| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 568841 | IRF820S | 500V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568842 | IRF820STRL | 500V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568843 | IRF820STRR | 500V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568844 | IRF821 | N-CHANNEL Verbesserung-Modus Silikon-Gatter TMOS | Motorola |
| 568845 | IRF821 | N-Führung Energie MOSFETs/ 3.0 A 450 V/500 V | Fairchild Semiconductor |
| 568846 | IRF821 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 568847 | IRF821 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 450V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 2.5A. | General Electric Solid State |
| 568848 | IRF821 | N-Kanal-MOSFET, 450V, 2.5A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568849 | IRF821FI | N-Kanal-MOSFET, 450V, 2.0A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568850 | IRF822 | N-Führung Energie MOSFETs/ 3.0 A 450 V/500 V | Fairchild Semiconductor |
| 568851 | IRF822 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 568852 | IRF822 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 500V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 2.0A. | General Electric Solid State |
| 568853 | IRF822 | N-Kanal-Anreicherungs-MOS-Leistungstransistor, 500V, 2.8A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568854 | IRF822FI | N FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOSTRANSISTORS | ST Microelectronics |
| 568855 | IRF822FI | N FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOSTRANSISTORS | ST Microelectronics |
| 568856 | IRF822FI | N-Kanal-Anreicherungs-MOS-Leistungstransistor, 500V, 1.9A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568857 | IRF823 | N-CHANNEL Verbesserung-Modus Silikon-Gatter TMOS | Motorola |
| 568858 | IRF823 | N-Führung Energie MOSFETs/ 3.0 A 450 V/500 V | Fairchild Semiconductor |
| 568859 | IRF823 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 568860 | IRF823 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 450V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 2.0A. | General Electric Solid State |
| 568861 | IRF823 | N-Kanal-MOSFET, 450V, 2.2A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568862 | IRF823FI | N-Kanal-MOSFET, 450V, 1.5A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568863 | IRF82FI | N FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOSTRANSISTORS | ST Microelectronics |
| 568864 | IRF82FI | N FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOSTRANSISTORS | ST Microelectronics |
| 568865 | IRF830 | 4.5A, 500V, 1.500 Ohm, N-Führung Energie Mosfet | Fairchild Semiconductor |
| 568866 | IRF830 | N-CHANNEL 500V - 1.35 OHM - 4.5A - TO-220 POWERMESH MOSFET | ST Microelectronics |
| 568867 | IRF830 | 500V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 568868 | IRF830 | ENERGIE MOSFET | BayLinear |
| 568869 | IRF830 | N - FÜHRUNG 500V - 1.35W - 4.5A - TO-220 PowerMESH Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
| 568870 | IRF830 | PowerMOS Transistor Lawine Energie veranschlug | Philips |
| 568871 | IRF830 | 4.5A/ 500V/ 1.500 Ohm N-Führung Energie Mosfet | Intersil |
| 568872 | IRF830 | N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS | TRSYS |
| 568873 | IRF830 | Leistungsfeldeffekttransistor | ON Semiconductor |
| 568874 | IRF830 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 500V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 4.5A. | General Electric Solid State |
| 568875 | IRF830 | 500 V, Leistungsfeldeffekttransistor | TRANSYS Electronics Limited |
| 568876 | IRF830-D | Energie Fangen Effekt-Transistor N-Führung Verbesserung Modus-Silikon-Gatter TMOS auf | ON Semiconductor |
| 568877 | IRF830A | 500V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 568878 | IRF830AL | 500V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262 | International Rectifier |
| 568879 | IRF830APBF | 500V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 568880 | IRF830AS | 500V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
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