 |
|
| | Главная страница | Все производители | В функции | |
|
| Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
| IRF630S изготавливается путем: | 
|
 | 200V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak Другие с той же файл данные: IRF630SPBF, IRF630STRL, IRF630STRR, |
скачать IRF630S лист данных ( datasheet ) от International Rectifier |
pdf 185 kb |
 | транзистор TrenchMOS Н-kanala | скачать IRF630S лист данных ( datasheet ) от Philips |
pdf 102 kb |
 | Н - КАНАЛ 200V - Mosfet ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ 0.35 Омов -9A-D 2 PAK | скачать IRF630S лист данных ( datasheet ) от SGS Thomson Microelectronics |
pdf 90 kb |
 | Н - КАНАЛ 200V - 0.35Јohm - 9A - Mosfet ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ D2PAK ] | скачать IRF630S лист данных ( datasheet ) от ST Microelectronics |
pdf 88 kb |
| IRF630NSTRR | Посмотреть IRF630S в наш каталог | IRF630SPBF |