|
| Главная страница | Все производители | В функции | |
|
Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
BD537 изготавливается путем: |
Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный - Высоковольтный Транзистор | скачать BD537 лист данных ( datasheet ) от Fairchild Semiconductor |
pdf 43 kb |
|
КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ Другие с той же файл данные: BD533, BD534, BD535, BD536, BD538, |
скачать BD537 лист данных ( datasheet ) от ST Microelectronics |
pdf 64 kb |
|
50.000W средней мощности NPN Пластиковые выводами транзистора. 80V VCEO, 8.000A Ic, 15 HFE. Другие с той же файл данные: BD533J, BD533K, |
скачать BD537 лист данных ( datasheet ) от Continental Device India Limited |
pdf 30 kb |
|
Эпитаксиальное-база кремния NPN VERSAWATT транзистор. 80V, 50W. | скачать BD537 лист данных ( datasheet ) от General Electric Solid State |
pdf 201 kb |
|
КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | скачать BD537 лист данных ( datasheet ) от SGS Thomson Microelectronics |
pdf 50 kb |
|
КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | скачать BD537 лист данных ( datasheet ) от SGS Thomson Microelectronics |
pdf 50 kb |
|
дополняют кремния NPN пластик силового транзистора. 80 V, 4, 50 Вт | скачать BD537 лист данных ( datasheet ) от Motorola |
pdf 193 kb |
BD536J | Посмотреть BD537 в наш каталог | BD537J |