|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



2N5551 изготавливается путем:English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página
Информация для частей производства National SemiconductorДержатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN Общего назначения

Другие с той же файл данные:
MMBT5551,
скачать 2N5551 лист данных ( datasheet ) от
National Semiconductor
PDF
71 kb
Информация для частей производства Central SemiconductorОсвинцованное Малое General purpose Транзистора Сигнала

Другие с той же файл данные:
2N5550,
скачать 2N5551 лист данных ( datasheet ) от
Central Semiconductor
pdf
69 kb
Информация для частей производства Fairchild SemiconductorДержатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN Общего назначения скачать 2N5551 лист данных ( datasheet ) от
Fairchild Semiconductor
pdf
472 kb
Информация для частей производства AUK CorpТранзистор кремния NPN (применение общего назначения усилителя высоковольтное) скачать 2N5551 лист данных ( datasheet ) от
AUK Corp
pdf
203 kb
Информация для частей производства Continental Device India Limited0.625W общего назначения NPN Пластиковые выводами транзистора. 160V VCEO, 0.600A Ic, 80 - HFE скачать 2N5551 лист данных ( datasheet ) от
Continental Device India Limited
pdf
218 kb
Информация для частей производства Korea Electronics (KEC)Высоковольтный Кремний Transistor(PNP) скачать 2N5551 лист данных ( datasheet ) от
Korea Electronics (KEC)
pdf
70 kb
Информация для частей производства Micro ElectronicsТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ

Другие с той же файл данные:
2N5401, 2N5400,
скачать 2N5551 лист данных ( datasheet ) от
Micro Electronics
pdf
171 kb
Информация для частей производства Boca Semiconductor CorporationТРАНЗИСТОР ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ скачать 2N5551 лист данных ( datasheet ) от
Boca Semiconductor Corporation
pdf
61 kb
Информация для частей производства USHA India LTDТранзисторов усилителя. Напряжение коллектор-эмиттер: 160V = VCEO. Напряжения коллектор-база: 180V = VCBO. Рассеиваемая Коллекционер: ПК (ма скачать 2N5551 лист данных ( datasheet ) от
USHA India LTD
pdf
80 kb
Информация для частей производства PhilipsТранзисторы NPN высоковольтные скачать 2N5551 лист данных ( datasheet ) от
Philips
pdf
53 kb
Информация для частей производства Honey TechnologyТранзистор кремния NPN эпитаксиальный плоскостной для применений переключения и усилителя af

Другие с той же файл данные:
HN5550, HN5551,
скачать 2N5551 лист данных ( datasheet ) от
Honey Technology
pdf
135 kb
Информация для частей производства SemtechТранзистор Expitaxial кремния NPN плоскостной для применений усилителя общееа назначение высоковольтных скачать 2N5551 лист данных ( datasheet ) от
Semtech
pdf
134 kb
Информация для частей производства MotorolaКремний Транзисторов NPN Усилителя скачать 2N5551 лист данных ( datasheet ) от
Motorola
pdf
194 kb
Информация для частей производства ON SemiconductorМалый Усилитель NPN Сигнала

Другие с той же файл данные:
2N5551ZL1, 2N5551RLRP, 2N5551RLRM, 2N5551RLRA, 2N5551RL1,
скачать 2N5551 лист данных ( datasheet ) от
ON Semiconductor
pdf
78 kb
2N5550_J24ZПосмотреть 2N5551 в наш каталог2N5551BU



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com