Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
201 | HBC848 | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
202 | HBC856 | ТРАНЗИСТОР PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
203 | HBC857 | ТРАНЗИСТОР PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
204 | HBC858 | ТРАНЗИСТОР PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
205 | HBCW65C | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
206 | HBD136 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ PNP | Hi-Sincerity Microelectronics |
207 | HBD139 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ NPN | Hi-Sincerity Microelectronics |
208 | HBD140 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ PNP | Hi-Sincerity Microelectronics |
209 | HBD237 | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
210 | HBD238 | ТРАНЗИСТОР PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
211 | HBD437T | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | Hi-Sincerity Microelectronics |
212 | HBD438T | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | Hi-Sincerity Microelectronics |
213 | HBD675 | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
214 | HBD677 | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
215 | HBD678 | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
216 | HBF422 | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
217 | HBF423 | ТРАНЗИСТОР PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
218 | HBF4522D | ТРАНЗИСТОР ВТРОЙНЕ ДИФФУЗИИ NPN ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
219 | HBT134I | 600мА 4V симистор | Hi-Sincerity Microelectronics |
220 | HBT136AE | УПРАВЛЕНИЕ ТРИАКА ИМПОМ УЛЬС ТРАНСФОРМАТОРОМ | Hi-Sincerity Microelectronics |
221 | HBT139DE | Триак 3 Квадрантов | Hi-Sincerity Microelectronics |
222 | HBT169M | ТИРИСТОРЫ И ТРИАКИ, ВАЖНЫЙ ПАРАМЕТР - ТЕЧЕНИЕ
УДЕРЖИВАНИЯ | Hi-Sincerity Microelectronics |
223 | HBU406 | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
224 | HBU407 | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
225 | HBZX55C10 | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | Hi-Sincerity Microelectronics |
226 | HBZX55C11 | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | Hi-Sincerity Microelectronics |
227 | HBZX55C12 | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | Hi-Sincerity Microelectronics |
228 | HBZX55C13 | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | Hi-Sincerity Microelectronics |
229 | HBZX55C15 | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | Hi-Sincerity Microelectronics |
230 | HBZX55C16 | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | Hi-Sincerity Microelectronics |
231 | HBZX55C18 | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | Hi-Sincerity Microelectronics |
232 | HBZX55C20 | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | Hi-Sincerity Microelectronics |
233 | HBZX55C22 | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | Hi-Sincerity Microelectronics |
234 | HBZX55C24 | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | Hi-Sincerity Microelectronics |
235 | HBZX55C27 | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | Hi-Sincerity Microelectronics |
236 | HBZX55C2V4 | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | Hi-Sincerity Microelectronics |
237 | HBZX55C2V7 | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | Hi-Sincerity Microelectronics |
238 | HBZX55C30 | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | Hi-Sincerity Microelectronics |
239 | HBZX55C33 | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | Hi-Sincerity Microelectronics |
240 | HBZX55C36 | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | Hi-Sincerity Microelectronics |
241 | HBZX55C39 | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | Hi-Sincerity Microelectronics |
242 | HBZX55C3V0 | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | Hi-Sincerity Microelectronics |
243 | HBZX55C3V3 | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | Hi-Sincerity Microelectronics |
244 | HBZX55C3V6 | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | Hi-Sincerity Microelectronics |
245 | HBZX55C3V9 | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | Hi-Sincerity Microelectronics |
246 | HBZX55C43 | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | Hi-Sincerity Microelectronics |
247 | HBZX55C47 | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | Hi-Sincerity Microelectronics |
248 | HBZX55C4V3 | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | Hi-Sincerity Microelectronics |
249 | HBZX55C4V7 | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | Hi-Sincerity Microelectronics |
250 | HBZX55C5V1 | ДИОДЫ ZENER ПРЕССФОРМА 3-WTYRE1 200
mW МИНИАЯ | Hi-Sincerity Microelectronics |
| | | |