| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 568841 | IRF820S | 500V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 568842 | IRF820STRL | 500V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 568843 | IRF820STRR | 500V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 568844 | IRF821 | Porta al silicio Di Aumento-Modo Della N-scanalatura TMOS | Motorola |
| 568845 | IRF821 | Alimentazione Della N-Scanalatura A MOSFETs/3,0/450 V/500 V | Fairchild Semiconductor |
| 568846 | IRF821 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
| 568847 | IRF821 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitŕ ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 450V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 2.5A. | General Electric Solid State |
| 568848 | IRF821 | MOSFET a canale N, 450V, 2.5A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568849 | IRF821FI | MOSFET a canale N, 450V, 2.0A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568850 | IRF822 | Alimentazione Della N-Scanalatura A MOSFETs/3,0/450 V/500 V | Fairchild Semiconductor |
| 568851 | IRF822 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
| 568852 | IRF822 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitŕ ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 500V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 2.0A. | General Electric Solid State |
| 568853 | IRF822 | N-channel mode aumento di potenza transistor MOS, 500V, 2.8A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568854 | IRF822FI | ALIMENTAZIONE MOSTRANSISTORS Di MODO Di AUMENTO Della MANICA Di N | ST Microelectronics |
| 568855 | IRF822FI | ALIMENTAZIONE MOSTRANSISTORS Di MODO Di AUMENTO Della MANICA Di N | ST Microelectronics |
| 568856 | IRF822FI | N-channel mode aumento di potenza transistor MOS, 500V, 1.9A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568857 | IRF823 | Porta al silicio Di Aumento-Modo Della N-scanalatura TMOS | Motorola |
| 568858 | IRF823 | Alimentazione Della N-Scanalatura A MOSFETs/3,0/450 V/500 V | Fairchild Semiconductor |
| 568859 | IRF823 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
| 568860 | IRF823 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitŕ ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 450V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 2.0A. | General Electric Solid State |
| 568861 | IRF823 | MOSFET a canale N, 450V, 2.2A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568862 | IRF823FI | MOSFET a canale N, 450V, 1.5A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568863 | IRF82FI | ALIMENTAZIONE MOSTRANSISTORS Di MODO Di AUMENTO Della MANICA Di N | ST Microelectronics |
| 568864 | IRF82FI | ALIMENTAZIONE MOSTRANSISTORS Di MODO Di AUMENTO Della MANICA Di N | ST Microelectronics |
| 568865 | IRF830 | 4.Ä, 500V, 1,500 Ohm, Mosfet Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 568866 | IRF830 | N-scanalatura 500V - 1,35 OHM - 4.Ä - Mosfet Di To-220 POWERMESH | ST Microelectronics |
| 568867 | IRF830 | 500V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
| 568868 | IRF830 | MOSFET DI ALIMENTAZIONE | BayLinear |
| 568869 | IRF830 | N - MANICA 500V - 1.35W - 4.Ä - Mosfet Di To-220 PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 568870 | IRF830 | L'energia della valanga del transistore di PowerMOS ha valutato | Philips |
| 568871 | IRF830 | Mosfet Di Alimentazione 500V/Di 4.Ä/1,500 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
| 568872 | IRF830 | MODO di AUMENTO Della N-scanalatura | TRSYS |
| 568873 | IRF830 | Potenza Field Effect Transistor | ON Semiconductor |
| 568874 | IRF830 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitŕ ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 500V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 4.5A. | General Electric Solid State |
| 568875 | IRF830 | 500 V, potenza transistor ad effetto di campo | TRANSYS Electronics Limited |
| 568876 | IRF830-D | Porta al silicio Di Modo Di Aumento Della N-Scanalatura Del Transistore Di Effetto Di Campo Di Alimentazione TMOS | ON Semiconductor |
| 568877 | IRF830A | 500V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
| 568878 | IRF830AL | 500V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto To-262 | International Rectifier |
| 568879 | IRF830APBF | 500V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
| 568880 | IRF830AS | 500V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
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