electronic
610709KM416V254DJL-5256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, Vcc = 3,3V, 50ns, auto-refreshSamsung Electronic
610710KM416V254DJL-6256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, Vcc = 3,3V, 60ns, auto-refreshSamsung Electronic
610711KM416V254DJL-7256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, Vcc = 3,3V, 70ns, auto-refreshSamsung Electronic
610712KM416V254DT-5256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, Vcc = 3,3V, 50ns, période de rafraîchissement de 8msSamsung Electronic
610713KM416V254DT-6256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, Vcc = 3,3V, 60ns, période de rafraîchissement de 8msSamsung Electronic
610714KM416V254DT-7256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, Vcc = 3,3V, 70ns, période de rafraîchissement de 8msSamsung Electronic
610715KM416V254DTL-5256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, Vcc = 3,3V, 50ns, auto-refreshSamsung Electronic
610716KM416V254DTL-6256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, Vcc = 3,3V, 60ns, auto-refreshSamsung Electronic
610717KM416V254DTL-7256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, Vcc = 3,3V, 70ns, auto-refreshSamsung Electronic
610718KM416V256DRAM dynamique de 256K x de 16Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
610719KM416V256DJ-5256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 50ns, 3.3VSamsung Electronic
610720KM416V256DJ-6256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 60ns, 3.3VSamsung Electronic
Feuilles de datas trouvées :: 1351360Page: << | 15263 | 15264 | 15265 | 15266 | 15267 | 15268 | 15269 | 15270 | 15271 | 15272 | 15273 | >>
English Version for this page Deutsche Version für diese Seite Versión española para esta página Versione italiana Versão portuguese para esta página Russian version Versiunea romaneasca



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com