| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 568841 | IRF820S | 500V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
| 568842 | IRF820STRL | 500V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
| 568843 | IRF820STRR | 500V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
| 568844 | IRF821 | Строб Кремния TMOS Повышени-Rejima
N-CHANNEL | Motorola |
| 568845 | IRF821 | MOSFETs/ 3.0 A/ 450 V/500
V Силы Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 568846 | IRF821 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 568847 | IRF821 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 450V. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 2.5A. | General Electric Solid State |
| 568848 | IRF821 | N-канальный MOSFET, 450V, 2.5A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568849 | IRF821FI | N-канальный MOSFET, 450V, 2.0A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568850 | IRF822 | MOSFETs/ 3.0 A/ 450 V/500
V Силы Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 568851 | IRF822 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 568852 | IRF822 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 500В. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 2.0A. | General Electric Solid State |
| 568853 | IRF822 | N-канальный режим повышения мощности МОП-транзистор, 500V, 2.8A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568854 | IRF822FI | СИЛА MOSTRANSISTORS РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА Н | ST Microelectronics |
| 568855 | IRF822FI | СИЛА MOSTRANSISTORS РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА Н | ST Microelectronics |
| 568856 | IRF822FI | N-канальный режим повышения мощности МОП-транзистор, 500V, 1.9A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568857 | IRF823 | Строб Кремния TMOS Повышени-Rejima
N-CHANNEL | Motorola |
| 568858 | IRF823 | MOSFETs/ 3.0 A/ 450 V/500
V Силы Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 568859 | IRF823 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 568860 | IRF823 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 450V. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 2.0A. | General Electric Solid State |
| 568861 | IRF823 | N-канальный MOSFET, 450V, 2.2A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568862 | IRF823FI | N-канальный MOSFET, 450V, 1.5A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568863 | IRF82FI | СИЛА MOSTRANSISTORS РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА Н | ST Microelectronics |
| 568864 | IRF82FI | СИЛА MOSTRANSISTORS РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА Н | ST Microelectronics |
| 568865 | IRF830 | 4.5ЈA, 500V, 1.500 Ома, Mosfet Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 568866 | IRF830 | N-CHANNEL 500V - 1.35 ОМА - 4.5ЈA -
MOSFET TO-220 POWERMESH | ST Microelectronics |
| 568867 | IRF830 | 500V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
| 568868 | IRF830 | OPTOCOUPLER 400V MOSFET СИЛЫ/ГЕРМЕТИЧНО
ЗАГЕРМЕТИЗИРОВАННОЕ 50OHM | BayLinear |
| 568869 | IRF830 | Н - КАНАЛ 500V - 1.35W - 4.5ЈA -
Mosfet TO-220 PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 568870 | IRF830 | Энергия лавины транзистора PowerMOS
расклассифицировала | Philips |
| 568871 | IRF830 | 4.5ЈA/ 500V/ Mosfet Силы Н-Kanala
1.500 Омов | Intersil |
| 568872 | IRF830 | MOSFETS СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ N-CHANNEL
ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ | TRSYS |
| 568873 | IRF830 | Поле Мощность Транзистор Влияния | ON Semiconductor |
| 568874 | IRF830 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 500В. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 4.5A. | General Electric Solid State |
| 568875 | IRF830 | 500 V, поле власти транзистор | TRANSYS Electronics Limited |
| 568876 | IRF830-D | Строб Кремния TMOS Режима Повышения Н-Kanala
Транзистора Влияния Поля Силы | ON Semiconductor |
| 568877 | IRF830A | 500V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
| 568878 | IRF830AL | 500V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-262 | International Rectifier |
| 568879 | IRF830APBF | 500V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
| 568880 | IRF830AS | 500V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
| | | |
