Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
254161 | BCR8CS-8 | Интегрированные Модули Транзистора Строба Двухполярные
(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
254162 | BCR8PM | ТИП ПОТРЕБЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОЭНЕРГИИ ПОЛУПРОВОДНИКА
MITSUBISHI (ТРИАКА) СРЕДСТВ ИЗОЛИРОВАННЫЙ, ПЛОСКОСТНОЙ ТИП
ЗАПАССИВИРОВАННОСТИ | Mitsubishi Electric Corporation |
254163 | BCR8PM | Вольты Amperes/400-600 Триака 8 | Powerex Power Semiconductors |
254164 | BCR8PM-12 | Интегрированные Модули Транзистора Строба Двухполярные
(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
254165 | BCR8PM-12 | Вольты Amperes/400-600 Триака 8 | Powerex Power Semiconductors |
254166 | BCR8PM-12L | Вольты Amperes/400-600 Триака 8 | Powerex Power Semiconductors |
254167 | BCR8PM-14 | Интегрированные Модули Транзистора Строба Двухполярные
(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
254168 | BCR8PM-14 | ТИП ПОТРЕБЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОЭНЕРГИИ ПОЛУПРОВОДНИКА
MITSUBISHI (ТРИАКА) СРЕДСТВ ИЗОЛИРОВАННЫЙ, ПЛОСКОСТНОЙ ТИП
ЗАПАССИВИРОВАННОСТИ | Mitsubishi Electric Corporation |
254169 | BCR8PM-16 | Интегрированные Модули Транзистора Строба Двухполярные
(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
254170 | BCR8PM-18 | ТИП ПОТРЕБЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОЭНЕРГИИ ПОЛУПРОВОДНИКА
MITSUBISHI (ТРИАКА) СРЕДСТВ ИЗОЛИРОВАННЫЙ, ПЛОСКОСТНОЙ ТИП
ЗАПАССИВИРОВАННОСТИ | Mitsubishi Electric Corporation |
254171 | BCR8PM-20 | Интегрированные Модули Транзистора Строба Двухполярные
(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
254172 | BCR8PM-20 | ТИП ПОТРЕБЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОЭНЕРГИИ ПОЛУПРОВОДНИКА
MITSUBISHI (ТРИАКА) СРЕДСТВ ИЗОЛИРОВАННЫЙ, ПЛОСКОСТНОЙ ТИП
ЗАПАССИВИРОВАННОСТИ | Mitsubishi Electric Corporation |
254173 | BCR8PM-8 | Интегрированные Модули Транзистора Строба Двухполярные
(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
254174 | BCR8PM-8 | Вольты Amperes/400-600 Триака 8 | Powerex Power Semiconductors |
254175 | BCR8PM-8L | Вольты Amperes/400-600 Триака 8 | Powerex Power Semiconductors |
254176 | BCR8UM | ТИП ПОТРЕБЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОЭНЕРГИИ ПОЛУПРОВОДНИКА
MITSUBISHI (ТРИАКА) СРЕДСТВ ИЗОЛИРОВАННЫЙ, СТЕКЛЯННЫЙ ТИП
ЗАПАССИВИРОВАННОСТИ | Mitsubishi Electric Corporation |
254177 | BCU81-SMD | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ
ПЛОСКОСТНОЙ | SemeLAB |
254178 | BCU83-SMD | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ
ПЛОСКОСТНОЙ | SemeLAB |
254179 | BCU86 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN/PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ
ПЛОСКОСТНОЙ | SemeLAB |
254180 | BCU86 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN/PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ
ПЛОСКОСТНОЙ | SemeLAB |
254181 | BCU86-SMD | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN/PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ
ПЛОСКОСТНОЙ | SemeLAB |
254182 | BCU86-SMD | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN/PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ
ПЛОСКОСТНОЙ | SemeLAB |
254183 | BCU87-SMD | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN/PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ
ПЛОСКОСТНОЙ | SemeLAB |
254184 | BCU87-SMD | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN/PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ
ПЛОСКОСТНОЙ | SemeLAB |
254185 | BCV26 | Транзисторы PNP Darlington | Philips |
254186 | BCV26 | Транзистор PNP Darlington | Fairchild Semiconductor |
254187 | BCV26 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ ПЛОСКОСТНЫЕ DARLINGTON
SOT23 PNP | Zetex Semiconductors |
254188 | BCV26 | Транзисторы Darlington - транзистор Darlington
кремния PNP для вообще применений af | Infineon |
254189 | BCV26 | Транзисторы Darlington кремния PNP (для
течения сборника вообще применений af высокого) | Infineon |
254190 | BCV26 | Транзисторы Darlington кремния PNP (для
течения сборника вообще применений af высокого) | Siemens |
254191 | BCV26 | Поверхностный держатель Кремни-3pitaksial6noe
PlanarTransistors | Diotec Elektronische |
254192 | BCV26 | Транзисторы PNP Дарлингтон | NXP Semiconductors |
254193 | BCV26_L99Z | Транзистор PNP Darlington | Fairchild Semiconductor |
254194 | BCV27 | Транзисторы NPN Darlington | Philips |
254195 | BCV27 | Транзистор NPN Darlington | Fairchild Semiconductor |
254196 | BCV27 | Транзистор NPN Darlington | Zetex Semiconductors |
254197 | BCV27 | Транзисторы Darlington - транзистор
Darlington кремния NPN для вообще применений af | Infineon |
254198 | BCV27 | Транзистор Darlington кремния NPN для... | Infineon |
254199 | BCV27 | Транзисторы Darlington кремния NPN (для
течения сборника вообще применений af высокого) | Siemens |
254200 | BCV27 | Поверхностный держатель Кремни-3pitaksial6noe
PlanarTransistors | Diotec Elektronische |
| | | |