| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 254041 | BCR3 | EL USO BAJO DE LA ENERGÍA AISLÓ EL TIPO/EL TIPO PLANAR DE LA PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254042 | BCR30 | EL USO MEDIO DE LA ENERGÍA AISLÓ EL TIPO/EL TIPO DE CRISTAL DE LA PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254043 | BCR30AM | El USO MEDIO de la ENERGÍA del SEMICONDUCTOR de MITSUBISHI (TRIAC) No-aislo' el TIPO, TIPO PLANAR de la PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254044 | BCR30AM | Voltios Ampere/400-600 Del Triac 30 | Powerex Power Semiconductors |
| 254045 | BCR30AM-12 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254046 | BCR30AM-12 | Voltios Ampere/400-600 Del Triac 30 | Powerex Power Semiconductors |
| 254047 | BCR30AM-12L | Voltios Ampere/400-600 Del Triac 30 | Powerex Power Semiconductors |
| 254048 | BCR30AM-8 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254049 | BCR30AM-8 | Voltios Ampere/400-600 Del Triac 30 | Powerex Power Semiconductors |
| 254050 | BCR30AM-8L | Voltios Ampere/400-600 Del Triac 30 | Powerex Power Semiconductors |
| 254051 | BCR30GM | TIPO AISLADO USO MEDIO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO DE CRISTAL DE LA PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254052 | BCR35 | Arsenal Digital Tansistor del silicio de NPN/PNP (circuito de la conmutación/circuito del inversor/de interfaz/circuito de impulsión) | Siemens |
| 254053 | BCR35PN | Transistores Digital - paquete SOT363 | Infineon |
| 254054 | BCR35PN | Arsenal Digital Tansistor del silicio de NPN/PNP (circuito de la conmutación, inversor, circuito de interfaz, circuito de impulsión) | Siemens |
| 254055 | BCR39 | Arsenal Del Transistor Digital Del Silicio de NPN/PNP | Infineon |
| 254056 | BCR39PN | Arsenal Del Transistor Digital Del Silicio de NPN/PNP | Infineon |
| 254057 | BCR3AM | El USO BAJO de la ENERGÍA del SEMICONDUCTOR de MITSUBISHI (TRIAC) No-aislo' el TIPO, TIPO PLANAR de la PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254058 | BCR3AM | Voltios Amperes/400-600 Del Triac 3 | Powerex Power Semiconductors |
| 254059 | BCR3AM-12 | Voltios Amperes/400-600 Del Triac 3 | Powerex Power Semiconductors |
| 254060 | BCR3AM-8 | Voltios Amperes/400-600 Del Triac 3 | Powerex Power Semiconductors |
| 254061 | BCR3AS | El USO BAJO de la ENERGÍA del SEMICONDUCTOR de MITSUBISHI (TRIAC) No-aislo' el TIPO, TIPO PLANAR de la PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254062 | BCR3AS | TIPO BAJO DEL USO NON-INSULATED DE LA ENERGÍA, TIPO PLANAR DE LA PASIVACIÓN | Powerex Power Semiconductors |
| 254063 | BCR3AS-12 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254064 | BCR3AS-8 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254065 | BCR3KM | TIPO AISLADO USO BAJO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DE LA PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254066 | BCR3KM-12 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254067 | BCR3KM-14 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254068 | BCR3KM-14 | TIPO AISLADO USO BAJO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DE LA PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254069 | BCR3KM-8 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254070 | BCR3PM | TIPO AISLADO USO BAJO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DE LA PASIVACIÓN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254071 | BCR3PM-12 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254072 | BCR3PM-8 | Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254073 | BCR400 | Consideraciones del uso para los circuitos de control diagonales integrados | Infineon |
| 254074 | BCR400R | Regulador Diagonal Activo (Af SSIC) | Infineon |
| 254075 | BCR400R | Regulador diagonal activo (actual diagonal estable de las fuentes incluso en el voltaje bajo de la batería y la variación ambiente extrema de la temperatura) | Siemens |
| 254076 | BCR400W | Silicio análogo SSICs - gota de la baja tensión de 0.7V | Infineon |
| 254077 | BCR400W | Regulador Diagonal Activo (Af SSIC) | Infineon |
| 254078 | BCR400W | Regulador diagonal activo (actual diagonal estable de las fuentes incluso en el voltaje bajo de la batería y la variación ambiente extrema de la temperatura) | Siemens |
| 254079 | BCR401 | Actual diagonal estable del LED Driver(Supplies incluso en el voltaje bajo de la batería) | Infineon |
| 254080 | BCR401R | Silicio análogo SSICs - corriente de salida: 10..60mA | Infineon |
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