| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 47641 | 2N5496 | 50.000W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 70V Vceo, 7.000A Ic, 20-100 hFE | Continental Device India Limited |
| 47642 | 2N5496 | Silikon-NPN VERSAWATT Transistor. 90V, 50W. | General Electric Solid State |
| 47643 | 2N5497 | Silikon-NPN VERSAWATT Transistor. 90V, 50W. | General Electric Solid State |
| 47644 | 2N5515 | DOPPELN FÜHRUNG JFET NIEDRIGER GERÄUSCH-VERSTÄRKER | Intersil |
| 47645 | 2N5516 | DOPPELN FÜHRUNG JFET NIEDRIGER GERÄUSCH-VERSTÄRKER | Intersil |
| 47646 | 2N5517 | DOPPELN FÜHRUNG JFET NIEDRIGER GERÄUSCH-VERSTÄRKER | Intersil |
| 47647 | 2N5518 | DOPPELN FÜHRUNG JFET NIEDRIGER GERÄUSCH-VERSTÄRKER | Intersil |
| 47648 | 2N5519 | DOPPELN FÜHRUNG JFET NIEDRIGER GERÄUSCH-VERSTÄRKER | Intersil |
| 47649 | 2N5520 | DOPPELN FÜHRUNG JFET NIEDRIGER GERÄUSCH-VERSTÄRKER | Intersil |
| 47650 | 2N5521 | DOPPELN FÜHRUNG JFET NIEDRIGER GERÄUSCH-VERSTÄRKER | Intersil |
| 47651 | 2N5522 | DOPPELN FÜHRUNG JFET NIEDRIGER GERÄUSCH-VERSTÄRKER | Intersil |
| 47652 | 2N5523 | DOPPELN FÜHRUNG JFET NIEDRIGER GERÄUSCH-VERSTÄRKER | Intersil |
| 47653 | 2N5524 | DOPPELN FÜHRUNG JFET NIEDRIGER GERÄUSCH-VERSTÄRKER | Intersil |
| 47654 | 2N5545JAN | Monolithischer MilitaryGeneral Zweck | Vishay |
| 47655 | 2N5545JANTX | Monolithische N-Führung JFET Verdoppelt | Vishay |
| 47656 | 2N5545JANTX | Monolithische N-Führung JFET Verdoppelt | Vishay |
| 47657 | 2N5545JANTXV | Monolithische N-Führung JFET Verdoppelt | Vishay |
| 47658 | 2N5545JANTXV | Monolithische N-Führung JFET Verdoppelt | Vishay |
| 47659 | 2N5545TX | Monolithischer MilitaryGeneral Zweck | Vishay |
| 47660 | 2N5545TXV | Monolithischer MilitaryGeneral Zweck | Vishay |
| 47661 | 2N5546 | N-Führung JFET | Allegro MicroSystems |
| 47662 | 2N5546 | N-Führung JFET | National Semiconductor |
| 47663 | 2N5546JAN | Monolithischer MilitaryGeneral Zweck | Vishay |
| 47664 | 2N5546JANTX | Monolithische N-Führung JFET Verdoppelt | Vishay |
| 47665 | 2N5546JANTX | Monolithische N-Führung JFET Verdoppelt | Vishay |
| 47666 | 2N5546JANTXV | Monolithische N-Führung JFET Verdoppelt | Vishay |
| 47667 | 2N5546JANTXV | Monolithische N-Führung JFET Verdoppelt | Vishay |
| 47668 | 2N5546TX | Monolithischer MilitaryGeneral Zweck | Vishay |
| 47669 | 2N5546TXV | Monolithischer MilitaryGeneral Zweck | Vishay |
| 47670 | 2N5547JAN | Monolithischer MilitaryGeneral Zweck | Vishay |
| 47671 | 2N5547JANTX | Monolithische N-Führung JFET Verdoppelt | Vishay |
| 47672 | 2N5547JANTX | Monolithische N-Führung JFET Verdoppelt | Vishay |
| 47673 | 2N5547JANTXV | Monolithische N-Führung JFET Verdoppelt | Vishay |
| 47674 | 2N5547JANTXV | Monolithische N-Führung JFET Verdoppelt | Vishay |
| 47675 | 2N5547TX | Monolithischer MilitaryGeneral Zweck | Vishay |
| 47676 | 2N5547TXV | Monolithischer MilitaryGeneral Zweck | Vishay |
| 47677 | 2N5550 | NPN Hochspannungstransistoren | Philips |
| 47678 | 2N5550 | NPN Epitaxial- Silikon-Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 47679 | 2N5550 | Hochspannungstransistor | Korea Electronics (KEC) |
| 47680 | 2N5550 | NPN Silikon-Epitaxial- Planarer Transistor | Honey Technology |
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