| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 254041 | BCR3 | TIPO ISOLADO TIPO PLANAR DO PODER USO BAIXO DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254042 | BCR30 | TIPO ISOLADO TIPO DE VIDRO DO PODER USO MÉDIO DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254043 | BCR30AM | TIPO MÉDIO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254044 | BCR30AM | Volts Ampere/400-600 Do TRIAC 30 | Powerex Power Semiconductors |
| 254045 | BCR30AM-12 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254046 | BCR30AM-12 | Volts Ampere/400-600 Do TRIAC 30 | Powerex Power Semiconductors |
| 254047 | BCR30AM-12L | Volts Ampere/400-600 Do TRIAC 30 | Powerex Power Semiconductors |
| 254048 | BCR30AM-8 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254049 | BCR30AM-8 | Volts Ampere/400-600 Do TRIAC 30 | Powerex Power Semiconductors |
| 254050 | BCR30AM-8L | Volts Ampere/400-600 Do TRIAC 30 | Powerex Power Semiconductors |
| 254051 | BCR30GM | TIPO ISOLADO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) USO MÉDIO, TIPO DE VIDRO DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254052 | BCR35 | Disposição de Digital Tansistor do silicone de NPN/PNP (circuito de movimentação do circuito de relação do inversor do circuito do switching) | Siemens |
| 254053 | BCR35PN | Transistor de Digital - pacote SOT363 | Infineon |
| 254054 | BCR35PN | Disposição de Digital Tansistor do silicone de NPN/PNP (circuito do switching, inversor, circuito de relação, circuito de movimentação) | Siemens |
| 254055 | BCR39 | Disposição Do Transistor De Digital Do Silicone de NPN/PNP | Infineon |
| 254056 | BCR39PN | Disposição Do Transistor De Digital Do Silicone de NPN/PNP | Infineon |
| 254057 | BCR3AM | TIPO BAIXO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254058 | BCR3AM | Volts Amperes/400-600 Do TRIAC 3 | Powerex Power Semiconductors |
| 254059 | BCR3AM-12 | Volts Amperes/400-600 Do TRIAC 3 | Powerex Power Semiconductors |
| 254060 | BCR3AM-8 | Volts Amperes/400-600 Do TRIAC 3 | Powerex Power Semiconductors |
| 254061 | BCR3AS | TIPO BAIXO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254062 | BCR3AS | TIPO BAIXO DO USO NON-INSULATED DO PODER, TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Powerex Power Semiconductors |
| 254063 | BCR3AS-12 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254064 | BCR3AS-8 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254065 | BCR3KM | TIPO ISOLADO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) USO BAIXO, TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254066 | BCR3KM-12 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254067 | BCR3KM-14 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254068 | BCR3KM-14 | TIPO ISOLADO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) USO BAIXO, TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254069 | BCR3KM-8 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254070 | BCR3PM | TIPO ISOLADO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) USO BAIXO, TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254071 | BCR3PM-12 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254072 | BCR3PM-8 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254073 | BCR400 | Considerações da aplicação para os circuitos de controle diagonais integrados | Infineon |
| 254074 | BCR400R | Controlador Diagonal Ativo (Af SSIC) | Infineon |
| 254075 | BCR400R | Controlador diagonal ativo (atual diagonal estável das fontes mesmo na tensão baixa da bateria e na variação ambiental extrema da temperatura) | Siemens |
| 254076 | BCR400W | Silicone análogo SSICs - gota da baixa tensão de 0.7V | Infineon |
| 254077 | BCR400W | Controlador Diagonal Ativo (Af SSIC) | Infineon |
| 254078 | BCR400W | Controlador diagonal ativo (atual diagonal estável das fontes mesmo na tensão baixa da bateria e na variação ambiental extrema da temperatura) | Siemens |
| 254079 | BCR401 | Atual diagonal estável do diodo emissor de luz Driver(Supplies mesmo na tensão baixa da bateria) | Infineon |
| 254080 | BCR401R | Silicone análogo SSICs - corrente de saída: 10..60mA | Infineon |
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