|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29304 | 29305 | 29306 | 29307 | 29308 | 29309 | 29310 | 29311 | 29312 | 29313 | 29314 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
1172321STL17N3LLH6N-канальный 30 В, 0,0038 Ом тип., 17 STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в PowerFLAT (TM) 3,3 х 3,3 пакетST Microelectronics
1172322STL17N65M5N-канальный 650 В, 0,338 Ом тип., 10 MDmesh (TM) V Мощность MOSFET в PowerFLAT (TM) 8x8 HV пакетST Microelectronics
1172323STL18N3LLH7N-канальный, 0,0034 Ом тип., 18 STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в PowerFLAT (TM) 3,3 х 3,3 Пакет 30 VST Microelectronics
1172324STL18N55M5N-канальный 550 В, 0,205 Ом тип., 13 MDmesh (TM) V Мощность MOSFET в PowerFLAT (TM) 8x8 HV пакетST Microelectronics
1172325STL18N60M2N-канальный 600 В, 0,278 Ом тип., 9 MDmesh M2 питания MOSFET в PowerFLAT 5x6 HV пакетаST Microelectronics
1172326STL18N65M5N-канальный 650 В, 0,215 Ом тип, 15 MDmesh (TM) V Мощность MOSFET в PowerFLAT (TM) 5x6 HV пакетST Microelectronics
1172327STL18NM60NN-канальный 600 В, 0,260 Ом тип., 6 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в PowerFLAT (TM) 8x8 HV пакетST Microelectronics
1172328STL19N65M5N-канальный 650 В, 0,215 Ом тип., 12,5 MDmesh (TM) V мощность MOSFET в PowerFLAT (TM) 8x8 HV пакетаST Microelectronics
1172329STL20DN10F7Dual N-канальный 100 В, 0,065 Ом тип., 5 STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в PowerFLAT (TM) 5x6 двойной островST Microelectronics
1172330STL20NM20NMOSFET ОБЯЗАННОСТИ MDMESH II СТРОБА ОМА 20A POWERFLAT N-CHANNEL 200V 0.11 УЛЬТРА НИЗКИЙST Microelectronics
1172331STL21N65M5N-канальный 650 В, 0,175 Ом, 2,7 PowerFLAT (TM) 8x8 HV MDmesh (TM) V мощность MOSFETST Microelectronics
1172332STL220N3LLH7N-канальный 30 V, 0,00085 Ом тип., 50 STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в PowerFLAT (TM) 5x6 пакетST Microelectronics
1172333STL22N65M5N-канальный 650 В, 0,198 Ом тип., 15 MDmesh (TM) V Мощность MOSFET в PowerFLAT 8x8 HV пакетаST Microelectronics
1172334STL22NF10MOSFET ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET II СТРОБА ОМА 22ЈA POWERFLAT N-CHANNEL 100V 0.055 НИЗКИЙST Microelectronics
1172335STL22NF10MOSFET ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET II СТРОБА ОМА 22ЈA POWERFLAT N-CHANNEL 100V 0.065 НИЗКИЙSGS Thomson Microelectronics
1172336STL23NM50NN-канальный 500 В, 0,170 Ом тип., 14 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в PowerFLAT (TM) 8x8 HV пакетST Microelectronics
1172337STL23NM60NDN-канальный 600 В, 0,175 Ом, 19,5, FDmesh (TM) II Мощность MOSFET (с быстрым диодом) в PowerFLAT (TM) 8x8 HV пакетаST Microelectronics
1172338STL23NS3LLH7N-канальный 30 В, 0,0027 Ом тип., 23 STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Мощность MOSFET плюс монолитный Шоттки в PowerFLAT (TM) 3,3 х 3,3ST Microelectronics
1172339STL24N60M2N-канальный 600 В, 0,186 Ом тип., 18 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в PowerFLAT 8x8 HV пакетаST Microelectronics
1172340STL24NM60NN-канальный 600 В, 0,200 Ом тип., 16 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в PowerFLAT (TM) 8x8 HV пакетST Microelectronics
