| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 47761 | 2N5582 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 47762 | 2N5582 | Polarité NPN De la Géométrie 0400 Du Type 2C222À De Morceau | Semicoa Semiconductor |
| 47763 | 2N5597 | Dispositif bipolaire de PNP dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO66 | SemeLAB |
| 47764 | 2N5597 | Dispositif bipolaire de PNP dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO66 | SemeLAB |
| 47765 | 2N5599 | Dispositif bipolaire de PNP dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO66 | SemeLAB |
| 47766 | 2N5600 | Dispositif bipolaire de PNP dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO66 | SemeLAB |
| 47767 | 2N5601 | Dispositif bipolaire de PNP dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO66 | SemeLAB |
| 47768 | 2N5603 | Dispositif bipolaire de PNP dans un paquet hermétiquement scellé enmétal TO66. | SemeLAB |
| 47769 | 2N5603 | Dispositif bipolaire de PNP dans un paquet hermétiquement scellé enmétal TO66. | SemeLAB |
| 47770 | 2N5605 | Dispositif bipolaire de PNP dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO66 | SemeLAB |
| 47771 | 2N5606 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3. | SemeLAB |
| 47772 | 2N5608 | Le dispositif bipolaire de NPN a hermétiquement scellé le paquet enmétal TO66 | SemeLAB |
| 47773 | 2N5608 | Le dispositif bipolaire de NPN a hermétiquement scellé le paquet enmétal TO66 | SemeLAB |
| 47774 | 2N5609 | Transistors Du Silicium PNP | Inchange Semiconductor |
| 47775 | 2N5609 | Transistors Du Silicium PNP | Inchange Semiconductor |
| 47776 | 2N5611 | Dispositif bipolaire de PNP dans un paquet hermétiquement scellé en métal to66. | SemeLAB |
| 47777 | 2N5613 | Dispositif Bipolaire de PNP | SemeLAB |
| 47778 | 2N5613 | Dispositif Bipolaire de PNP | SemeLAB |
| 47779 | 2N5617 | Dispositif bipolaire de PNP dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
| 47780 | 2N5619 | Dispositif bipolaire de PNP dans un paquet hermétiquement scellé en métal to3. | SemeLAB |
| 47781 | 2N5620 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
| 47782 | 2N5620 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
| 47783 | 2N5622 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
| 47784 | 2N5623 | Dispositif bipolaire de PNP dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
| 47785 | 2N5623 | Dispositif bipolaire de PNP dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
| 47786 | 2N5629 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | Central Semiconductor |
| 47787 | 2N5629 | Silicon NPN épitaxiale-base du transistor de puissance élevée. 100V, 200W. | General Electric Solid State |
| 47788 | 2N5630 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | Central Semiconductor |
| 47789 | 2N5630 | Dispositif Bipolaire de NPN | SemeLAB |
| 47790 | 2N5630 | Silicon NPN épitaxiale-base du transistor de puissance élevée. 120V, 200W. | General Electric Solid State |
| 47791 | 2N5630 | Tension collecteur-émetteur / base: 120Vdc; 16A; haute tension, le transistor à haute puissance. Pour les applications haute puissance de l'amplificateur audio et des circuits de régulateur de commutation haute tension | Motorola |
| 47792 | 2N5631 | Transistors De haute puissance À haute tension | ON Semiconductor |
| 47793 | 2N5631 | Silicon NPN épitaxiale-base du transistor de puissance élevée. 140V, 200W. | General Electric Solid State |
| 47794 | 2N5631 | Tension collecteur-émetteur / base: 140Vdc; 16A; haute tension, le transistor à haute puissance. Pour les applications haute puissance de l'amplificateur audio et des circuits de régulateur de commutation haute tension | Motorola |
| 47795 | 2N5631 | Transistor NPN, 140V, 16A | SemeLAB |
| 47796 | 2N5631-D | À haute tension - Transistors De Puissance Élevée | ON Semiconductor |
| 47797 | 2N5632 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 47798 | 2N5632 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
| 47799 | 2N5633 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
| 47800 | 2N5633 | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE SILICIUM | Central Semiconductor |
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