|   Home   |   Tutti i fornitori   |   Dalla funzione   |  

Numero parte, la descrizione o il produttore contenere:    
Salto rapido a:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Datasheets ha trovato :: 1351360Pagina: << | 15263 | 15264 | 15265 | 15266 | 15267 | 15268 | 15269 | 15270 | 15271 | 15272 | 15273 | >>
No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
610681KM416V1204BT-L53.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM con i dati estesi fuori, 50nsSamsung Electronic
610682KM416V1204BT-L63.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM con i dati estesi fuori, 60nsSamsung Electronic
610683KM416V1204BT-L73.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM con i dati estesi fuori, 70nsSamsung Electronic
610684KM416V1204CRAM dinamica del 1M x 16Bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
610685KM416V1204CJ-451m x 16 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 45ns, VCC = 3,3 V, periodo di aggiornamento = 16 msSamsung Electronic
610686KM416V1204CJ-53.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM con i dati estesi fuori, 50nsSamsung Electronic
610687KM416V1204CJ-501m x 16 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 50ns, VCC = 3,3 V, periodo di aggiornamento = 16 msSamsung Electronic
610688KM416V1204CJ-63.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM con i dati estesi fuori, 60nsSamsung Electronic
610689KM416V1204CJ-601m x 16 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 60ns, VCC = 3,3 V, periodo di aggiornamento = 16 msSamsung Electronic
610690KM416V1204CJ-L53.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM con i dati estesi fuori, 50nsSamsung Electronic
610691KM416V1204CJ-L63.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM con i dati estesi fuori, 60nsSamsung Electronic
610692KM416V1204CJL-451m x 16 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 45ns, VCC = 3.3V, auto-aggiornamentoSamsung Electronic
610693KM416V1204CJL-501m x 16 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 50ns, VCC = 3.3V, auto-aggiornamentoSamsung Electronic
610694KM416V1204CJL-601m x 16 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 60ns, VCC = 3.3V, auto-aggiornamentoSamsung Electronic
610695KM416V1204CT-451m x 16 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 45ns, VCC = 3,3 V, periodo di aggiornamento = 16 msSamsung Electronic
610696KM416V1204CT-53.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM con i dati estesi fuori, 50nsSamsung Electronic
610697KM416V1204CT-501m x 16 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 50ns, VCC = 3,3 V, periodo di aggiornamento = 16 msSamsung Electronic
610698KM416V1204CT-63.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM con i dati estesi fuori, 60nsSamsung Electronic
610699KM416V1204CT-601m x 16 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 60ns, VCC = 3,3 V, periodo di aggiornamento = 16 msSamsung Electronic



610700KM416V1204CT-L53.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM con i dati estesi fuori, 50nsSamsung Electronic
610701KM416V1204CT-L63.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM con i dati estesi fuori, 60nsSamsung Electronic
610702KM416V1204CTL-451m x 16 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 45ns, VCC = 3.3V, auto-aggiornamentoSamsung Electronic
610703KM416V1204CTL-501m x 16 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 50ns, VCC = 3.3V, auto-aggiornamentoSamsung Electronic
610704KM416V1204CTL-601m x 16 bit CMOS RAM dinamica con i dati estesi fuori, 60ns, VCC = 3.3V, auto-aggiornamentoSamsung Electronic
610705KM416V254DRAM dinamica di 16Bit x di 256K CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
610706KM416V254DJ-5256K x 16Bit RAM CMOS dinamico con dati estesa fuori, Vcc = 3.3V, 50ns, 8 ms Tempo di aggiornamentoSamsung Electronic
610707KM416V254DJ-6256K x 16Bit RAM CMOS dinamico con dati estesa fuori, Vcc = 3.3V, 60ns, 8 ms Tempo di aggiornamentoSamsung Electronic
610708KM416V254DJ-7256K x 16Bit RAM CMOS dinamico con dati estesa fuori, Vcc = 3,3 V, 70 ns, 8 ms Tempo di aggiornamentoSamsung Electronic
610709KM416V254DJL-5256K x 16Bit RAM CMOS dinamico con dati estesa fuori, Vcc = 3.3V, 50ns, auto-aggiornamentoSamsung Electronic
610710KM416V254DJL-6256K x 16Bit RAM CMOS dinamico con dati estesa fuori, Vcc = 3.3V, 60ns, auto-aggiornamentoSamsung Electronic
610711KM416V254DJL-7256K x 16Bit RAM CMOS dinamico con dati estesa fuori, Vcc = 3.3V, 70ns, auto-aggiornamentoSamsung Electronic
610712KM416V254DT-5256K x 16Bit RAM CMOS dinamico con dati estesa fuori, Vcc = 3.3V, 50ns, 8 ms Tempo di aggiornamentoSamsung Electronic
610713KM416V254DT-6256K x 16Bit RAM CMOS dinamico con dati estesa fuori, Vcc = 3.3V, 60ns, 8 ms Tempo di aggiornamentoSamsung Electronic
610714KM416V254DT-7256K x 16Bit RAM CMOS dinamico con dati estesa fuori, Vcc = 3,3 V, 70 ns, 8 ms Tempo di aggiornamentoSamsung Electronic
610715KM416V254DTL-5256K x 16Bit RAM CMOS dinamico con dati estesa fuori, Vcc = 3.3V, 50ns, auto-aggiornamentoSamsung Electronic
610716KM416V254DTL-6256K x 16Bit RAM CMOS dinamico con dati estesa fuori, Vcc = 3.3V, 60ns, auto-aggiornamentoSamsung Electronic
610717KM416V254DTL-7256K x 16Bit RAM CMOS dinamico con dati estesa fuori, Vcc = 3.3V, 70ns, auto-aggiornamentoSamsung Electronic
610718KM416V256DRAM dinamica di 16Bit x di 256K CMOS con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
610719KM416V256DJ-5256K x 16 bit CMOS RAM dinamica con la modalitŕ pagina veloce, 50ns, 3.3VSamsung Electronic
610720KM416V256DJ-6256K x 16 bit CMOS RAM dinamica con la modalitŕ pagina veloce, 60ns, 3.3VSamsung Electronic
Datasheets ha trovato :: 1351360Pagina: << | 15263 | 15264 | 15265 | 15266 | 15267 | 15268 | 15269 | 15270 | 15271 | 15272 | 15273 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versión espańola para esta página Versăo portuguese para esta página Russian version Versiunea romaneasca



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com