| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 42841 | 28LV010RT4DE25 | 3,3 1 Мбит (128K х 8 бит) - EEPROM | Maxwell Technologies |
| 42842 | 28LV010RT4DI20 | 3,3 1 Мбит (128K х 8 бит) - EEPROM | Maxwell Technologies |
| 42843 | 28LV010RT4DI25 | 3,3 1 Мбит (128K х 8 бит) - EEPROM | Maxwell Technologies |
| 42844 | 28LV010RT4DS20 | 3,3 1 Мбит (128K х 8 бит) - EEPROM | Maxwell Technologies |
| 42845 | 28LV010RT4DS25 | 3,3 1 Мбит (128K х 8 бит) - EEPROM | Maxwell Technologies |
| 42846 | 28LV010RT4FB20 | 3,3 1 Мбит (128K х 8 бит) - EEPROM | Maxwell Technologies |
| 42847 | 28LV010RT4FB25 | 3,3 1 Мбит (128K х 8 бит) - EEPROM | Maxwell Technologies |
| 42848 | 28LV010RT4FE20 | 3,3 1 Мбит (128K х 8 бит) - EEPROM | Maxwell Technologies |
| 42849 | 28LV010RT4FE25 | 3,3 1 Мбит (128K х 8 бит) - EEPROM | Maxwell Technologies |
| 42850 | 28LV010RT4FI20 | 3,3 1 Мбит (128K х 8 бит) - EEPROM | Maxwell Technologies |
| 42851 | 28LV010RT4FI25 | 3,3 1 Мбит (128K х 8 бит) - EEPROM | Maxwell Technologies |
| 42852 | 28LV010RT4FS20 | 3,3 1 Мбит (128K х 8 бит) - EEPROM | Maxwell Technologies |
| 42853 | 28LV010RT4FS25 | 3,3 1 Мбит (128K х 8 бит) - EEPROM | Maxwell Technologies |
| 42854 | 28LV256JC-3 | Скорость: 200 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
| 42855 | 28LV256JC-3 | Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 200 нс. | Turbo IC |
| 42856 | 28LV256JC-4 | Скорость: 250 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
| 42857 | 28LV256JC-4 | Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 250 нс. | Turbo IC |
| 42858 | 28LV256JC-5 | Скорость: 300 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
| 42859 | 28LV256JC-5 | Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 300 нс. | Turbo IC |
| 42860 | 28LV256JC-6 | Скорость: 400 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
| 42861 | 28LV256JC-6 | Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 400 нс. | Turbo IC |
| 42862 | 28LV256JI-3 | Скорость: 200 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
| 42863 | 28LV256JI-3 | Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 200 нс. | Turbo IC |
| 42864 | 28LV256JI-4 | Скорость: 250 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
| 42865 | 28LV256JI-4 | Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 250 нс. | Turbo IC |
| 42866 | 28LV256JI-5 | Скорость: 300 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
| 42867 | 28LV256JI-5 | Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 300 нс. | Turbo IC |
| 42868 | 28LV256JI-6 | Скорость: 400 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
| 42869 | 28LV256JI-6 | Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 400 нс. | Turbo IC |
| 42870 | 28LV256JM-3 | Скорость: 200 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
| 42871 | 28LV256JM-3 | Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 200 нс. | Turbo IC |
| 42872 | 28LV256JM-4 | Скорость: 250 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
| 42873 | 28LV256JM-4 | Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 250 нс. | Turbo IC |
| 42874 | 28LV256JM-5 | Скорость: 300 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
| 42875 | 28LV256JM-5 | Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 300 нс. | Turbo IC |
| 42876 | 28LV256JM-6 | Скорость: 400 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
| 42877 | 28LV256JM-6 | Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 400 нс. | Turbo IC |
| 42878 | 28LV256PC-3 | Скорость: 200 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
| 42879 | 28LV256PC-3 | Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 200 нс. | Turbo IC |
| 42880 | 28LV256PC-4 | Скорость: 250 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
| | | |
