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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
881241MJ3001ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE DARLINGTON TRANSISTORENSGS Thomson Microelectronics
881242MJ300110 ENERGIE TRANSISTOR-ERGÄNZENDES SILIKON DES AMPERE-DARLINGTON 60.80 VOLT 150 WATTMotorola
881243MJ300180V Siliziumepitaxieschicht Basis DarlingtonComset Semiconductors
881244MJ3001Medium-Power Ergänzende SiliziumtransistorenON Semiconductor
881245MJ3040DARLINGTON 10 SILIKON DER AMPERE-ENERGIE TRANSISTOR-NPNMotorola
881246MJ3040DARLINGTON 10 SILIKON DER AMPERE-ENERGIE TRANSISTOR-NPNMotorola
881247MJ3041DARLINGTON 10 SILIKON DER AMPERE-ENERGIE TRANSISTOR-NPNMotorola
881248MJ3041DARLINGTON 10 SILIKON DER AMPERE-ENERGIE TRANSISTOR-NPNMotorola
881249MJ3042DARLINGTON 10 SILIKON DER AMPERE-ENERGIE TRANSISTOR-NPNMotorola
881250MJ3042DARLINGTON 10 SILIKON DER AMPERE-ENERGIE TRANSISTOR-NPNMotorola
881251MJ3101Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto66.SemeLAB
881252MJ3101Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto66.SemeLAB
881253MJ3202Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto66SemeLAB
881254MJ3202AErgänzende NPN-PNP Silicon Power BipolartransistorMotorola
881255MJ3281A15 AMPERE-ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN 200 VOLT 250 WATTMotorola
881256MJ3281ACOMEPLEMENTARY NPN-PNP SILIKON-ENERGIE BOPOLAR TRANSISTORMotorola
881257MJ400Zweipolige NPN VorrichtungSemeLAB
881258MJ4030ENERGIE TRANSISTORS(16A, 60-100V, 150w)MOSPEC Semiconductor
881259MJ4030Verbleiter Energie Transistor DarlingtonCentral Semiconductor



881260MJ403060V Darlington mittlerer Leistung komplementären Silizium-TransistorComset Semiconductors
881261MJ4030Darlington PNP Silizium-Leistungstransistor. 60 V, 16 A, 150 W.Motorola
881262MJ4031ENERGIE TRANSISTORS(16A, 60-100V, 150w)MOSPEC Semiconductor
881263MJ4031Verbleiter Energie Transistor DarlingtonCentral Semiconductor
881264MJ403180V Darlington mittlerer Leistung komplementären Silizium-TransistorComset Semiconductors
881265MJ4031Darlington PNP Silizium-Leistungstransistor. 80 V, 16 A, 150 W.Motorola
881266MJ4032ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE DARLINGTON TRANSISTORENST Microelectronics
881267MJ4032ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE DARLINGTON TRANSISTORENSGS Thomson Microelectronics
881268MJ4032ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE DARLINGTON TRANSISTORENSGS Thomson Microelectronics
881269MJ4032ENERGIE TRANSISTORS(16A, 60-100V, 150w)MOSPEC Semiconductor
881270MJ4032Verbleiter Energie Transistor DarlingtonCentral Semiconductor
881271MJ4032100V Darlington mittlerer Leistung komplementären Silizium-TransistorComset Semiconductors
881272MJ4032Darlington PNP Silizium-Leistungstransistor. 100 V, 16 A, 150 W.Motorola
881273MJ4033ENERGIE TRANSISTORS(16A, 60-100V, 150w)MOSPEC Semiconductor
881274MJ4033Verbleiter Energie Transistor DarlingtonCentral Semiconductor
881275MJ403360V Darlington mittlerer Leistung komplementären Silizium-TransistorComset Semiconductors
881276MJ4033Darlington NPN Silizium-Leistungstransistor. 60 V, 16 A, 150 W.Motorola
881277MJ4034ENERGIE TRANSISTORS(16A, 60-100V, 150w)MOSPEC Semiconductor
881278MJ4034Verbleiter Energie Transistor DarlingtonCentral Semiconductor
881279MJ403480V Darlington mittlerer Leistung komplementären Silizium-TransistorComset Semiconductors
881280MJ4034Darlington NPN Silizium-Leistungstransistor. 80 V, 16 A, 150 W.Motorola
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