Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
47801 | 2N5633 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
47802 | 2N5633 | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE SILICIUM | Central Semiconductor |
47803 | 2N5634 | Dispositif Bipolaire de NPN | SemeLAB |
47804 | 2N5634 | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE SILICIUM | Central Semiconductor |
47805 | 2N5634 | Dispositif Bipolaire de NPN | SemeLAB |
47806 | 2N5634 | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE SILICIUM | Central Semiconductor |
47807 | 2N5638 | Commutateur De N-Canal | Fairchild Semiconductor |
47808 | 2N5638 | Transistors De Découpeur de JFET | ON Semiconductor |
47809 | 2N5638 | Interrupteur JFET à canal N | Intersil |
47810 | 2N5638-D | N-Canal De Transistors De Découpeur de JFET - Épuisement | ON Semiconductor |
47811 | 2N5638RLRA | Transistors De Découpeur de JFET | ON Semiconductor |
47812 | 2N5638_D26Z | Commutateur De N-Canal | Fairchild Semiconductor |
47813 | 2N5639 | Commutateur De N-Canal | Fairchild Semiconductor |
47814 | 2N5639 | Transistors De Découpeur de JFET | ON Semiconductor |
47815 | 2N5639 | Interrupteur JFET à canal N | Intersil |
47816 | 2N5639RLRA | Transistors De Découpeur de JFET | ON Semiconductor |
47817 | 2N5639_D26Z | Commutateur De N-Canal | Fairchild Semiconductor |
47818 | 2N5639_D75Z | Commutateur De N-Canal | Fairchild Semiconductor |
47819 | 2N5640 | N-Canal JFETs | Taitron Components |
47820 | 2N5640 | N-Canal JFETs | Taitron Components |
47821 | 2N5640 | Interrupteur JFET à canal N | Intersil |
47822 | 2N5641 | 7W/20W/40W, 28V, TRANSISTOR DE PUISSANCE DE VHF | ST Microelectronics |
47823 | 2N5641 | 7W/20W/40W, 28V, TRANSISTOR DE PUISSANCE DE VHF | ST Microelectronics |
47824 | 2N5641 | V (CBO): 65V; V (CEO): 35V; V (EBO): 4V; 15W; Transistor de puissance VHF | SGS Thomson Microelectronics |
47825 | 2N5642 | 7W/20W/40W, 28V, TRANSISTOR DE PUISSANCE DE VHF | ST Microelectronics |
47826 | 2N5642 | 7W/20W/40W, 28V, TRANSISTOR DE PUISSANCE DE VHF | ST Microelectronics |
47827 | 2N5642 | V (CEO): 35V; V (CB): 65V; V (eb): 4V; 3A; 30W; Transistor NPN de puissance RF de silicium | Motorola |
47828 | 2N5642 | V (CBO): 65V; V (CEO): 35V; V (EBO): 4V; 30W; Transistor de puissance VHF | SGS Thomson Microelectronics |
47829 | 2N5643 | TRANSISTOR DE PUISSANCE DU SILICIUM RF DE NPN | Advanced Semiconductor |
47830 | 2N5643 | 7W/20W/40W, 28V, TRANSISTOR DE PUISSANCE DE VHF | ST Microelectronics |
47831 | 2N5643 | TRANSISTOR DE PUISSANCE DU SILICIUM RF DE NPN | Advanced Semiconductor |
47832 | 2N5643 | 7W/20W/40W, 28V, TRANSISTOR DE PUISSANCE DE VHF | ST Microelectronics |
47833 | 2N5643 | V (CBO): 65V; V (CEO): 35V; V (EBO): 4V; 60W; Transistor de puissance VHF | SGS Thomson Microelectronics |
47834 | 2N5655 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
47835 | 2N5655 | Transistor De Puissance À haute tension De Silicium En plastique de NPN | ON Semiconductor |
47836 | 2N5655-D | Transistor De Puissance À haute tension De Silicium En plastique de NPN | ON Semiconductor |
47837 | 2N5656 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
47838 | 2N5656 | SILICIUM DES TRANSISTORS DE PUISSANCE NPN | ON Semiconductor |
47839 | 2N5657 | TRANSISTOR DU SILICIUM NPN | ST Microelectronics |
47840 | 2N5657 | TRANSISTOR DU SILICIUM NPN | SGS Thomson Microelectronics |
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