| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 47761 | 2N5582 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 47762 | 2N5582 | Span-Art Polarität NPN der 2C2222A Geometrie-0400 | Semicoa Semiconductor |
| 47763 | 2N5597 | Zweipolige PNP Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto66 | SemeLAB |
| 47764 | 2N5597 | Zweipolige PNP Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto66 | SemeLAB |
| 47765 | 2N5599 | Zweipolige PNP Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto66 | SemeLAB |
| 47766 | 2N5600 | Zweipolige PNP Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto66 | SemeLAB |
| 47767 | 2N5601 | Zweipolige PNP Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto66 | SemeLAB |
| 47768 | 2N5603 | Zweipolige PNP Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto66. | SemeLAB |
| 47769 | 2N5603 | Zweipolige PNP Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto66. | SemeLAB |
| 47770 | 2N5605 | Zweipolige PNP Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto66 | SemeLAB |
| 47771 | 2N5606 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3. | SemeLAB |
| 47772 | 2N5608 | Zweipoliges paket des NPN Vorrichtung hermetisch Siegel-Metallto66 | SemeLAB |
| 47773 | 2N5608 | Zweipoliges paket des NPN Vorrichtung hermetisch Siegel-Metallto66 | SemeLAB |
| 47774 | 2N5609 | Transistoren Des Silikon-PNP | Inchange Semiconductor |
| 47775 | 2N5609 | Transistoren Des Silikon-PNP | Inchange Semiconductor |
| 47776 | 2N5611 | Zweipolige PNP Vorrichtung in einem hermetisch Siegelpaket des Metallto66. | SemeLAB |
| 47777 | 2N5613 | Zweipolige PNP Vorrichtung | SemeLAB |
| 47778 | 2N5613 | Zweipolige PNP Vorrichtung | SemeLAB |
| 47779 | 2N5617 | Zweipolige PNP Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3 | SemeLAB |
| 47780 | 2N5619 | Zweipolige PNP Vorrichtung in einem hermetisch Siegelpaket des Metallto3. | SemeLAB |
| 47781 | 2N5620 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3 | SemeLAB |
| 47782 | 2N5620 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3 | SemeLAB |
| 47783 | 2N5622 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3 | SemeLAB |
| 47784 | 2N5623 | Zweipolige PNP Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3 | SemeLAB |
| 47785 | 2N5623 | Zweipolige PNP Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3 | SemeLAB |
| 47786 | 2N5629 | ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | Central Semiconductor |
| 47787 | 2N5629 | Silikon-NPN Epitaxial-Basishochleistungstransistor. 100V, 200W. | General Electric Solid State |
| 47788 | 2N5630 | ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | Central Semiconductor |
| 47789 | 2N5630 | Zweipolige NPN Vorrichtung | SemeLAB |
| 47790 | 2N5630 | Silikon-NPN Epitaxial-Basishochleistungstransistor. 120V, 200W. | General Electric Solid State |
| 47791 | 2N5630 | Kollektor-Emitter / Basis-Spannung: 120Vdc; 16Amp; Hochspannungs-Hochleistungstransistor. Für hohe Leistung Audio-Verstärker-Anwendungen und Hochspannungsschaltreglerschaltungen | Motorola |
| 47792 | 2N5631 | Hoch-Spannung Hoch-Energie Transistoren | ON Semiconductor |
| 47793 | 2N5631 | Silikon-NPN Epitaxial-Basishochleistungstransistor. 140V, 200W. | General Electric Solid State |
| 47794 | 2N5631 | Kollektor-Emitter / Basis-Spannung: 140Vdc; 16Amp; Hochspannungs-Hochleistungstransistor. Für hohe Leistung Audio-Verstärker-Anwendungen und Hochspannungsschaltreglerschaltungen | Motorola |
| 47795 | 2N5631 | NPN-Transistor, 140V, 16A | SemeLAB |
| 47796 | 2N5631-D | Hoch-Spannung - Hohe Energie Transistoren | ON Semiconductor |
| 47797 | 2N5632 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 47798 | 2N5632 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3 | SemeLAB |
| 47799 | 2N5633 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3 | SemeLAB |
| 47800 | 2N5633 | SILIKON-ENERGIE TRANSISTOR | Central Semiconductor |
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