| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 881201 | MJ21193-D | Transistores De Energía Del Silicio | ON Semiconductor |
| 881202 | MJ21194 | Energía 1Ã 250V NPN | ON Semiconductor |
| 881203 | MJ21194 | Transistor de potencia de silicio | Motorola |
| 881204 | MJ21195 | Energía, 1Ã, 250V, PNP | ON Semiconductor |
| 881205 | MJ21195-D | Transistores De Energía Del Silicio | ON Semiconductor |
| 881206 | MJ21196 | Energía, 1Ã, 250V, NPN | ON Semiconductor |
| 881207 | MJ2194 | transistores de energía complementarios del silicio de 16 amperios 250 voltios 250 vatios | Motorola |
| 881208 | MJ2253 | Dispositivo bipolar de PNP en un paquete hermético sellado del metal TO66. | SemeLAB |
| 881209 | MJ2253 | Dispositivo bipolar de PNP en un paquete hermético sellado del metal TO66. | SemeLAB |
| 881210 | MJ2400 | Energía ICs/Reguladores Actuales Del Inrush (Serie de MJ) | Shindengen |
| 881211 | MJ2400 | Regulador de corriente de irrupción | Shindengen |
| 881212 | MJ2500 | SILICIO COMPLEMENTARIO DE 10 DEL AMPERIO DARLINGTON TRANSISTORES DE ENERGÍA 60,80 VOLTIOS 150 VATIOS | Motorola |
| 881213 | MJ2500 | 60V silicio epitaxial base Darlington | Comset Semiconductors |
| 881214 | MJ2501 | TRANSISTORES COMPLEMENTARIOS DE LA ENERGÍA DARLINGTON DEL SILICIO | ST Microelectronics |
| 881215 | MJ2501 | TRANSISTORES COMPLEMENTARIOS DE LA ENERGÍA DARLINGTON DEL SILICIO | SGS Thomson Microelectronics |
| 881216 | MJ2501 | TRANSISTORES COMPLEMENTARIOS DE LA ENERGÍA DARLINGTON DEL SILICIO | SGS Thomson Microelectronics |
| 881217 | MJ2501 | 80V silicio epitaxial base Darlington | Comset Semiconductors |
| 881218 | MJ2501 | Mediano aumento complementario de transistores de silicio | Motorola |
| 881219 | MJ2501 | Medio-Power complementarias Silicon Transistores | ON Semiconductor |
| 881220 | MJ2501-D | Transistores Complementarios Del Silicio De la Medio-Energi'a | ON Semiconductor |
| 881221 | MJ2812 | 32 PALABRAS X MEMORIA De 8 PEDACITOS Primero en entrar, primero en salir | Zarlink Semiconductor |
| 881222 | MJ2955 | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO | ST Microelectronics |
| 881223 | MJ2955 | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO | SGS Thomson Microelectronics |
| 881224 | MJ2955 | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO | SGS Thomson Microelectronics |
| 881225 | MJ2955 | ENERGÍA TRANSISTORS(1Ä, 50v, 115w) | MOSPEC Semiconductor |
| 881226 | MJ2955 | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO | Boca Semiconductor Corporation |
| 881227 | MJ2955 | C.C. PLANAR DEL AMPLIFICADOR DE ENERGÍA DEL SILICIO TRANSISTOR(AUDIO DE PNP AL CONVERTIDOR DE LA C.C.) | Wing Shing Computer Components |
| 881228 | MJ2955 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 881229 | MJ2955 | Ç$ä 60V PNP Discreto De la Energía | ON Semiconductor |
| 881230 | MJ2955 | 115.000W Potencia PNP metal puede transistor. 60V VCEO, 15.000A Ic, 5 hFE. | Continental Device India Limited |
| 881231 | MJ2955 | Silicio PNP epitaxial-base del transistor de alta potencia. -100V, 150W. | General Electric Solid State |
| 881232 | MJ2955 | Transistor de potencia de silicio Complementaria | Motorola |
| 881233 | MJ2955 | PNP transistor de alta potencia. Diseñado para la conmutación de uso general y aplicación amplificador. VCEO = 60 Vdc, Vcer = 70 Vcc, Vcb = 100Vdc Ic = 15Adc, PD = 115W. | USHA India LTD |
| 881234 | MJ2955A | ENERGÍA TRANSISTORS(1Ä) | MOSPEC Semiconductor |
| 881235 | MJ2955A | TRANSISTORES De alta potencia del SILICIO COMPLEMENTARIO | Boca Semiconductor Corporation |
| 881236 | MJ2955A | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO DE 15 AMPERIOS 60, 120 VOLTIOS 115, 180 VATIOS | Motorola |
| 881237 | MJ3000 | SILICIO COMPLEMENTARIO DE 10 DEL AMPERIO DARLINGTON TRANSISTORES DE ENERGÍA 60,80 VOLTIOS 150 VATIOS | Motorola |
| 881238 | MJ3000 | 60V silicio epitaxial base Darlington | Comset Semiconductors |
| 881239 | MJ3001 | TRANSISTORES COMPLEMENTARIOS DE LA ENERGÍA DARLINGTON DEL SILICIO | ST Microelectronics |
| 881240 | MJ3001 | TRANSISTORES COMPLEMENTARIOS DE LA ENERGÍA DARLINGTON DEL SILICIO | SGS Thomson Microelectronics |
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