| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 568001 | IRF530A | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Fairchild Semiconductor |
| 568002 | IRF530F1 | N-канальный MOSFET, 100v, 9А | SGS Thomson Microelectronics |
| 568003 | IRF530FI | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 568004 | IRF530FI | ТРАНЗИСТОРЫ MOS СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
N-CHANNEL | SGS Thomson Microelectronics |
| 568005 | IRF530FI | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | ST Microelectronics |
| 568006 | IRF530FP | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 568007 | IRF530FP | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | ST Microelectronics |
| 568008 | IRF530L | Сила MOSFET(Vdss=100V/ Rds(on)=0.11ohm/
Id=17A) | International Rectifier |
| 568009 | IRF530N | транзистор TrenchMOS(tm) Н-kanala | Philips |
| 568010 | IRF530N | 22ЈA, 100V, 0.064 Ома, Н-Kanal,
Mosfet Силы | Fairchild Semiconductor |
| 568011 | IRF530N | 100V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
| 568012 | IRF530N | 22ЈA/ 100V/ Mosfet Силы Н-Kanala
0.064 Омов | Intersil |
| 568013 | IRF530NL | 100V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-262 | International Rectifier |
| 568014 | IRF530NLPBF | 100V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-262 | International Rectifier |
| 568015 | IRF530NPBF | 100V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
| 568016 | IRF530NS | 100V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
| 568017 | IRF530NSPBF | 100V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
| 568018 | IRF530NSTRL | 100V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
| 568019 | IRF530NSTRR | 100V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
| 568020 | IRF530PBF | 100V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
| 568021 | IRF530S | 100V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
| 568022 | IRF530STRL | 100V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
| 568023 | IRF530STRR | 100V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
| 568024 | IRF531 | ТРАНЗИСТОР ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ СИЛЫ СТРОБА КРЕМНИЯ
TMOS N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE | Motorola |
| 568025 | IRF531 | FETs Силы Повышени-Rejima Вертикальные
DMOS Н-Kanala | Supertex Inc |
| 568026 | IRF531 | MOSFETs/ 20 A/ 60-100 В Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 568027 | IRF531 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 568028 | IRF531 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слейте-sourge напряжения 60V. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 14А. | General Electric Solid State |
| 568029 | IRF531 | N-канальный MOSFET, 80V, 14A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568030 | IRF531F1 | N-канальный MOSFET, 80V, 9А | SGS Thomson Microelectronics |
| 568031 | IRF531FI | ТРАНЗИСТОРЫ Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА Н | ST Microelectronics |
| 568032 | IRF531FI | ТРАНЗИСТОРЫ Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА Н | ST Microelectronics |
| 568033 | IRF532 | ТРАНЗИСТОР ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ СИЛЫ СТРОБА КРЕМНИЯ
TMOS N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE | Motorola |
| 568034 | IRF532 | MOSFETs/ 20 A/ 60-100 В Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 568035 | IRF532 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 568036 | IRF532 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 100V. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 12А. | General Electric Solid State |
| 568037 | IRF532 | N-канальный MOSFET, 100v, 12A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568038 | IRF532F1 | N-канальный MOSFET, 100v, 8А | SGS Thomson Microelectronics |
| 568039 | IRF532FI | ТРАНЗИСТОРЫ Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА Н | ST Microelectronics |
| 568040 | IRF532FI | ТРАНЗИСТОРЫ Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА Н | ST Microelectronics |
| | | |
