|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 6433 | 6434 | 6435 | 6436 | 6437 | 6438 | 6439 | 6440 | 6441 | 6442 | 6443 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
257481BD536JТранзистор Кремния PNP Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
257482BD537Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
257483BD537КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯST Microelectronics
257484BD537КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯSGS Thomson Microelectronics
257485BD537КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯSGS Thomson Microelectronics
257486BD53750.000W средней мощности NPN Пластиковые выводами транзистора. 80V VCEO, 8.000A Ic, 15 HFE.Continental Device India Limited
257487BD537Эпитаксиальное-база кремния NPN VERSAWATT транзистор. 80V, 50W.General Electric Solid State
257488BD537дополняют кремния NPN пластик силового транзистора. 80 V, 4, 50 ВтMotorola
257489BD537JТранзистор Кремния NPN Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
257490BD538Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
257491BD538КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯST Microelectronics
257492BD538КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯSGS Thomson Microelectronics
257493BD538КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯSGS Thomson Microelectronics
257494BD53850.000W средней мощности PNP Пластиковые выводами транзистора. 80V VCEO, 8.000A Ic, 15 HFE.Continental Device India Limited
257495BD538Эпитаксиальное-база кремния PNP VERSAWATT транзистор. -80V, 50W.General Electric Solid State
257496BD538дополняют кремния PNP пластик силового транзистора. 80 V, 4, 50 ВтMotorola
257497BD538JТранзистор Кремния PNP Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
257498BD538KТранзистор Кремния PNP Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
257499BD538KTUТранзистор Кремния PNP Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
257500BD539ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPNPower Innovations
257501BD539AТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPNPower Innovations
257502BD539BТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPNPower Innovations
257503BD539CТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPNPower Innovations
257504BD539DТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPNPower Innovations
257505BD53XXFVEIC ДЕТЕКТОРА НАПРЯЖЕНИЯ ТОКАetc
257506BD53XXFVEIC ДЕТЕКТОРА НАПРЯЖЕНИЯ ТОКАetc
257507BD53XXGIC ДЕТЕКТОРА НАПРЯЖЕНИЯ ТОКАROHM
257508BD540ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ PNPPower Innovations
257509BD540AТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ PNPPower Innovations
257510BD540BТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ PNPPower Innovations
257511BD540CТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ PNPPower Innovations
257512BD543ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPNPower Innovations
257513BD543AТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPNPower Innovations
257514BD543BТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPNPower Innovations
257515BD543CТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPNPower Innovations
257516BD544ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ PNPPower Innovations
257517BD544ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ PNPTRSYS
257518BD54440 V PNP Silicon Power TransistorTRANSYS Electronics Limited
257519BD544AТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ PNPPower Innovations
257520BD544AТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ PNPTRSYS
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 6433 | 6434 | 6435 | 6436 | 6437 | 6438 | 6439 | 6440 | 6441 | 6442 | 6443 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com