| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 499321 | HM51S4260AZ-7 | 70 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiï оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 499322 | HM51S4260AZ-8 | 80 не; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÐ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
| 499323 | HM51S4260CJ-6 | 60 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiú оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 499324 | HM51S4260CJ-6R | 60 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит динамической памяти с произвольным доступом | Hitachi Semiconductor |
| 499325 | HM51S4260CJ-7 | 70 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiß оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 499326 | HM51S4260CJ-8 | 80 не; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит динамин оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 499327 | HM51S4260CLJ-6 | 60 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÈ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
| 499328 | HM51S4260CLJ-6R | 60 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamié оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 499329 | HM51S4260CLJ-7 | 70 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiõ оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 499330 | HM51S4260CLJ-8 | 80 не; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÓ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
| 499331 | HM51S4260CLTT-6 | 60 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamië оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 499332 | HM51S4260CLTT-6R | 60 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÌ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
| 499333 | HM51S4260CLTT-7 | 70 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÊ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
| 499334 | HM51S4260CLTT-8 | 80 не; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamié оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 499335 | HM51S4260CTT-6 | 60 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÎ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
| 499336 | HM51S4260CTT-6R | 60 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamií оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 499337 | HM51S4260CTT-7 | 70 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiï оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 499338 | HM51S4260CTT-8 | 80 не; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiò оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 499339 | HM51S4800AJ-7 | 70 нс; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 499340 | HM51S4800AJ-8 | 80 не; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 499341 | HM51S4800ALJ-7 | 70 нс; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 499342 | HM51S4800ALJ-8 | 80 не; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 499343 | HM51S4800ALRR-7 | 70 нс; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 499344 | HM51S4800ALRR-8 | 80 не; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 499345 | HM51S4800ALTT-7 | 70 нс; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 499346 | HM51S4800ALTT-8 | 80 не; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 499347 | HM51S4800ARR-7 | 70 нс; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 499348 | HM51S4800ARR-8 | 80 не; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 499349 | HM51S4800ATT-7 | 70 нс; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 499350 | HM51S4800ATT-8 | 80 не; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 499351 | HM51S4800CJ-6 | 60 нс; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 499352 | HM51S4800CJ-7 | 70 нс; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 499353 | HM51S4800CJ-8 | 80 не; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 499354 | HM51S4800CJI-7 | 70 нс; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 499355 | HM51S4800CJI-8 | 80 не; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 499356 | HM51S4800CLJ-6 | 60 нс; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 499357 | HM51S4800CLJ-7 | 70 нс; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 499358 | HM51S4800CLJ-8 | 80 не; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 499359 | HM51S4800CLJI-7 | 70 нс; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 499360 | HM51S4800CLJI-8 | 80 не; V (см): от -1 до + 7В; 50 мА; 1W; 524288-слово х 8 бит динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| | | |
