|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 6313 | 6314 | 6315 | 6316 | 6317 | 6318 | 6319 | 6320 | 6321 | 6322 | 6323 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
252681BC858BWT1СЛУЧАЙ 419-02, ВВОДИТ 3 SOT-323/SC-70 В МОДУMotorola
252682BC858BWT1Общего назначения ТранзисторыON Semiconductor
252683BC858CТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ SOT23 NPN ПЛОСКОСТНЫЕ ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯZetex Semiconductors
252684BC858CДвухполярные ТранзисторыDiodes
252685BC858CМалые Транзисторы Сигнала (PNP)General Semiconductor
252686BC858CОбщего назначения транзисторы - пакет SOT23Infineon
252687BC858CТранзисторы af кремния PNP (для этапов входного сигнала af и напряжения тока сатурации коллектор- эмиттера в настоящее время увеличения применений водителя высокого низкого)Siemens
252688BC858CТранзистор 310mW Сигнала PNP МалыйMicro Commercial Components
252689BC858CШум Транзистора PNP Сигнала SMD Малый НизкийCentral Semiconductor
252690BC858CТранзисторы, Rf & AfVishay
252691BC858C0.250W общего назначения PNP SMD транзистор. 30В VCEO, 0.100A Ic, 420 - 800 HFE. Дополнительные BC848CContinental Device India Limited
252692BC858CSurface Mount Si-эпитаксиальных PlanarTransistorsDiotec Elektronische
252693BC858CHFE мин 420 NF макс. 10 дБ Транзистор полярности PNP Текущий Ic непрерывный макс 100 мА Напряжение VCEO 30 В Ток Ic (HFE) 2 мА Мощность Ptot 350 мВтFairchild Semiconductor
252694BC858CPNP транзистор общего назначения и коммутационных приложенийKorea Electronics (KEC)
252695BC858CIc = 100 мА, Vce = 5.0V транзисторMCC
252696BC858C30 В, PNP поверхностного монтажа небольшой сигнала транзисторTRANSYS Electronics Limited
252697BC858C30 В, PNP поверхностного монтажа небольшой сигнала транзисторTRSYS
252698BC858C(Z)SOT23 NPN кремниевой планарной ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ ТРАНЗИСТОРЫDiodes
252699BC858C-3LТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ SOT23 PNP ПЛОСКОСТНЫЕ ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯUnknow
252700BC858C-3LТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ SOT23 PNP ПЛОСКОСТНЫЕ ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯUnknow
252701BC858C-7ТРАНЗИСТОР СИГНАЛА ДЕРЖАТЕЛЯ ПОВЕРХНОСТИ PNP МАЛЫЙDiodes
252702BC858C-7ТРАНЗИСТОР СИГНАЛА ДЕРЖАТЕЛЯ ПОВЕРХНОСТИ PNP МАЛЫЙDiodes
252703BC858C-7-FБиполярные транзисторыDiodes
252704BC858CDW1Двойное General purpose Transistors(NPN/PNP Удваивает)ON Semiconductor
252705BC858CDW1T1Двойное Общего назначения Transistors(PNP Удваивает)Leshan Radio Company
252706BC858CDW1T1Двойное General purpose Transistors(NPN/PNP Удваивает)ON Semiconductor
252707BC858CDXV6Общего назначения Транзистор PNPON Semiconductor
252708BC858CDXV6T1Общего назначения Транзистор PNPON Semiconductor
252709BC858CDXV6T5Общего назначения Транзистор PNPON Semiconductor
252710BC858CFТранзисторы general purpose PNPPhilips
252711BC858CLОбщего назначения ТранзисторыON Semiconductor
252712BC858CLT1Общего назначения Кремний Transistors(PNP)Leshan Radio Company
252713BC858CLT1СЛУЧАЙ 318-08, ВВОДИТ 6 SOT-23 В МОДУ (TO-236ЈAB)Motorola
252714BC858CLT1Общего назначения ТранзисторыON Semiconductor
252715BC858CLT1GОбщего назначения ТранзисторыON Semiconductor
252716BC858CLT1GОбщего назначения Кремний Transistors(PNP)ON Semiconductor
252717BC858CLT1GОбщего назначения ТранзисторыON Semiconductor
252718BC858CLT1GОбщего назначения Кремний Transistors(PNP)ON Semiconductor
252719BC858CLT3Общего назначения ТранзисторыON Semiconductor
252720BC858CLT3GОбщего назначения ТранзисторыON Semiconductor
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 6313 | 6314 | 6315 | 6316 | 6317 | 6318 | 6319 | 6320 | 6321 | 6322 | 6323 | >>
English Version for this page Version franaise pour cette page Deutsche Version fr diese Seite Verso portuguese para esta pgina



© 2017 - www.DatasheetCatalog.com