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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
477612N5582Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la SeñalCentral Semiconductor
477622N5582Polaridad NPN De la Geometría 0400 Del Tipo 2C222À De la VirutaSemicoa Semiconductor
477632N5597Dispositivo bipolar de PNP en un paquete hermético sellado del metal TO66SemeLAB
477642N5597Dispositivo bipolar de PNP en un paquete hermético sellado del metal TO66SemeLAB
477652N5599Dispositivo bipolar de PNP en un paquete hermético sellado del metal TO66SemeLAB
477662N5600Dispositivo bipolar de PNP en un paquete hermético sellado del metal TO66SemeLAB
477672N5601Dispositivo bipolar de PNP en un paquete hermético sellado del metal TO66SemeLAB
477682N5603Dispositivo bipolar de PNP en un paquete hermético sellado del metal TO66.SemeLAB
477692N5603Dispositivo bipolar de PNP en un paquete hermético sellado del metal TO66.SemeLAB
477702N5605Dispositivo bipolar de PNP en un paquete hermético sellado del metal TO66SemeLAB
477712N5606Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO3.SemeLAB
477722N5608Paquete hermético sellado bipolar del metal TO66 del dispositivo de NPNSemeLAB
477732N5608Paquete hermético sellado bipolar del metal TO66 del dispositivo de NPNSemeLAB
477742N5609Transistores Del Silicio PNPInchange Semiconductor
477752N5609Transistores Del Silicio PNPInchange Semiconductor
477762N5611Dispositivo bipolar de PNP en un paquete hermético sellado del metal to66.SemeLAB
477772N5613Dispositivo Bipolar de PNPSemeLAB
477782N5613Dispositivo Bipolar de PNPSemeLAB
477792N5617Dispositivo bipolar de PNP en un paquete hermético sellado del metal TO3SemeLAB



477802N5619Dispositivo bipolar de PNP en un paquete hermético sellado del metal to3.SemeLAB
477812N5620Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO3SemeLAB
477822N5620Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO3SemeLAB
477832N5622Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO3SemeLAB
477842N5623Dispositivo bipolar de PNP en un paquete hermético sellado del metal TO3SemeLAB
477852N5623Dispositivo bipolar de PNP en un paquete hermético sellado del metal TO3SemeLAB
477862N5629TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIOCentral Semiconductor
477872N5629Epitaxial del silicio NPN-base del transistor de alta potencia. 100V, 200W.General Electric Solid State
477882N5630TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIOCentral Semiconductor
477892N5630Dispositivo Bipolar de NPNSemeLAB
477902N5630Epitaxial del silicio NPN-base del transistor de alta potencia. 120V, 200W.General Electric Solid State
477912N5630Colector-emisor de tensión / base: 120Vdc; 16Amp; de alto voltaje, el transistor de alta potencia. Para aplicaciones de alta potencia del amplificador de audio y circuitos reguladores de conmutación de alta tensiónMotorola
477922N5631Transistores De alta potencia De alto voltajeON Semiconductor
477932N5631Epitaxial del silicio NPN-base del transistor de alta potencia. 140V, 200W.General Electric Solid State
477942N5631Colector-emisor de tensión / base: 140Vdc; 16Amp; de alto voltaje, el transistor de alta potencia. Para aplicaciones de alta potencia del amplificador de audio y circuitos reguladores de conmutación de alta tensiónMotorola
477952N5631Transistor NPN, 140V, 16ASemeLAB
477962N5631-DDe alto voltaje - Transistores De Alta EnergíaON Semiconductor
477972N5632Fines generales Plomados Del Transistor De EnergíaCentral Semiconductor
477982N5632Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO3SemeLAB
477992N5633Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO3SemeLAB
478002N5633TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL SILICIOCentral Semiconductor
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