Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
257601 | BD616LV4017EC-55 | Очень низкий бит 16 Power/Voltage cmos
SRAM 256K x | Brilliance Semiconductor |
257602 | BD616LV4017EC-70 | Очень низкий бит 16 Power/Voltage cmos
SRAM 256K x | Brilliance Semiconductor |
257603 | BD616LV4017EC-70 | Очень низкий бит 16 Power/Voltage cmos
SRAM 256K x | Brilliance Semiconductor |
257604 | BD616LV4017ECG55 | Очень низкий бит 16 Power/Voltage cmos
SRAM 256K x | Brilliance Semiconductor |
257605 | BD616LV4017ECG55 | Очень низкий бит 16 Power/Voltage cmos
SRAM 256K x | Brilliance Semiconductor |
257606 | BD616LV4017ECG70 | Очень низкий бит 16 Power/Voltage cmos
SRAM 256K x | Brilliance Semiconductor |
257607 | BD616LV4017ECG70 | Очень низкий бит 16 Power/Voltage cmos
SRAM 256K x | Brilliance Semiconductor |
257608 | BD616LV4017ECP55 | Очень низкий бит 16 Power/Voltage cmos
SRAM 256K x | Brilliance Semiconductor |
257609 | BD616LV4017ECP55 | Очень низкий бит 16 Power/Voltage cmos
SRAM 256K x | Brilliance Semiconductor |
257610 | BD616LV4017ECP70 | Очень низкий бит 16 Power/Voltage cmos
SRAM 256K x | Brilliance Semiconductor |
257611 | BD616LV4017ECP70 | Очень низкий бит 16 Power/Voltage cmos
SRAM 256K x | Brilliance Semiconductor |
257612 | BD616LV4017EI-55 | Очень низкий бит 16 Power/Voltage cmos
SRAM 256K x | Brilliance Semiconductor |
257613 | BD616LV4017EI-55 | Очень низкий бит 16 Power/Voltage cmos
SRAM 256K x | Brilliance Semiconductor |
257614 | BD616LV4017EI-70 | Очень низкий бит 16 Power/Voltage cmos
SRAM 256K x | Brilliance Semiconductor |
257615 | BD616LV4017EI-70 | Очень низкий бит 16 Power/Voltage cmos
SRAM 256K x | Brilliance Semiconductor |
257616 | BD616LV4017EIG55 | Очень низкий бит 16 Power/Voltage cmos
SRAM 256K x | Brilliance Semiconductor |
257617 | BD616LV4017EIG55 | Очень низкий бит 16 Power/Voltage cmos
SRAM 256K x | Brilliance Semiconductor |
257618 | BD616LV4017EIG70 | Очень низкий бит 16 Power/Voltage cmos
SRAM 256K x | Brilliance Semiconductor |
257619 | BD616LV4017EIG70 | Очень низкий бит 16 Power/Voltage cmos
SRAM 256K x | Brilliance Semiconductor |
257620 | BD616LV4017EIP55 | Очень низкий бит 16 Power/Voltage cmos
SRAM 256K x | Brilliance Semiconductor |
257621 | BD616LV4017EIP55 | Очень низкий бит 16 Power/Voltage cmos
SRAM 256K x | Brilliance Semiconductor |
257622 | BD616LV4017EIP70 | Очень низкий бит 16 Power/Voltage cmos
SRAM 256K x | Brilliance Semiconductor |
257623 | BD616LV4017EIP70 | Очень низкий бит 16 Power/Voltage cmos
SRAM 256K x | Brilliance Semiconductor |
257624 | BD617 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ EPIBASE NPN | Siemens |
257625 | BD617 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ EPIBASE PNP | Siemens |
257626 | BD618 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ EPIBASE PNP | Siemens |
257627 | BD619 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ EPIBASE NPN | Siemens |
257628 | BD619 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ EPIBASE PNP | Siemens |
257629 | BD620 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ EPIBASE PNP | Siemens |
257630 | BD621 | PNP высоковольтный транзистор. | Philips |
257631 | BD623 | PNP высоковольтный транзистор. | Philips |
257632 | BD643 | Mocy Tranzystor ma.ej cz?otliwo.ci
du.ej | Ultra CEMI |
257633 | BD643 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ DARLINGTON NPN | Siemens |
257634 | BD643 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ DARLINGTON PNP | Siemens |
257635 | BD643 | 8 NPN Дарлингтон мощный транзистор. 45 В. 70 В. Усиление 750 на 3 А. | General Electric Solid State |
257636 | BD644 | Mocy Tranzystor ma.ej cz?otliwo.ci
du.ej | Ultra CEMI |
257637 | BD644 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ DARLINGTON PNP | Siemens |
257638 | BD644 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ DARLINGTON NPN | Siemens |
257639 | BD644 | 60V кремния NPN daelington мощный транзистор | Comset Semiconductors |
257640 | BD645 | Mocy Tranzystor ma.ej cz?otliwo.ci
du.ej | Ultra CEMI |
| | | |