| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 567921 | IRF500 | 50W к АЛЮМИНИЮ РЕЗИСТОРОВ РАНЫ ПРОВОДА ВЫСОКОЙ
СИЛЫ 500W ПЛОСКОМУ СФОРМИРОВАННОМУ РАСКВАРТИРОВАЛО | etc |
| 567922 | IRF500C10RJ | 50W к АЛЮМИНИЮ РЕЗИСТОРОВ РАНЫ ПРОВОДА ВЫСОКОЙ
СИЛЫ 500W ПЛОСКОМУ СФОРМИРОВАННОМУ РАСКВАРТИРОВАЛО | etc |
| 567923 | IRF500C10RJ | 50W к АЛЮМИНИЮ РЕЗИСТОРОВ РАНЫ ПРОВОДА ВЫСОКОЙ
СИЛЫ 500W ПЛОСКОМУ СФОРМИРОВАННОМУ РАСКВАРТИРОВАЛО | etc |
| 567924 | IRF510 | 5.6ЈA, 100V, 0.540 Ома, Mosfet Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 567925 | IRF510 | 100V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
| 567926 | IRF510 | FETs Силы Повышени-Rejima Вертикальные
DMOS Н-Kanala | Supertex Inc |
| 567927 | IRF510 | 5.6ЈA/ 100V/ Mosfet Силы Н-Kanala
0.540 Омов | Intersil |
| 567928 | IRF510 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 100V. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
| 567929 | IRF510 | Мощность MOSFET N-канал, 100 В, 5.6A | Harris Semiconductor |
| 567930 | IRF510-513 | MOSFETs/ 5.5 A/ 60-100V Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 567931 | IRF510A | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Fairchild Semiconductor |
| 567932 | IRF510S | 100V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
| 567933 | IRF510STRL | 100V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
| 567934 | IRF510STRR | 100V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
| 567935 | IRF511 | FETs Силы Повышени-Rejima Вертикальные
DMOS Н-Kanala | Supertex Inc |
| 567936 | IRF511 | MOSFETs/ 5.5 A/ 60-100V Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 567937 | IRF511 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слейте-sourge напряжения 60V. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
| 567938 | IRF511 | Мощность MOSFET N-канал, 80V, 5.6A | Harris Semiconductor |
| 567939 | IRF512 | FETs Силы Повышени-Rejima Вертикальные
DMOS Н-Kanala | Supertex Inc |
| 567940 | IRF512 | MOSFETs/ 5.5 A/ 60-100V Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 567941 | IRF512 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 100V. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 3.5A. | General Electric Solid State |
| 567942 | IRF512 | Мощность MOSFET N-канал, 100 В, 4.9a | Harris Semiconductor |
| 567943 | IRF513 | FETs Силы Повышени-Rejima Вертикальные
DMOS Н-Kanala | Supertex Inc |
| 567944 | IRF513 | MOSFETs/ 5.5 A/ 60-100V Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 567945 | IRF513 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слейте-sourge напряжения 60V. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 3.5A. | General Electric Solid State |
| 567946 | IRF513 | Мощность MOSFET N-канал, 80V, 4.9a | Harris Semiconductor |
| 567947 | IRF520 | 9.2ЈA, 100V, 0.270 Ома, Характеристики
Mosfet Силы Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 567948 | IRF520 | N-CHANNEL 100V - 0.115 ОМА - MOSFET
СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET II СТРОБА 10A TO-220
НИЗКИЙ | ST Microelectronics |
| 567949 | IRF520 | 100V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
| 567950 | IRF520 | Н - ТРАНЗИСТОРЫ Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 567951 | IRF520 | ТРАНЗИСТОРЫ MOS СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
N-CHANNEL | SGS Thomson Microelectronics |
| 567952 | IRF520 | Н - FETs СИЛЫ РЕЖИМА ВЕРТИКАЛЬНЫЕ DMOS
ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА | Supertex Inc |
| 567953 | IRF520 | 9.2ЈA/ 100V/ Mosfet Силы Н-Kanala
0.270 Омов | Intersil |
| 567954 | IRF520A | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Fairchild Semiconductor |
| 567955 | IRF520FI | ТРАНЗИСТОРЫ MOS СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
N-CHANNEL | SGS Thomson Microelectronics |
| 567956 | IRF520FI | Н - ТРАНЗИСТОРЫ Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 567957 | IRF520FI | Н - ТРАНЗИСТОРЫ Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | ST Microelectronics |
| 567958 | IRF520L | Сила MOSFET(Vdss=100V/ Rds(on)=0.20ohm/
Id=9.7A) | International Rectifier |
| 567959 | IRF520N | 100V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
| 567960 | IRF520NL | ПТ питания MOSFET. VDSS = 100V, RDS (на) = 0,20 Ом, ID = 9.7А | International Rectifier |
| | | |
