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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
610681KM416V1204BT-L53.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
610682KM416V1204BT-L63.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
610683KM416V1204BT-L73.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 70nsSamsung Electronic
610684KM416V1204CESPOLÓN dinámico del 1M x 16Bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
610685KM416V1204CJ-451M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45ns, VCC = 3.3V, período de actualización = 16 msSamsung Electronic
610686KM416V1204CJ-53.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
610687KM416V1204CJ-501M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50ns, VCC = 3.3V, período de actualización = 16 msSamsung Electronic
610688KM416V1204CJ-63.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
610689KM416V1204CJ-601M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60ns, VCC = 3.3V, período de actualización = 16 msSamsung Electronic
610690KM416V1204CJ-L53.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
610691KM416V1204CJ-L63.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
610692KM416V1204CJL-451M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45ns, VCC = 3.3V, auto-actualizaciónSamsung Electronic
610693KM416V1204CJL-501M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50ns, VCC = 3.3V, auto-actualizaciónSamsung Electronic
610694KM416V1204CJL-601M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60ns, VCC = 3.3V, auto-actualizaciónSamsung Electronic
610695KM416V1204CT-451M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45ns, VCC = 3.3V, período de actualización = 16 msSamsung Electronic
610696KM416V1204CT-53.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
610697KM416V1204CT-501M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50ns, VCC = 3.3V, período de actualización = 16 msSamsung Electronic
610698KM416V1204CT-63.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
610699KM416V1204CT-601M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60ns, VCC = 3.3V, período de actualización = 16 msSamsung Electronic



610700KM416V1204CT-L53.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
610701KM416V1204CT-L63.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
610702KM416V1204CTL-451M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45ns, VCC = 3.3V, auto-actualizaciónSamsung Electronic
610703KM416V1204CTL-501M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50ns, VCC = 3.3V, auto-actualizaciónSamsung Electronic
610704KM416V1204CTL-601M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60ns, VCC = 3.3V, auto-actualizaciónSamsung Electronic
610705KM416V254DESPOLÓN dinámico de 256K x de 16Bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
610706KM416V254DJ-5256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 3.3V, 50ns, 8ms período de refrescoSamsung Electronic
610707KM416V254DJ-6256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 3.3V, 60ns, 8ms período de refrescoSamsung Electronic
610708KM416V254DJ-7256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 3.3V, 70ns, 8ms período de refrescoSamsung Electronic
610709KM416V254DJL-5256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 3.3V, 50ns, la auto-actualizaciónSamsung Electronic
610710KM416V254DJL-6256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 3.3V, 60ns, la auto-actualizaciónSamsung Electronic
610711KM416V254DJL-7256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 3.3V, 70ns, la auto-actualizaciónSamsung Electronic
610712KM416V254DT-5256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 3.3V, 50ns, 8ms período de refrescoSamsung Electronic
610713KM416V254DT-6256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 3.3V, 60ns, 8ms período de refrescoSamsung Electronic
610714KM416V254DT-7256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 3.3V, 70ns, 8ms período de refrescoSamsung Electronic
610715KM416V254DTL-5256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 3.3V, 50ns, la auto-actualizaciónSamsung Electronic
610716KM416V254DTL-6256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 3.3V, 60ns, la auto-actualizaciónSamsung Electronic
610717KM416V254DTL-7256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 3.3V, 70ns, la auto-actualizaciónSamsung Electronic
610718KM416V256DESPOLÓN dinámico de 256K x de 16Bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
610719KM416V256DJ-5256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 50ns, 3.3VSamsung Electronic
610720KM416V256DJ-6256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 60ns, 3.3VSamsung Electronic
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