| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 881201 | MJ21193-D | Transistor De Poder Do Silicone | ON Semiconductor |
| 881202 | MJ21194 | Poder 16A 250V NPN | ON Semiconductor |
| 881203 | MJ21194 | Poder transistor de silício | Motorola |
| 881204 | MJ21195 | Poder, 16A, 250V, PNP | ON Semiconductor |
| 881205 | MJ21195-D | Transistor De Poder Do Silicone | ON Semiconductor |
| 881206 | MJ21196 | Poder, 16A, 250V, NPN | ON Semiconductor |
| 881207 | MJ2194 | transistor de poder complementares do silicone de 16 ampères 250 volts 250 watts | Motorola |
| 881208 | MJ2253 | Dispositivo bipolar de PNP em um pacote hermetically selado do metal TO66. | SemeLAB |
| 881209 | MJ2253 | Dispositivo bipolar de PNP em um pacote hermetically selado do metal TO66. | SemeLAB |
| 881210 | MJ2400 | Poder ICs/Controladores Atuais Do Inrush (Série de MJ) | Shindengen |
| 881211 | MJ2400 | Controlador de corrente de partida | Shindengen |
| 881212 | MJ2500 | SILICONE COMPLEMENTAR DE 10 TRANSISTOR DE PODER DO AMPÈRE DARLINGTON 60.80 VOLTS 150 WATTS | Motorola |
| 881213 | MJ2500 | 60V silício epitaxial-base de Darlington | Comset Semiconductors |
| 881214 | MJ2501 | TRANSISTOR COMPLEMENTARES DO PODER DARLINGTON DO SILICONE | ST Microelectronics |
| 881215 | MJ2501 | TRANSISTOR COMPLEMENTARES DO PODER DARLINGTON DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 881216 | MJ2501 | TRANSISTOR COMPLEMENTARES DO PODER DARLINGTON DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 881217 | MJ2501 | 80V silício epitaxial-base de Darlington | Comset Semiconductors |
| 881218 | MJ2501 | Médio-power transistor de silício complementar | Motorola |
| 881219 | MJ2501 | Médio-Power Complementares Silicon Transistores | ON Semiconductor |
| 881220 | MJ2501-D | Transistor Complementares Do Silicone Do Meio-Poder | ON Semiconductor |
| 881221 | MJ2812 | 32 PALAVRAS X MEMÓRIA Do Fifo De 8 BOCADOS | Zarlink Semiconductor |
| 881222 | MJ2955 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | ST Microelectronics |
| 881223 | MJ2955 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 881224 | MJ2955 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 881225 | MJ2955 | PODER TRANSISTORS(15A, 50v, 115w) | MOSPEC Semiconductor |
| 881226 | MJ2955 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | Boca Semiconductor Corporation |
| 881227 | MJ2955 | C.C. PLANAR DO AMPLIFICADOR DE PODER DO SILICONE TRANSISTOR(AUDIO DE PNP AO CONVERSOR DA C.C.) | Wing Shing Computer Components |
| 881228 | MJ2955 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 881229 | MJ2955 | Poder 15A 60V PNP Discreto | ON Semiconductor |
| 881230 | MJ2955 | 115.000W Poder PNP metal pode transistor. 60V VCEO, 15.000A Ic, 5 hFE. | Continental Device India Limited |
| 881231 | MJ2955 | Silicon PNP epitaxial-base-alta potência transistor. -100V, 150W. | General Electric Solid State |
| 881232 | MJ2955 | Silício Complementar poder transistor | Motorola |
| 881233 | MJ2955 | PNP transistor de alta potência. Concebidos para comutação de propósito geral e aplicação amplificador. VCEO = 60VDC, Vcer = 70Vdc, Vcb = 100VCC Ic = 15Adc, PD = 115W. | USHA India LTD |
| 881234 | MJ2955A | PODER TRANSISTORS(15A) | MOSPEC Semiconductor |
| 881235 | MJ2955A | TRANSISTOR COMPLEMENTARES DO SILICONE HIGH-POWER | Boca Semiconductor Corporation |
| 881236 | MJ2955A | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES 60 DO SILICONE DE 15 AMPÈRES, 120 VOLTS 115, 180 WATTS | Motorola |
| 881237 | MJ3000 | SILICONE COMPLEMENTAR DE 10 TRANSISTOR DE PODER DO AMPÈRE DARLINGTON 60.80 VOLTS 150 WATTS | Motorola |
| 881238 | MJ3000 | 60V silício epitaxial-base de Darlington | Comset Semiconductors |
| 881239 | MJ3001 | TRANSISTOR COMPLEMENTARES DO PODER DARLINGTON DO SILICONE | ST Microelectronics |
| 881240 | MJ3001 | TRANSISTOR COMPLEMENTARES DO PODER DARLINGTON DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
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