Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
47801 | 2N5633 | Двухполярное приспособление NPN в герметично
загерметизированном пакете металла TO3 | SemeLAB |
47802 | 2N5633 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | Central Semiconductor |
47803 | 2N5634 | Двухполярное приспособление NPN в герметично
загерметизированном пакете металла TO3 | SemeLAB |
47804 | 2N5634 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | Central Semiconductor |
47805 | 2N5634 | Двухполярное приспособление NPN в герметично
загерметизированном пакете металла TO3 | SemeLAB |
47806 | 2N5634 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | Central Semiconductor |
47807 | 2N5638 | Переключатель Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
47808 | 2N5638 | Транзисторы Тяпки JFET | ON Semiconductor |
47809 | 2N5638 | Переключатель JFET N-канал | Intersil |
47810 | 2N5638-D | Н-Kanal Транзисторов Тяпки JFET - Расход | ON Semiconductor |
47811 | 2N5638RLRA | Транзисторы Тяпки JFET | ON Semiconductor |
47812 | 2N5638_D26Z | Переключатель Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
47813 | 2N5639 | Переключатель Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
47814 | 2N5639 | Транзисторы Тяпки JFET | ON Semiconductor |
47815 | 2N5639 | Переключатель JFET N-канал | Intersil |
47816 | 2N5639RLRA | Транзисторы Тяпки JFET | ON Semiconductor |
47817 | 2N5639_D26Z | Переключатель Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
47818 | 2N5639_D75Z | Переключатель Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
47819 | 2N5640 | Н-Kanal JFETs | Taitron Components |
47820 | 2N5640 | Н-Kanal JFETs | Taitron Components |
47821 | 2N5640 | Переключатель JFET N-канал | Intersil |
47822 | 2N5641 | 7W/$$ET-20W/$$ET-40W, 28V, ТРАНЗИСТОР СИЛЫ
VHF | ST Microelectronics |
47823 | 2N5641 | 7W/$$ET-20W/$$ET-40W, 28V, ТРАНЗИСТОР СИЛЫ
VHF | ST Microelectronics |
47824 | 2N5641 | V (СВО): 65V; V (генеральный директор): 35V; V (EBO): 4V; 15W; УКВ мощный транзистор | SGS Thomson Microelectronics |
47825 | 2N5642 | 7W/$$ET-20W/$$ET-40W, 28V, ТРАНЗИСТОР СИЛЫ
VHF | ST Microelectronics |
47826 | 2N5642 | 7W/$$ET-20W/$$ET-40W, 28V, ТРАНЗИСТОР СИЛЫ
VHF | ST Microelectronics |
47827 | 2N5642 | V (генеральный директор): 35V; V (CB): 65V; V (EB): 4V; 3А; 30W; NPN-транзистор питания кремния РФ | Motorola |
47828 | 2N5642 | V (СВО): 65V; V (генеральный директор): 35V; V (EBO): 4V; 30W; УКВ мощный транзистор | SGS Thomson Microelectronics |
47829 | 2N5643 | ТРАНЗИСТОР СИЛЫ RF КРЕМНИЯ NPN | Advanced Semiconductor |
47830 | 2N5643 | 7W/$$ET-20W/$$ET-40W, 28V, ТРАНЗИСТОР СИЛЫ
VHF | ST Microelectronics |
47831 | 2N5643 | ТРАНЗИСТОР СИЛЫ RF КРЕМНИЯ NPN | Advanced Semiconductor |
47832 | 2N5643 | 7W/$$ET-20W/$$ET-40W, 28V, ТРАНЗИСТОР СИЛЫ
VHF | ST Microelectronics |
47833 | 2N5643 | V (СВО): 65V; V (генеральный директор): 35V; V (EBO): 4V; 60W; УКВ мощный транзистор | SGS Thomson Microelectronics |
47834 | 2N5655 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
47835 | 2N5655 | Пластичный Транзистор Силы Высок-Napr4jeni4 тока
Кремния NPN | ON Semiconductor |
47836 | 2N5655-D | Пластичный Транзистор Силы Высок-Napr4jeni4 тока
Кремния NPN | ON Semiconductor |
47837 | 2N5656 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
47838 | 2N5656 | КРЕМНИЙ ТРАНЗИСТОРОВ СИЛЫ NPN | ON Semiconductor |
47839 | 2N5657 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN | ST Microelectronics |
47840 | 2N5657 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| | | |