| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 881401 | MJD127 | SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN 8 AMPERE 100 VOLT 20 WATT | Motorola |
| 881402 | MJD127 | Energie 8A 100V Darlington PNP | ON Semiconductor |
| 881403 | MJD127 | Energie 8A 100V Darlington PNP | ON Semiconductor |
| 881404 | MJD127 | ERGÄNZENDE ENERGIE DARLINGTON TRANSISTOREN | ST Microelectronics |
| 881405 | MJD127 | PNP Darlington-Transistor für hohe Gleichstromverstärkung, 100V, 8A | Samsung Electronic |
| 881406 | MJD127-1 | ERGÄNZENDE ENERGIE DARLINGTON TRANSISTOREN | ST Microelectronics |
| 881407 | MJD127-1 | SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN 8 AMPERE 100 VOLT 20 WATT | Motorola |
| 881408 | MJD127-1 | PNP-Transistor für hohe Gleichstromverstärkung, 100V, 8A | Fairchild Semiconductor |
| 881409 | MJD127-1 | PNP-Transistor für hohe Gleichstromverstärkung, 100V, 8A | ON Semiconductor |
| 881410 | MJD127-1 | PNP Darlington-Transistor für hohe Gleichstromverstärkung, 100V, 8A | Samsung Electronic |
| 881411 | MJD127-1 | PNP Darlington-Transistor für hohe Gleichstromverstärkung, 100V, 5A | SGS Thomson Microelectronics |
| 881412 | MJD127T4 | ERGÄNZENDE ENERGIE DARLINGTON TRANSISTOREN | ST Microelectronics |
| 881413 | MJD127T4 | SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN 8 AMPERE 100 VOLT 20 WATT | Motorola |
| 881414 | MJD127T4 | Energie 8A 100V Darlington PNP | ON Semiconductor |
| 881415 | MJD127T4 | Energie 8A 100V Darlington PNP | ON Semiconductor |
| 881416 | MJD127T4 | PNP-Transistor, für allgemeine Verstärker und Low-Speed ??Schaltanwendungen, 100V, 8A | Fairchild Semiconductor |
| 881417 | MJD127T4 | PNP Darlington-Transistor für hohe Gleichstromverstärkung, 100V, 5A | SGS Thomson Microelectronics |
| 881418 | MJD127TF | PNP Silikon Darlington Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 881419 | MJD128 | PNP Darlington Energie Transistor | ON Semiconductor |
| 881420 | MJD13003-D | Hochspannungs-SWITCHMODE Reihe DPAK Für Oberflächeneinfassung Anwendungen | ON Semiconductor |
| 881421 | MJD148 | NPN Silikon-Energie Transistor | ON Semiconductor |
| 881422 | MJD148-D | NPN Silikon-Energie Transistor DPAK Für Oberflächeneinfassung Anwendungen | ON Semiconductor |
| 881423 | MJD148T4 | NPN Silikon-Energie Transistor | ON Semiconductor |
| 881424 | MJD18002D2 | Bipolar NPN Transistor | ON Semiconductor |
| 881425 | MJD18002D2-D | Zweipoliger NPN Energie Transistor zweipoliger des NPN Transistor-Schnell-, hohen Gewinn-mit integrierter Kollektor-Emitter Diode und Errichten- im leistungsfähigen Antisaturation Netz | ON Semiconductor |
| 881426 | MJD200 | NPN Epitaxial- Silikon-Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 881427 | MJD200 | SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN 5 AMPERE 25 VOLT 12.5 WATT | Motorola |
| 881428 | MJD200 | Ergänzende Plastikenergie Transistoren NPN | ON Semiconductor |
| 881429 | MJD200-1 | SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN 5 AMPERE 25 VOLT 12.5 WATT | Motorola |
| 881430 | MJD200-D | Ergänzendes PlastikSilikon DPAK Der ENERGIE Transistor-NPN/PNP Für Oberflächeneinfassung Anwendungen | ON Semiconductor |
| 881431 | MJD200RL | Ergänzende Plastikenergie Transistoren NPN | ON Semiconductor |
| 881432 | MJD200T4 | SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN 5 AMPERE 25 VOLT 12.5 WATT | Motorola |
| 881433 | MJD200T4 | Ergänzende Plastikenergie Transistoren NPN | ON Semiconductor |
| 881434 | MJD210 | PNP Epitaxial- Silikon-Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 881435 | MJD210 | SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN 5 AMPERE 25 VOLT 12.5 WATT | Motorola |
| 881436 | MJD210 | Energie 5A 25V Getrenntes PNP | ON Semiconductor |
| 881437 | MJD210-1 | SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN 5 AMPERE 25 VOLT 12.5 WATT | Motorola |
| 881438 | MJD210RL | Energie 5A 25V Getrenntes PNP | ON Semiconductor |
| 881439 | MJD210T4 | SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN 5 AMPERE 25 VOLT 12.5 WATT | Motorola |
| 881440 | MJD210T4 | Energie 5A 25V Getrenntes PNP | ON Semiconductor |
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