Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
610681 | KM416V1204BT-L5 | 3.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50ns | Samsung Electronic |
610682 | KM416V1204BT-L6 | 3.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60ns | Samsung Electronic |
610683 | KM416V1204BT-L7 | 3.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 70ns | Samsung Electronic |
610684 | KM416V1204C | ESPOLÓN dinámico del 1M x 16Bit Cmos con datos extendidos hacia fuera | Samsung Electronic |
610685 | KM416V1204CJ-45 | 1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45ns, VCC = 3.3V, período de actualización = 16 ms | Samsung Electronic |
610686 | KM416V1204CJ-5 | 3.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50ns | Samsung Electronic |
610687 | KM416V1204CJ-50 | 1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50ns, VCC = 3.3V, período de actualización = 16 ms | Samsung Electronic |
610688 | KM416V1204CJ-6 | 3.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60ns | Samsung Electronic |
610689 | KM416V1204CJ-60 | 1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60ns, VCC = 3.3V, período de actualización = 16 ms | Samsung Electronic |
610690 | KM416V1204CJ-L5 | 3.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50ns | Samsung Electronic |
610691 | KM416V1204CJ-L6 | 3.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60ns | Samsung Electronic |
610692 | KM416V1204CJL-45 | 1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45ns, VCC = 3.3V, auto-actualización | Samsung Electronic |
610693 | KM416V1204CJL-50 | 1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50ns, VCC = 3.3V, auto-actualización | Samsung Electronic |
610694 | KM416V1204CJL-60 | 1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60ns, VCC = 3.3V, auto-actualización | Samsung Electronic |
610695 | KM416V1204CT-45 | 1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45ns, VCC = 3.3V, período de actualización = 16 ms | Samsung Electronic |
610696 | KM416V1204CT-5 | 3.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50ns | Samsung Electronic |
610697 | KM416V1204CT-50 | 1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50ns, VCC = 3.3V, período de actualización = 16 ms | Samsung Electronic |
610698 | KM416V1204CT-6 | 3.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60ns | Samsung Electronic |
610699 | KM416V1204CT-60 | 1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60ns, VCC = 3.3V, período de actualización = 16 ms | Samsung Electronic |
610700 | KM416V1204CT-L5 | 3.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50ns | Samsung Electronic |
610701 | KM416V1204CT-L6 | 3.3V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60ns | Samsung Electronic |
610702 | KM416V1204CTL-45 | 1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45ns, VCC = 3.3V, auto-actualización | Samsung Electronic |
610703 | KM416V1204CTL-50 | 1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50ns, VCC = 3.3V, auto-actualización | Samsung Electronic |
610704 | KM416V1204CTL-60 | 1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60ns, VCC = 3.3V, auto-actualización | Samsung Electronic |
610705 | KM416V254D | ESPOLÓN dinámico de 256K x de 16Bit Cmos con datos extendidos hacia fuera | Samsung Electronic |
610706 | KM416V254DJ-5 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 3.3V, 50ns, 8ms período de refresco | Samsung Electronic |
610707 | KM416V254DJ-6 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 3.3V, 60ns, 8ms período de refresco | Samsung Electronic |
610708 | KM416V254DJ-7 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 3.3V, 70ns, 8ms período de refresco | Samsung Electronic |
610709 | KM416V254DJL-5 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 3.3V, 50ns, la auto-actualización | Samsung Electronic |
610710 | KM416V254DJL-6 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 3.3V, 60ns, la auto-actualización | Samsung Electronic |
610711 | KM416V254DJL-7 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 3.3V, 70ns, la auto-actualización | Samsung Electronic |
610712 | KM416V254DT-5 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 3.3V, 50ns, 8ms período de refresco | Samsung Electronic |
610713 | KM416V254DT-6 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 3.3V, 60ns, 8ms período de refresco | Samsung Electronic |
610714 | KM416V254DT-7 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 3.3V, 70ns, 8ms período de refresco | Samsung Electronic |
610715 | KM416V254DTL-5 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 3.3V, 50ns, la auto-actualización | Samsung Electronic |
610716 | KM416V254DTL-6 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 3.3V, 60ns, la auto-actualización | Samsung Electronic |
610717 | KM416V254DTL-7 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 3.3V, 70ns, la auto-actualización | Samsung Electronic |
610718 | KM416V256D | ESPOLÓN dinámico de 256K x de 16Bit Cmos con modo rápido de la página | Samsung Electronic |
610719 | KM416V256DJ-5 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 50ns, 3.3V | Samsung Electronic |
610720 | KM416V256DJ-6 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 60ns, 3.3V | Samsung Electronic |
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