Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
47801 | 2N5633 | Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO3 | SemeLAB |
47802 | 2N5633 | TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL SILICIO | Central Semiconductor |
47803 | 2N5634 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
47804 | 2N5634 | TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL SILICIO | Central Semiconductor |
47805 | 2N5634 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
47806 | 2N5634 | TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL SILICIO | Central Semiconductor |
47807 | 2N5638 | Interruptor Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
47808 | 2N5638 | Transistores Del Interruptor de JFET | ON Semiconductor |
47809 | 2N5638 | Interruptor JFET de canal N | Intersil |
47810 | 2N5638-D | N-Canal De los Transistores Del Interruptor de JFET - Agotamiento | ON Semiconductor |
47811 | 2N5638RLRA | Transistores Del Interruptor de JFET | ON Semiconductor |
47812 | 2N5638_D26Z | Interruptor Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
47813 | 2N5639 | Interruptor Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
47814 | 2N5639 | Transistores Del Interruptor de JFET | ON Semiconductor |
47815 | 2N5639 | Interruptor JFET de canal N | Intersil |
47816 | 2N5639RLRA | Transistores Del Interruptor de JFET | ON Semiconductor |
47817 | 2N5639_D26Z | Interruptor Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
47818 | 2N5639_D75Z | Interruptor Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
47819 | 2N5640 | N-Canal JFETs | Taitron Components |
47820 | 2N5640 | N-Canal JFETs | Taitron Components |
47821 | 2N5640 | Interruptor JFET de canal N | Intersil |
47822 | 2N5641 | 7W/20W/40W, 28V, TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL VHF | ST Microelectronics |
47823 | 2N5641 | 7W/20W/40W, 28V, TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL VHF | ST Microelectronics |
47824 | 2N5641 | V (CBO): 65V; V (CEO): 35V; V (EBO): 4V; 15W; Transistor de potencia VHF | SGS Thomson Microelectronics |
47825 | 2N5642 | 7W/20W/40W, 28V, TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL VHF | ST Microelectronics |
47826 | 2N5642 | 7W/20W/40W, 28V, TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL VHF | ST Microelectronics |
47827 | 2N5642 | V (ceo): 35V; V (cb): 65V; V (eb): 4V; 3A; 30W; NPN de silicio transistor de potencia RF | Motorola |
47828 | 2N5642 | V (CBO): 65V; V (CEO): 35V; V (EBO): 4V; 30W; Transistor de potencia VHF | SGS Thomson Microelectronics |
47829 | 2N5643 | TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL RF DEL SILICIO DE NPN | Advanced Semiconductor |
47830 | 2N5643 | 7W/20W/40W, 28V, TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL VHF | ST Microelectronics |
47831 | 2N5643 | TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL RF DEL SILICIO DE NPN | Advanced Semiconductor |
47832 | 2N5643 | 7W/20W/40W, 28V, TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL VHF | ST Microelectronics |
47833 | 2N5643 | V (CBO): 65V; V (CEO): 35V; V (EBO): 4V; 60W; Transistor de potencia VHF | SGS Thomson Microelectronics |
47834 | 2N5655 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
47835 | 2N5655 | Transistor De Energía De alto voltaje Del Silicio Plástico de NPN | ON Semiconductor |
47836 | 2N5655-D | Transistor De Energía De alto voltaje Del Silicio Plástico de NPN | ON Semiconductor |
47837 | 2N5656 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
47838 | 2N5656 | SILICIO DE LOS TRANSISTORES DE ENERGÍA NPN | ON Semiconductor |
47839 | 2N5657 | TRANSISTOR DEL SILICIO NPN | ST Microelectronics |
47840 | 2N5657 | TRANSISTOR DEL SILICIO NPN | SGS Thomson Microelectronics |
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