 |
|
| | Главная страница | Все производители | В функции | |
|
| Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
| 2SC3072 изготавливается путем: | 
|
 | Применений вспышки строба типа кремния NPN транзистора применения усилителя силы эпитаксиальных (процесса pct) средств | скачать 2SC3072 лист данных ( datasheet ) от TOSHIBA |
pdf 151 kb |
| 2SC3071 | Посмотреть 2SC3072 в наш каталог | 2SC3073 |