|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29303 | 29304 | 29305 | 29306 | 29307 | 29308 | 29309 | 29310 | 29311 | 29312 | 29313 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
1172281STK795Регулятор Напряжения тока Типа ТяпкиSANYO
1172282STK8250ЭТАП ВЫХОДА УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ 50W МИНИМАЛЬНЫЙ AF (D.P.P.)SANYO
1172283STK830FПредварительный Mosfet СилыAUK Corp
1172284STK830FCПредварительный Mosfet СилыAUK Corp
1172285STK85C1612,5-3,5 В, ЖК контроллерSyntek Semiconductor
1172286STK88C24412,5-5,5 В, голос контроллерSyntek Semiconductor
1172287STK88C40502,5-5,5 В, голос контроллерSyntek Semiconductor
1172288STK88C48312,5-3,5 В, голос контроллерSyntek Semiconductor
1172289STKM2000МЕТАЛЛ BiCMOS 2m/2 POLY/2 СМЕШАЛ КЛЕТКИ СТАНДАРТА ANALOG-DIGITALST Microelectronics
1172290STKM2000КЛЕТКИ СТАНДАРТА МЕТАЛЛА BiCMOS СМЕШАННЫЕ ANALOG-DIGITAL 2m/2 POLY/2SGS Thomson Microelectronics
1172291STKM2000-SERIES2 МЕТАЛЛ BiCMOS m/2 POLY/2, СМЕШАННЫЕ КЛЕТКИ СТАНДАРТА ANALOG-DIGITALSGS Thomson Microelectronics
1172292STL100N10F7N-канальный 100 В, 0.0062 Ом тип., 19 STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в PowerFLAT (TM) 5x6 пакетST Microelectronics
1172293STL100N1VH5N-канальный 12 V, 0,0022 Ом тип., 25 STripFET (TM) V Мощность MOSFET в PowerFLAT (TM) 5x6 пакетST Microelectronics
1172294STL100N6LF6N-канальный 60 V, 0,0038 Ом тип., 22 STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в PowerFLAT (TM) 5x6 пакетST Microelectronics
1172295STL105NS3LLH7N-канальный 30 В, 0.0032 Ом тип., 27 STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Полевые транзисторы плюс монолитный Шоттки в PowerFLAT (TM) 5x6ST Microelectronics
1172296STL10DN15F3N-канальный 150 В, 0,20 Ом тип., 2,8 STripFET (TM) III Мощность MOSFET в PowerFLAT (TM) 5x6 двойной пакет островST Microelectronics
1172297STL10N3LLH5N-канальный 30 В, 0,015 Ом, 9, PowerFLAT (TM) 3.3x3.3 STripFET (TM) V Мощность MOSFETST Microelectronics
1172298STL10N60M2N-канальный 600 В, 0,58 Ом тип., 5,5 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в PowerFLAT (TM) 5x6 HV пакетаST Microelectronics
1172299STL110N10F7N-канальный 100 В, 0,0063 Ом тип., 100 STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в 5х6 пакета PowerFLATST Microelectronics
1172300STL110NS3LLH7N-канальный 30 В, 0,0027 Ом тип., 28 STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Полевые транзисторы плюс монолитный Шоттки в PowerFLAT (TM) 5x6ST Microelectronics
1172301STL11N3LLH6N-канальный 30 В, 0,006 Ом тип., 11 STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в PowerFLAT (TM) 3,3 х 3,3 пакетST Microelectronics
1172302STL11N4LLF5N-канальный 40 В, 9,1 мОм ном., 15 STripFET (TM) V в PowerFLAT (TM) 3.3x3.3 пакетаST Microelectronics
1172303STL120N2VH5N-канальный 20 В, 0,002 Ом, 28 STripFET (TM) V Мощность MOSFET в PowerFLAT (TM) 5x6 пакетST Microelectronics
1172304STL128DВысокое напряжение быстрое переключение NPN транзистор питанияST Microelectronics
1172305STL128DNВысокое напряжение быстрой коммутации NPN транзистор питанияST Microelectronics
1172306STL128DNFPВысокое напряжение быстрой коммутации NPN транзистор питанияST Microelectronics
1172307STL12N65M5N-канальный 650 В, 0,475 Ом тип., 8,5 MDmesh (TM) V Мощность MOSFET в PowerFLAT (TM) 5x6 HV пакетST Microelectronics
1172308STL12P6F6P-канальный 60 В, 0,13 Ом тип., 3 STripFET F6 питания MOSFET в 5х6 пакета PowerFLATST Microelectronics
1172309STL130N8F7N-канальный 80 V, 3 мОм ном., 130 STripFET F7 питания MOSFET в 5х6 пакета PowerFLATST Microelectronics
1172310STL13DP10F6Dual P-канальный 100 В, 0,136 Ом тип., 3,3 STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в PowerFLAT (TM) 5x6 двойной островST Microelectronics
1172311STL13N60M2N-канальный 600 В, 0,39 Ом тип., 7 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в PowerFLAT 5x6 HV пакетаST Microelectronics
1172312STL13NM60NN-канальный 600 В, 0,320 Ом тип., 10 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в PowerFLAT (TM) 8x8 HV пакетST Microelectronics
1172313STL140N4LLF5N-канальный 40 V, 0,00275 Ом, 32, PowerFLAT (TM) 5x6 STripFET (TM) V Мощность MOSFETST Microelectronics
1172314STL150N3LLH5N-канальный 30 В, 0.0014 Ом тип., 35 STripFET (TM) V Мощность MOSFET в PowerFLAT (TM) 5x6 пакетST Microelectronics
1172315STL150N3LLH6N-канальный 30 В, 0,0016 Ом тип., 33 STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в PowerFLAT (TM) 5x6 пакетST Microelectronics
1172316STL15DN4F5Автомобильная класса двойного N-канальный 40 В, 8 мОм ном., 15 STripFET F5 питания MOSFET в PowerFLAT 5x6 двойной упаковке островаST Microelectronics
1172317STL15N65M5N-канальный 650 В, 0,335 Ом тип., 10 MDmesh (TM) V Мощность MOSFET в PowerFLAT (TM) 5x6 HV пакетST Microelectronics
1172318STL160N3LLH6N-канальный 30 В, 0.0011 Ом тип., 45 STripFET (TM) H6 питания MOSFET в PowerFLAT (TM) 5x6 пакетST Microelectronics
1172319STL160NS3LLH7N-канальный 30 В, 0,0016 Ом тип., 160 A STripFET H7 Полевые транзисторы плюс монолитный Шоттки в PowerFLAT (TM) 5x6 пакетST Microelectronics
1172320STL16N65M5N-канальный 650 В, 0,27 Ом тип., 2 MDmesh (TM) V мощность MOSFET в PowerFLAT (TM) 8x8 HV пакетST Microelectronics
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29303 | 29304 | 29305 | 29306 | 29307 | 29308 | 29309 | 29310 | 29311 | 29312 | 29313 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com