| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 252001 | BC848C-7-F | Биполярные транзисторы | Diodes |
| 252002 | BC848C-G | Слабый сигнал транзистора, V СВО = 30В, V CEO = 30В, V EBO = 6В, я C = 0.1A | Comchip Technology |
| 252003 | BC848C-MR | Количество барабанов 500 Ширина ленты 8 мм SOT-23 Транзисторы | Fairchild Semiconductor |
| 252004 | BC848C-Z1L | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ SOT23 NPN ПЛОСКОСТНЫЕ
ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Unknow |
| 252005 | BC848C-Z1L | ТРАНЗИСТОР VHF КРЕМНИЯ SOT23 NPN
ПЛОСКОСТНОЙ | Zetex Semiconductors |
| 252006 | BC848C-Z1L | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ SOT23 NPN ПЛОСКОСТНЫЕ
ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Unknow |
| 252007 | BC848C-Z1L | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ SOT23 NPN ПЛОСКОСТНЫЕ
ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Unknow |
| 252008 | BC848C-Z1L | ТРАНЗИСТОР VHF КРЕМНИЯ SOT23 NPN
ПЛОСКОСТНОЙ | Zetex Semiconductors |
| 252009 | BC848C-Z1L | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ SOT23 NPN ПЛОСКОСТНЫЕ
ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Unknow |
| 252010 | BC848CDW1 | Двойное General purpose
Transistors(NPN/PNP Удваивает) | ON Semiconductor |
| 252011 | BC848CDW1T1 | Двойное General purpose
Transistors(NPN/PNP Удваивает) | ON Semiconductor |
| 252012 | BC848CDW1T1 | , Двойной транзистор цель 30 В общем | Leshan Radio Company |
| 252013 | BC848CDXV6 | Общего назначения Блок Транзистора NPN | ON Semiconductor |
| 252014 | BC848CDXV6T1 | Общего назначения Блок Транзистора NPN | ON Semiconductor |
| 252015 | BC848CDXV6T5 | Общего назначения Блок Транзистора NPN | ON Semiconductor |
| 252016 | BC848CF | Транзисторы general purpose NPN | Philips |
| 252017 | BC848CL | Транзистор SSP NPN | ON Semiconductor |
| 252018 | BC848CLT1 | Общего назначения Кремний Transistors(NPN) | Leshan Radio Company |
| 252019 | BC848CLT1 | СЛУЧАЙ 318-08, ВВОДИТ 6 SOT-23 В МОДУ
(TO-236ЈAB) | Motorola |
| 252020 | BC848CLT1 | Транзистор SSP NPN | ON Semiconductor |
| 252021 | BC848CLT1G | Общего назначения Кремний Transistors(NPN) | ON Semiconductor |
| 252022 | BC848CLT1G | Общего назначения Кремний Transistors(NPN) | ON Semiconductor |
| 252023 | BC848CLT3 | Общего назначения Транзистор NPN | ON Semiconductor |
| 252024 | BC848CMTF | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 252025 | BC848CPDW1T1 | Двойное General purpose
Transistors(NPN/PNP Удваивает) | ON Semiconductor |
| 252026 | BC848CPDW1T1 | Двойное General purpose
Transistors(NPN/PNP Удваивает) | ON Semiconductor |
| 252027 | BC848CQ-7-F | Биполярные транзисторы | Diodes |
| 252028 | BC848CT | Транзисторы af кремния NPN (высокое
напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера в настоящее время
увеличения низкое) | Infineon |
| 252029 | BC848CT | NPN малого сигнала транзистор в корпусе SOT23 | Diodes |
| 252030 | BC848CW | Двухполярные Транзисторы | Diodes |
| 252031 | BC848CW | Общего назначения транзисторы - пакет SOT323 | Infineon |
| 252032 | BC848CW | Транзистор af кремния NPN (для этапов
входного сигнала af и напряжения тока сатурации коллектор-
эмиттера в настоящее время увеличения применений водителя высокого
низкого) | Siemens |
| 252033 | BC848CW | Общего назначения Транзисторы | ON Semiconductor |
| 252034 | BC848CW | Surface Mount Si-эпитаксиальных PlanarTransistors | Diotec Elektronische |
| 252035 | BC848CW | NPN транзистор общего назначения и для решения задач коммутации | Korea Electronics (KEC) |
| 252036 | BC848CW-7-F | Биполярные транзисторы | Diodes |
| 252037 | BC848CW-G | Слабый сигнал транзистора, V СВО = 30В, V CEO = 30В, V EBO = 5В, я C = 0.1A | Comchip Technology |
| 252038 | BC848CWT1 | Общего назначения Кремний Transistors(NPN) | Leshan Radio Company |
| 252039 | BC848CWT1 | СЛУЧАЙ 419-02, ВВОДИТ 3 SOT-323/SC-70 В
МОДУ | Motorola |
| 252040 | BC848CWT1 | Общего назначения Транзисторы | ON Semiconductor |
| | | |