1172341STL25DN10F7Dual N-канальный 100 В, 0,068 Ом тип., 5 STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в PowerFLAT (TM) 5x6 двойной пакет островST Microelectronics
1172342STL260N3LLH6N-канальный 30 В, 0.0011 Ом тип., 260 STripFET H6 питания MOSFET в 5х6 пакета PowerFLATST Microelectronics
1172343STL26NM60NN-канальный 600 В, 0,160 Ом тип., 19 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в PowerFLAT (TM) 8x8 HV пакетST Microelectronics
1172344STL27N15N-CHANNEL 150V - 0.045 ОМА - MOSFET ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА 27A POWERFLAT НИЗКИЙST Microelectronics
1172345STL28NF3LLMOSFET ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET II СТРОБА ОМА 28ЈA POWERFLAT N-CHANNEL 30V 0.0055 НИЗКИЙST Microelectronics
1172346STL28NF3LLMOSFET ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET II СТРОБА ОМА 28ЈA POWERFLAT N-CHANNEL 30V 0.0055 НИЗКИЙSGS Thomson Microelectronics
1172347STL2N80K5N-канальный 800 В, 3,7 Ом тип., 2 MDmesh K5 мощность MOSFET в PowerFLAT 5x6 ОВН пакетаST Microelectronics
1172348STL30N10F7N-канальный 100 В, 0,027 Ом тип., 8 STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в PowerFLAT (TM) 5x6 пакетST Microelectronics
1172349STL30NF3LLMOSFET ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET II СТРОБА ОМА 30A POWERFLAT N-CHANNEL 30V 0.006 НИЗКИЙST Microelectronics
1172350STL30NF3LLMOSFET ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET II СТРОБА ОМА 30A POWERFLAT N-CHANNEL 30V 0.006 НИЗКИЙSGS Thomson Microelectronics
1172351STL30P3LLH6P-канальный 30 В, 0,024 Ом тип., 30 STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в PowerFLAT (TM) 5x6 пакетST Microelectronics
1172352STL31N65M5N-канальный 650 В, 0,135 Ом тип., 15 MDmesh (TM) V Мощность MOSFET в PowerFLAT (TM) 8x8 HV пакетST Microelectronics
1172353STL33N60M2N-канальный 600 В, 0,115 Ом тип., 21,5 MDmesh M2 питания MOSFET в PowerFLAT (TM) 8x8 HV пакетST Microelectronics
1172354STL34N65M5N-канальный 650 В, 0,99 Ом тип., 22,5, MDmesh (TM) V Мощность MOSFET в PowerFLAT 8x8 HVST Microelectronics
1172355STL34NF06MOSFET ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET II СТРОБА ОМА 34ЈA POWERFLAT N-CHANNEL 60V 0.024 НИЗКИЙST Microelectronics
1172356STL35N6F3N-канальный 60 В, 0,019 Ом, 10 STripFET (TM) III Мощность MOSFET в PowerFLAT (TM) 5x6 пакетST Microelectronics
1172357STL35NF10MOSFET ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET II СТРОБА ОМА 35ЈA POWERFLAT N-CHANNEL 100V 0.025 НИЗКИЙST Microelectronics
1172358STL35NF10MOSFET ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET II СТРОБА ОМА 35ЈA POWERFLAT N-CHANNEL 100V 0.025 НИЗКИЙSGS Thomson Microelectronics
1172359STL35NF3LLMOSFET ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА ОМА 35ЈA POWERFLAT N-CHANNEL 30V 0.0055 НИЗКИЙST Microelectronics
1172360STL35NF3LLMOSFET ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА ОМА 35ЈA POWERFLAT N-CHANNEL 30V 0.0055 НИЗКИЙSGS Thomson Microelectronics
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29304 | 29305 | 29306 | 29307 | 29308 | 29309 | 29310 | 29311 | 29312 | 29313 | 29314 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com