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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
610681KM416V1204BT-L53.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 50nsSamsung Electronic
610682KM416V1204BT-L63.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 60nsSamsung Electronic
610683KM416V1204BT-L73.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 70nsSamsung Electronic
610684KM416V1204CRAM dinâmica do 1M x 16Bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
610685KM416V1204CJ-451M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com dados estendidos para fora, 45ns, VCC = 3.3V, atualize período = 16msSamsung Electronic
610686KM416V1204CJ-53.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 50nsSamsung Electronic
610687KM416V1204CJ-501M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com dados estendidos para fora, 50ns, VCC = 3.3V, atualize período = 16msSamsung Electronic
610688KM416V1204CJ-63.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 60nsSamsung Electronic
610689KM416V1204CJ-601M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com dados estendidos para fora, 60ns, VCC = 3.3V, atualize período = 16msSamsung Electronic
610690KM416V1204CJ-L53.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 50nsSamsung Electronic
610691KM416V1204CJ-L63.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 60nsSamsung Electronic
610692KM416V1204CJL-451M x 16Bit CMOS RAM dinâmica com dados estendidos para fora, 45ns, VCC = 3.3V, auto-atualizaçãoSamsung Electronic
610693KM416V1204CJL-501M x 16Bit CMOS RAM dinâmica com dados estendidos para fora, 50ns, VCC = 3.3V, auto-atualizaçãoSamsung Electronic
610694KM416V1204CJL-601M x 16Bit CMOS RAM dinâmica com dados estendidos para fora, 60ns, VCC = 3.3V, auto-atualizaçãoSamsung Electronic
610695KM416V1204CT-451M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com dados estendidos para fora, 45ns, VCC = 3.3V, atualize período = 16msSamsung Electronic
610696KM416V1204CT-53.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 50nsSamsung Electronic
610697KM416V1204CT-501M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com dados estendidos para fora, 50ns, VCC = 3.3V, atualize período = 16msSamsung Electronic
610698KM416V1204CT-63.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 60nsSamsung Electronic
610699KM416V1204CT-601M x RAM dinâmica 16Bit CMOS com dados estendidos para fora, 60ns, VCC = 3.3V, atualize período = 16msSamsung Electronic



610700KM416V1204CT-L53.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 50nsSamsung Electronic
610701KM416V1204CT-L63.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM com dados estendidos para fora, 60nsSamsung Electronic
610702KM416V1204CTL-451M x 16Bit CMOS RAM dinâmica com dados estendidos para fora, 45ns, VCC = 3.3V, auto-atualizaçãoSamsung Electronic
610703KM416V1204CTL-501M x 16Bit CMOS RAM dinâmica com dados estendidos para fora, 50ns, VCC = 3.3V, auto-atualizaçãoSamsung Electronic
610704KM416V1204CTL-601M x 16Bit CMOS RAM dinâmica com dados estendidos para fora, 60ns, VCC = 3.3V, auto-atualizaçãoSamsung Electronic
610705KM416V254DRAM dinâmica de 256K x de 16Bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
610706KM416V254DJ-5256K x RAM dinâmica 16Bit CMOS com dados estendidos para fora, Vcc = 3.3V, 50ns, 8ms atualizar períodoSamsung Electronic
610707KM416V254DJ-6256K x RAM dinâmica 16Bit CMOS com dados estendidos para fora, Vcc = 3.3V, 60ns, 8ms atualizar períodoSamsung Electronic
610708KM416V254DJ-7256K x RAM dinâmica 16Bit CMOS com dados estendidos para fora, Vcc = 3.3V, 70ns, 8ms atualizar períodoSamsung Electronic
610709KM416V254DJL-5256K x RAM dinâmica 16Bit CMOS com dados estendidos para fora, Vcc = 3.3V, 50ns, auto-refreshSamsung Electronic
610710KM416V254DJL-6256K x RAM dinâmica 16Bit CMOS com dados estendidos para fora, Vcc = 3.3V, 60ns, auto-refreshSamsung Electronic
610711KM416V254DJL-7256K x RAM dinâmica 16Bit CMOS com dados estendidos para fora, Vcc = 3.3V, 70ns, auto-refreshSamsung Electronic
610712KM416V254DT-5256K x RAM dinâmica 16Bit CMOS com dados estendidos para fora, Vcc = 3.3V, 50ns, 8ms atualizar períodoSamsung Electronic
610713KM416V254DT-6256K x RAM dinâmica 16Bit CMOS com dados estendidos para fora, Vcc = 3.3V, 60ns, 8ms atualizar períodoSamsung Electronic
610714KM416V254DT-7256K x RAM dinâmica 16Bit CMOS com dados estendidos para fora, Vcc = 3.3V, 70ns, 8ms atualizar períodoSamsung Electronic
610715KM416V254DTL-5256K x RAM dinâmica 16Bit CMOS com dados estendidos para fora, Vcc = 3.3V, 50ns, auto-refreshSamsung Electronic
610716KM416V254DTL-6256K x RAM dinâmica 16Bit CMOS com dados estendidos para fora, Vcc = 3.3V, 60ns, auto-refreshSamsung Electronic
610717KM416V254DTL-7256K x RAM dinâmica 16Bit CMOS com dados estendidos para fora, Vcc = 3.3V, 70ns, auto-refreshSamsung Electronic
610718KM416V256DRAM dinâmica de 256K x de 16Bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
610719KM416V256DJ-5256K x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 50ns, 3.3VSamsung Electronic
610720KM416V256DJ-6256K x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 60ns, 3.3VSamsung Electronic
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