| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 251321 | BC817-25W | Дискретная - биполярные транзисторы - транзистор (БЮТ) Мастер Table - Транзисторы 30V в 50V | Diodes |
| 251322 | BC817-40 | Транзисторы general purpose NPN | Philips |
| 251323 | BC817-40 | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | National Semiconductor |
| 251324 | BC817-40 | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 251325 | BC817-40 | МАЛЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИГНАЛА NPN | ST Microelectronics |
| 251326 | BC817-40 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ SOT23 NPN
ПЛОСКОСТНЫЕ СРЕДСТВ | Zetex Semiconductors |
| 251327 | BC817-40 | Двухполярные Транзисторы | Diodes |
| 251328 | BC817-40 | Общего назначения транзисторы - транзистор af
кремния NPN для вообще применений af | Infineon |
| 251329 | BC817-40 | МАЛЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИГНАЛА NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 251330 | BC817-40 | Транзисторы af кремния NPN (высокое
напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера в настоящее время
увеличения низкое) | Siemens |
| 251331 | BC817-40 | Транзистор 310mW Сигнала NPN Малый | Micro Commercial Components |
| 251332 | BC817-40 | Транзисторы, Rf & Af | Vishay |
| 251333 | BC817-40 | Поверхностный держатель Кремни-3pitaksial6noe
PlanarTransistors | Diotec Elektronische |
| 251334 | BC817-40 | ТРАНЗИСТОР СИГНАЛА ДЕРЖАТЕЛЯ ПОВЕРХНОСТИ NPN
МАЛЫЙ | TRSYS |
| 251335 | BC817-40 | , 500 мА NPN транзисторы 45 V общего назначения | NXP Semiconductors |
| 251336 | BC817-40 | 0.250W общего назначения NPN SMD транзистор. 45V VCEO, 0.500A Ic, 250 - 600 HFE. Дополнительные BC807-40 | Continental Device India Limited |
| 251337 | BC817-40 | Слабый сигнал транзистора (NPN) | General Semiconductor |
| 251338 | BC817-40 | Ic = 800mA, Vce = 1,0 транзистор | MCC |
| 251339 | BC817-40 | NPN поверхностного монтажа небольшой сигнала транзистор | TRANSYS Electronics Limited |
| 251340 | BC817-40-7 | ТРАНЗИСТОР СИГНАЛА ДЕРЖАТЕЛЯ ПОВЕРХНОСТИ NPN
МАЛЫЙ | Diodes |
| 251341 | BC817-40-7-F | Биполярные транзисторы | Diodes |
| 251342 | BC817-40-G | Общего назначения Транзистор, V СВО = 50В, V CEO = 45В, V EBO = 5В, я C = 0.5A | Comchip Technology |
| 251343 | BC817-40L | Пластмасса Транзистора Кремния | ON Semiconductor |
| 251344 | BC817-40LT1 | Общего назначения Кремний Transistors(NPN) | Leshan Radio Company |
| 251345 | BC817-40LT1 | СЛУЧАЙ 318-08, ВВОДИТ 6 SOT-23 В МОДУ
(TO-236ЈAB) | Motorola |
| 251346 | BC817-40LT1 | Пластмасса Транзистора Кремния | ON Semiconductor |
| 251347 | BC817-40LT1G | Пластмасса Транзистора Кремния | ON Semiconductor |
| 251348 | BC817-40LT3 | Пластмасса Транзистора Кремния | ON Semiconductor |
| 251349 | BC817-40Q-13-F | Биполярные транзисторы | Diodes |
| 251350 | BC817-40Q-7-F | Биполярные транзисторы | Diodes |
| 251351 | BC817-40QA | , 500 мА NPN транзисторы 45 V общего назначения | NXP Semiconductors |
| 251352 | BC817-40W | Транзисторы general purpose NPN | Philips |
| 251353 | BC817-40W | Транзистор af кремния NPN (для увеличения
течения сборника вообще применений af высокого высокого в
настоящее время) | Siemens |
| 251354 | BC817-40W | Одиночные транзисторы af для общего назначения
применений | Infineon |
| 251355 | BC817-40W | , 500 мА NPN транзисторы 45 V общего назначения | NXP Semiconductors |
| 251356 | BC817-40W | Дискретная - биполярные транзисторы - транзистор (БЮТ) Мастер Table - Транзисторы 30V в 50V | Diodes |
| 251357 | BC817-40W-7 | Дискретная - биполярные транзисторы - транзистор (БЮТ) Мастер Table - Транзисторы 30V в 50V | Diodes |
| 251358 | BC81716 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ SOT23 NPN
ПЛОСКОСТНЫЕ СРЕДСТВ | Zetex Semiconductors |
| 251359 | BC81716LT1 | СЛУЧАЙ 318-08, ВВОДИТ 6 SOT-23 В МОДУ
(TO-236ЈAB) | Motorola |
| 251360 | BC81716MTF | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| | | |
