|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 1191 | 1192 | 1193 | 1194 | 1195 | 1196 | 1197 | 1198 | 1199 | 1200 | 1201 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
478012N5633Двухполярное приспособление NPN в герметично загерметизированном пакете металла TO3SemeLAB
478022N5633ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯCentral Semiconductor
478032N5634Двухполярное приспособление NPN в герметично загерметизированном пакете металла TO3SemeLAB
478042N5634ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯCentral Semiconductor
478052N5634Двухполярное приспособление NPN в герметично загерметизированном пакете металла TO3SemeLAB
478062N5634ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯCentral Semiconductor
478072N5638Переключатель Н-KanalaFairchild Semiconductor
478082N5638Транзисторы Тяпки JFETON Semiconductor
478092N5638Переключатель JFET N-каналIntersil
478102N5638-DН-Kanal Транзисторов Тяпки JFET - РасходON Semiconductor
478112N5638RLRAТранзисторы Тяпки JFETON Semiconductor
478122N5638_D26ZПереключатель Н-KanalaFairchild Semiconductor
478132N5639Переключатель Н-KanalaFairchild Semiconductor
478142N5639Транзисторы Тяпки JFETON Semiconductor
478152N5639Переключатель JFET N-каналIntersil
478162N5639RLRAТранзисторы Тяпки JFETON Semiconductor
478172N5639_D26ZПереключатель Н-KanalaFairchild Semiconductor
478182N5639_D75ZПереключатель Н-KanalaFairchild Semiconductor
478192N5640Н-Kanal JFETsTaitron Components
478202N5640Н-Kanal JFETsTaitron Components
478212N5640Переключатель JFET N-каналIntersil
478222N56417W/$$ET-20W/$$ET-40W, 28V, ТРАНЗИСТОР СИЛЫ VHFST Microelectronics
478232N56417W/$$ET-20W/$$ET-40W, 28V, ТРАНЗИСТОР СИЛЫ VHFST Microelectronics
478242N5641V (СВО): 65V; V (генеральный директор): 35V; V (EBO): 4V; 15W; УКВ мощный транзисторSGS Thomson Microelectronics
478252N56427W/$$ET-20W/$$ET-40W, 28V, ТРАНЗИСТОР СИЛЫ VHFST Microelectronics
478262N56427W/$$ET-20W/$$ET-40W, 28V, ТРАНЗИСТОР СИЛЫ VHFST Microelectronics
478272N5642V (генеральный директор): 35V; V (CB): 65V; V (EB): 4V; 3А; 30W; NPN-транзистор питания кремния РФMotorola
478282N5642V (СВО): 65V; V (генеральный директор): 35V; V (EBO): 4V; 30W; УКВ мощный транзисторSGS Thomson Microelectronics
478292N5643ТРАНЗИСТОР СИЛЫ RF КРЕМНИЯ NPNAdvanced Semiconductor
478302N56437W/$$ET-20W/$$ET-40W, 28V, ТРАНЗИСТОР СИЛЫ VHFST Microelectronics
478312N5643ТРАНЗИСТОР СИЛЫ RF КРЕМНИЯ NPNAdvanced Semiconductor
478322N56437W/$$ET-20W/$$ET-40W, 28V, ТРАНЗИСТОР СИЛЫ VHFST Microelectronics
478332N5643V (СВО): 65V; V (генеральный директор): 35V; V (EBO): 4V; 60W; УКВ мощный транзисторSGS Thomson Microelectronics
478342N5655Освинцованное General purpose Транзистора СилыCentral Semiconductor
478352N5655Пластичный Транзистор Силы Высок-Napr4jeni4 тока Кремния NPNON Semiconductor
478362N5655-DПластичный Транзистор Силы Высок-Napr4jeni4 тока Кремния NPNON Semiconductor
478372N5656Освинцованное General purpose Транзистора СилыCentral Semiconductor
478382N5656КРЕМНИЙ ТРАНЗИСТОРОВ СИЛЫ NPNON Semiconductor
478392N5657ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPNST Microelectronics
478402N5657ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPNSGS Thomson Microelectronics
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 1191 | 1192 | 1193 | 1194 | 1195 | 1196 | 1197 | 1198 | 1199 | 1200 | 1201 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com