| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 254001 | BCR199 | Transistor De Digital Do Silicone de PNP | Infineon |
| 254002 | BCR199F | Únicos (Constr- no resistor) AF-Transistor digitais no pacote TSFP-3 | Infineon |
| 254003 | BCR199FE6327 | Transistor de Digital - R1 = kOhm 47; R2 = - kOhm | Infineon |
| 254004 | BCR199L3 | Transistor De Digital Do Silicone de PNP | Infineon |
| 254005 | BCR199L3E6327 | Transistor de Digital - R1 = kOhm 47 | Infineon |
| 254006 | BCR199T | Únicos AF-Transistor (complexos) digitais no pacote SC75 | Infineon |
| 254007 | BCR199TE6327 | Transistor de Digital - R1 = kOhm 47 | Infineon |
| 254008 | BCR19PN | Transistor de Digital - pacote SOT363 | Infineon |
| 254009 | BCR1AM | Conduz-Monte Os Volts Ampere/400-600 Do TRIAC 1 | Powerex Power Semiconductors |
| 254010 | BCR1AM-12 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254011 | BCR1AM-12 | DO USO BAIXO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) TIPO DE VIDRO DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254012 | BCR1AM-12 | Conduz-Monte Os Volts Ampere/400-600 Do TRIAC 1 | Powerex Power Semiconductors |
| 254013 | BCR1AM-8 | DO USO BAIXO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254014 | BCR1AM-8 | Conduz-Monte Os Volts Ampere/400-600 Do TRIAC 1 | Powerex Power Semiconductors |
| 254015 | BCR20A | USO MÉDIO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254016 | BCR20AM | TIPO MÉDIO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254017 | BCR20AM | Volts Ampere/400-600 Do TRIAC 20 | Powerex Power Semiconductors |
| 254018 | BCR20AM-12 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254019 | BCR20AM-12 | Volts Ampere/400-600 Do TRIAC 20 | Powerex Power Semiconductors |
| 254020 | BCR20AM-12L | Volts Ampere/400-600 Do TRIAC 20 | Powerex Power Semiconductors |
| 254021 | BCR20AM-8 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254022 | BCR20AM-8 | Volts Ampere/400-600 Do TRIAC 20 | Powerex Power Semiconductors |
| 254023 | BCR20AM-8L | Volts Ampere/400-600 Do TRIAC 20 | Powerex Power Semiconductors |
| 254024 | BCR20B | USO MÉDIO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254025 | BCR20B-10 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254026 | BCR20B-8 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254027 | BCR20C | USO MÉDIO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254028 | BCR20C-10 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254029 | BCR20C-8 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254030 | BCR20E | USO MÉDIO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254031 | BCR20KM | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254032 | BCR22 | Disposição de Digital Tansistor do silicone de NPN/PNP (circuito de movimentação do circuito de relação do inversor do circuito do switching) | Siemens |
| 254033 | BCR22PN | Disposição de Digital Tansistor do silicone de NPN/PNP (circuito do switching, inversor, circuito de relação, circuito de movimentação) | Siemens |
| 254034 | BCR22PN | Transistor Internos Duplos do Af Do Resistor; NPN/PNP; Tipos industriais de Standars, Icmax de 100mA; Vceo de 50V | Infineon |
| 254035 | BCR22PNE6327 | Transistor de Digital - pacote SOT363 | Infineon |
| 254036 | BCR25A | TIPO MÉDIO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO DE VIDRO DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254037 | BCR25B | TIPO MÉDIO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO DE VIDRO DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254038 | BCR2PM | TIPO ISOLADO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) USO BAIXO, TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254039 | BCR2PM-12 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254040 | BCR2PM-8 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
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