| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 881201 | MJ21193-D | Silikon-Energie Transistoren | ON Semiconductor |
| 881202 | MJ21194 | Energie 16A 250V NPN | ON Semiconductor |
| 881203 | MJ21194 | Silicon-Leistungstransistor | Motorola |
| 881204 | MJ21195 | Energie, 16A, 250V, PNP | ON Semiconductor |
| 881205 | MJ21195-D | Silikon-Energie Transistoren | ON Semiconductor |
| 881206 | MJ21196 | Energie, 16A, 250V, NPN | ON Semiconductor |
| 881207 | MJ2194 | 16-Ampere-ergänzende Silikonenergie Transistoren 250 Volt 250 Watt | Motorola |
| 881208 | MJ2253 | Zweipolige PNP Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto66. | SemeLAB |
| 881209 | MJ2253 | Zweipolige PNP Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto66. | SemeLAB |
| 881210 | MJ2400 | Energie ICs/Einströmen-Gegenwärtige Steuerpulte (MJ Reihe) | Shindengen |
| 881211 | MJ2400 | Einschaltstrom-Controller | Shindengen |
| 881212 | MJ2500 | 10 ENERGIE TRANSISTOR-ERGÄNZENDES SILIKON DES AMPERE-DARLINGTON 60.80 VOLT 150 WATT | Motorola |
| 881213 | MJ2500 | 60V Siliziumepitaxieschicht Basis Darlington | Comset Semiconductors |
| 881214 | MJ2501 | ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE DARLINGTON TRANSISTOREN | ST Microelectronics |
| 881215 | MJ2501 | ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE DARLINGTON TRANSISTOREN | SGS Thomson Microelectronics |
| 881216 | MJ2501 | ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE DARLINGTON TRANSISTOREN | SGS Thomson Microelectronics |
| 881217 | MJ2501 | 80V Siliziumepitaxieschicht Basis Darlington | Comset Semiconductors |
| 881218 | MJ2501 | Mittlerer Leistung komplementären Silizium-Transistor | Motorola |
| 881219 | MJ2501 | Medium-Power Ergänzende Siliziumtransistoren | ON Semiconductor |
| 881220 | MJ2501-D | Mittel-Energie Ergänzende Silikon-Transistoren | ON Semiconductor |
| 881221 | MJ2812 | 32 WÖRTER X 8 BIT-Fifo GEDÄCHTNIS | Zarlink Semiconductor |
| 881222 | MJ2955 | ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | ST Microelectronics |
| 881223 | MJ2955 | ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | SGS Thomson Microelectronics |
| 881224 | MJ2955 | ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | SGS Thomson Microelectronics |
| 881225 | MJ2955 | ENERGIE TRANSISTORS(15A, 50v, 115w) | MOSPEC Semiconductor |
| 881226 | MJ2955 | ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | Boca Semiconductor Corporation |
| 881227 | MJ2955 | PNP PLANARES ENDVERSTÄRKER-DC DES SILIKON-TRANSISTOR(AUDIO ZUM DC KONVERTER) | Wing Shing Computer Components |
| 881228 | MJ2955 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 881229 | MJ2955 | Energie 15A 60V Getrenntes PNP | ON Semiconductor |
| 881230 | MJ2955 | 115.000W Leistung PNP Metall kann der Transistor. 60V Vceo, 15.000A Ic, 5 hFE. | Continental Device India Limited |
| 881231 | MJ2955 | Silikon PNP epitaktischen-Basishochleistungstransistor. -100 V, 150W. | General Electric Solid State |
| 881232 | MJ2955 | Ergänzende Silizium-Leistungstransistor | Motorola |
| 881233 | MJ2955 | PNP Hochleistungstransistor. Konzipiert für allgemeine Zwecke Schalt- und Verstärkeranwendung. Vceo = 60Vdc, Vcer = 70Vdc, Vcb = 100VDC Ic = 15Adc, PD = 115W. | USHA India LTD |
| 881234 | MJ2955A | ENERGIE TRANSISTORS(15A) | MOSPEC Semiconductor |
| 881235 | MJ2955A | ERGÄNZENDE TRANSISTOREN DES SILIKON-HIGH-POWER | Boca Semiconductor Corporation |
| 881236 | MJ2955A | 15 AMPERE-ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN 60, 120 VOLT 115, 180 WATT | Motorola |
| 881237 | MJ3000 | 10 ENERGIE TRANSISTOR-ERGÄNZENDES SILIKON DES AMPERE-DARLINGTON 60.80 VOLT 150 WATT | Motorola |
| 881238 | MJ3000 | 60V Siliziumepitaxieschicht Basis Darlington | Comset Semiconductors |
| 881239 | MJ3001 | ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE DARLINGTON TRANSISTOREN | ST Microelectronics |
| 881240 | MJ3001 | ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE DARLINGTON TRANSISTOREN | SGS Thomson Microelectronics |
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