| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 258921 | BF173 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ПЛОСКОСТНОЙ
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В ГЕРМЕТИЧНО ЗАГЕРМЕТИЗИРОВАННОМ СЛУЧАЕ МЕТАЛЛА | Micro Electronics |
| 258922 | BF173 | 0.200W общего назначения NPN Металл Может транзистора. 25V VCEO, 0.030A Ic, 15 HFE. | Continental Device India Limited |
| 258923 | BF178 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 258924 | BF180 | Mocy Tranzystor krzemowy ma.ej,
wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 258925 | BF180 | Wielkiej cz?otliwo.ci Tranzystor
specjalny | Ultra CEMI |
| 258926 | BF181 | Wielkiej cz?otliwo.ci Tranzystor
specjalny | Ultra CEMI |
| 258927 | BF181 | Mocy Tranzystor krzemowy ma.ej,
wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 258928 | BF182 | Mocy Tranzystor krzemowy ma.ej,
wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 258929 | BF182 | Wielkiej cz?otliwo.ci Tranzystor
specjalny | Ultra CEMI |
| 258930 | BF182 | 0.150W общего назначения NPN Металл Может транзистора. 20V VCEO, 0.020A Ic, 10 HFE. | Continental Device India Limited |
| 258931 | BF183 | Mocy Tranzystor krzemowy ma.ej,
wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 258932 | BF183 | Wielkiej cz?otliwo.ci Tranzystor
specjalny | Ultra CEMI |
| 258933 | BF194 | Mocy Tranzystor krzemowy ma.ej,
wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 258934 | BF194 | Wielkiej cz?otliwo.ci Tranzystor
specjalny | Ultra CEMI |
| 258935 | BF195 | Wielkiej cz?otliwo.ci Tranzystor
specjalny | Ultra CEMI |
| 258936 | BF195 | Mocy Tranzystor krzemowy ma.ej,
wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 258937 | BF196 | Mocy Tranzystor krzemowy ma.ej,
wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 258938 | BF196 | Wielkiej cz?otliwo.ci Tranzystor
specjalny | Ultra CEMI |
| 258939 | BF197 | Mocy Tranzystor krzemowy ma.ej,
wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 258940 | BF197 | Wielkiej cz?otliwo.ci Tranzystor
specjalny | Ultra CEMI |
| 258941 | BF198 | Транзистор Rf Кремния NPN
(Q62702-F1721) | Siemens |
| 258942 | BF199 | Транзистор частоты NPN средств | Philips |
| 258943 | BF199 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ПЛОСКОСТНОЙ
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В ГЕРМЕТИЧНО ЗАГЕРМЕТИЗИРОВАННОМ СЛУЧАЕ МЕТАЛЛА | Micro Electronics |
| 258944 | BF199 | Транзисторы Rf | Motorola |
| 258945 | BF199 | Транзистор Radio Частоты NPN | Fairchild Semiconductor |
| 258946 | BF199 | 0.350W РФ NPN транзистор. 25V VCEO, 0.100A Ic, 40 HFE. | Continental Device India Limited |
| 258947 | BF200 | Mocy Tranzystor krzemowy ma.ej,
wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 258948 | BF200 | Wielkiej cz?otliwo.ci Tranzystor
specjalny | Ultra CEMI |
| 258949 | BF200 | 0.150W общего назначения NPN Металл Может транзистора. 20V VCEO, 0.020A Ic, 15 - 40 HFE. | Continental Device India Limited |
| 258950 | BF2000 | Тетрод mosfet канала н кремния (для применений
vhf специально для этапов входного сигнала и смесителя с широким
настраивая рядом например в тюнерах CATV) | Siemens |
| 258951 | BF2000W | Тетрод mosfet канала н кремния (транзистор
Скоро-kanala с высоким фактором качества S/C для
малошумного, приобретать-gain-controlled входного сигнала ставит
up to 1 гигагерц) | Siemens |
| 258952 | BF2030 | Интегрированное RF-MOSFET - semi склоняющ
сеть, VDS=5V, gfs=31mS, Gp=23dB, F=1.5dB | Infineon |
| 258953 | BF2030 | Тетрод mosfet Н-Kanala кремния (для низкого
шума, входной сигнал высокого увеличения controlled ставит до
рабочего потенциала 5V 1GHz) | Siemens |
| 258954 | BF2030R | Интегрированное RF-MOSFET - semi склоняющ
сеть, VDS=5V, gfs=31mS, Gp=23dB, F=1.5dB | Infineon |
| 258955 | BF2030W | Интегрированное RF-MOSFET - semi склоняющ
сеть, VDS=5V, gfs=31mS, Gp=23dB, F=1.5dB | Infineon |
| 258956 | BF2030W | Тетрод mosfet Н-Kanala кремния (для низкого
шума, входной сигнал высокого увеличения controlled ставит до
рабочего потенциала 5V 1GHz) | Siemens |
| 258957 | BF2040 | Интегрированное RF-MOSFET - semi склоняющ
сеть, VDS=5V, gfs=41mS, Gp=23dB, F=1.5dB | Infineon |
| 258958 | BF2040 | Тетрод mosfet Н-Kanala кремния (для низкого
шума, входной сигнал высокого увеличения controlled ставит до
рабочего потенциала 5V 1GHz) | Siemens |
| 258959 | BF2040R | Интегрированное RF-MOSFET - semi склоняющ
сеть, VDS=5V, gfs=41mS, Gp=23dB, F=1.5dB | Infineon |
| 258960 | BF2040W | Интегрированное RF-MOSFET - semi склоняющ
сеть, VDS=5V, gfs=41mS, Gp=23dB, F=1.5dB | Infineon |
| | | |
