| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 254001 | BCR199 | PNP Silikon-Digital Transistor | Infineon |
| 254002 | BCR199F | Einzelne digitale (Errichten- im Widerstand) AF-Transistoren im Paket TSFP-3 | Infineon |
| 254003 | BCR199FE6327 | Digital Transistoren - R1 = kOhm 47; R2 = - kOhm | Infineon |
| 254004 | BCR199L3 | PNP Silikon-Digital Transistor | Infineon |
| 254005 | BCR199L3E6327 | Digital Transistoren - R1 = kOhm 47 | Infineon |
| 254006 | BCR199T | Einzelne digitale (komplizierte) AF-Transistoren im Paket SC75 | Infineon |
| 254007 | BCR199TE6327 | Digital Transistoren - R1 = kOhm 47 | Infineon |
| 254008 | BCR19PN | Digital Transistoren - Paket SOT363 | Infineon |
| 254009 | BCR1AM | Führen-Bringen Sie Volt Ampere/400-600 Des TRIAC-1 An | Powerex Power Semiconductors |
| 254010 | BCR1AM-12 | Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254011 | BCR1AM-12 | NIEDRIGER ENERGIE GEBRAUCH-GLASPASSIVIERUNG-ART DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254012 | BCR1AM-12 | Führen-Bringen Sie Volt Ampere/400-600 Des TRIAC-1 An | Powerex Power Semiconductors |
| 254013 | BCR1AM-8 | NIEDRIGER ENERGIE GEBRAUCH-PLANARE PASSIVIERUNG-ART DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254014 | BCR1AM-8 | Führen-Bringen Sie Volt Ampere/400-600 Des TRIAC-1 An | Powerex Power Semiconductors |
| 254015 | BCR20A | MITTLERER ENERGIE GEBRAUCH DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254016 | BCR20AM | DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) MITTLERE ART ENERGIE DES GEBRAUCH-NON-INSULATED, PLANARE PASSIVIERUNG-ART | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254017 | BCR20AM | Volt Ampere/400-600 Des TRIAC-20 | Powerex Power Semiconductors |
| 254018 | BCR20AM-12 | Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254019 | BCR20AM-12 | Volt Ampere/400-600 Des TRIAC-20 | Powerex Power Semiconductors |
| 254020 | BCR20AM-12L | Volt Ampere/400-600 Des TRIAC-20 | Powerex Power Semiconductors |
| 254021 | BCR20AM-8 | Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254022 | BCR20AM-8 | Volt Ampere/400-600 Des TRIAC-20 | Powerex Power Semiconductors |
| 254023 | BCR20AM-8L | Volt Ampere/400-600 Des TRIAC-20 | Powerex Power Semiconductors |
| 254024 | BCR20B | MITTLERER ENERGIE GEBRAUCH DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254025 | BCR20B-10 | Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254026 | BCR20B-8 | Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254027 | BCR20C | MITTLERER ENERGIE GEBRAUCH DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254028 | BCR20C-10 | Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254029 | BCR20C-8 | Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254030 | BCR20E | MITTLERER ENERGIE GEBRAUCH DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254031 | BCR20KM | Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254032 | BCR22 | NPN/PNP Silikon-Digital Tansistor Reihe (Schaltung Stromkreisinverter-Schnittstellenleitung Antrieb Stromkreis) | Siemens |
| 254033 | BCR22PN | NPN/PNP Silikon-Digital Tansistor Reihe (Schaltung Stromkreis, Inverter, Schnittstellenleitung, Antrieb Stromkreis) | Siemens |
| 254034 | BCR22PN | Eingebaute Widerstand Af Verdoppelungtransistoren; NPN/PNP; Industrielle Standars Arten, Icmax von 100mA; Vceo von 50V | Infineon |
| 254035 | BCR22PNE6327 | Digital Transistoren - Paket SOT363 | Infineon |
| 254036 | BCR25A | DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) MITTLERE ART ENERGIE DES GEBRAUCH-NON-INSULATED, GLASPASSIVIERUNG-ART | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254037 | BCR25B | DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) MITTLERE ART ENERGIE DES GEBRAUCH-NON-INSULATED, GLASPASSIVIERUNG-ART | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254038 | BCR2PM | NIEDRIGER ENERGIE DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) GEBRAUCH ISOLIERART, PLANARE PASSIVIERUNG-ART | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254039 | BCR2PM-12 | Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254040 | BCR2PM-8 | Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
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