| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 254161 | BCR8CS-8 | Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254162 | BCR8PM | MITTLERER ENERGIE DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) GEBRAUCH ISOLIERART, PLANARE PASSIVIERUNG-ART | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254163 | BCR8PM | Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-8 | Powerex Power Semiconductors |
| 254164 | BCR8PM-12 | Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254165 | BCR8PM-12 | Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-8 | Powerex Power Semiconductors |
| 254166 | BCR8PM-12L | Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-8 | Powerex Power Semiconductors |
| 254167 | BCR8PM-14 | Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254168 | BCR8PM-14 | MITTLERER ENERGIE DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) GEBRAUCH ISOLIERART, PLANARE PASSIVIERUNG-ART | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254169 | BCR8PM-16 | Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254170 | BCR8PM-18 | MITTLERER ENERGIE DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) GEBRAUCH ISOLIERART, PLANARE PASSIVIERUNG-ART | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254171 | BCR8PM-20 | Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254172 | BCR8PM-20 | MITTLERER ENERGIE DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) GEBRAUCH ISOLIERART, PLANARE PASSIVIERUNG-ART | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254173 | BCR8PM-8 | Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254174 | BCR8PM-8 | Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-8 | Powerex Power Semiconductors |
| 254175 | BCR8PM-8L | Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-8 | Powerex Power Semiconductors |
| 254176 | BCR8UM | MITTLERER ENERGIE DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) GEBRAUCH ISOLIERART, GLASPASSIVIERUNG-ART | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254177 | BCU81-SMD | NPN EPITAXIAL- PLANARER SILIKON-TRANSISTOR | SemeLAB |
| 254178 | BCU83-SMD | NPN EPITAXIAL- PLANARER SILIKON-TRANSISTOR | SemeLAB |
| 254179 | BCU86 | NPN/PNP EPITAXIAL- PLANARER SILIKON-TRANSISTOR | SemeLAB |
| 254180 | BCU86 | NPN/PNP EPITAXIAL- PLANARER SILIKON-TRANSISTOR | SemeLAB |
| 254181 | BCU86-SMD | NPN/PNP EPITAXIAL- PLANARER SILIKON-TRANSISTOR | SemeLAB |
| 254182 | BCU86-SMD | NPN/PNP EPITAXIAL- PLANARER SILIKON-TRANSISTOR | SemeLAB |
| 254183 | BCU87-SMD | NPN/PNP EPITAXIAL- PLANARER SILIKON-TRANSISTOR | SemeLAB |
| 254184 | BCU87-SMD | NPN/PNP EPITAXIAL- PLANARER SILIKON-TRANSISTOR | SemeLAB |
| 254185 | BCV26 | PNP Darlington Transistoren | Philips |
| 254186 | BCV26 | PNP Darlington Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 254187 | BCV26 | SOT23 PNP PLANARE DARLINGTON TRANSISTOREN DES SILIKON- | Zetex Semiconductors |
| 254188 | BCV26 | Darlington Transistoren - PNP Silikon Darlington Transistor für allgemeine AF Anwendungen | Infineon |
| 254189 | BCV26 | PNP Silikon Darlington Transistor | Infineon |
| 254190 | BCV26 | PNP Silikon Darlington Transistoren (für allgemeine AFAnwendungen hohen Kollektorstrom) | Siemens |
| 254191 | BCV26 | Oberflächeneinfassung Silikon-Epitaxial- PlanarTransistors | Diotec Elektronische |
| 254192 | BCV26 | PNP-Darlington-Transistoren | NXP Semiconductors |
| 254193 | BCV26_L99Z | PNP Darlington Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 254194 | BCV27 | NPN Darlington Transistoren | Philips |
| 254195 | BCV27 | NPN Darlington Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 254196 | BCV27 | NPN Darlington Transistor | Zetex Semiconductors |
| 254197 | BCV27 | Darlington Transistoren - NPN Silikon Darlington Transistor für allgemeine AF Anwendungen | Infineon |
| 254198 | BCV27 | NPN Silikon Darlington Transistor für... | Infineon |
| 254199 | BCV27 | NPN Silikon Darlington Transistoren (für allgemeine AF Anwendungen hohen Kollektorstrom) | Siemens |
| 254200 | BCV27 | Oberflächeneinfassung Silikon-Epitaxial- PlanarTransistors | Diotec Elektronische |
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