| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 58961 | 2SJ0536 | Small-signal приспособление - small-signal
fETs - fETs mos | Panasonic |
| 58962 | 2SJ0536G | Кремний P-канальный MOSFET | Panasonic |
| 58963 | 2SJ0582 | Приспособление Силы - FETs Mos Силы | Panasonic |
| 58964 | 2SJ0672 | Small-signal приспособление - small-signal
fETs - fETs mos | Panasonic |
| 58965 | 2SJ0674 | Кремний P-канальный МОП полевой транзистор | Panasonic |
| 58966 | 2SJ0674G | Кремний P-канальный МОП полевой транзистор | Panasonic |
| 58967 | 2SJ0675 | Кремний P-канальный MOSFET | Panasonic |
| 58968 | 2SJ103 | Тип соединения канала п кремния транзистора влияния
поля для тональнозвукового усилителя, сетноого-аналогов переключателя,
постоянн течения и применений конвертера импеданса | TOSHIBA |
| 58969 | 2SJ104 | Тип соединения канала п кремния транзистора влияния
поля для тональнозвукового усилителя, сетноого-аналогов переключателя,
постоянн течения и применений конвертера импеданса | TOSHIBA |
| 58970 | 2SJ105 | Тип соединения канала п кремния транзистора влияния
поля для тональнозвукового усилителя, сетноого-аналогов переключателя,
постоянн течения и применений конвертера импеданса | TOSHIBA |
| 58971 | 2SJ106 | Применений Переключателя Применений Усилителя
Тональнозвуковой Частоты Типа Соединения Канала П Кремния Транзистора
Влияния Поля Применения Конвертера Импеданса Применений
Сетноых-аналогов Постоянн В настоящее время | TOSHIBA |
| 58972 | 2SJ107 | Тип соединения канала п кремния транзистора влияния
поля для тональнозвукового усилителя, сетноого-аналогов переключателя,
постоянн течения и применений конвертера импеданса | TOSHIBA |
| 58973 | 2SJ108 | Применения Усилителя Низкого Шума Типа Соединения
Канала П Кремния Транзистора Влияния Поля Тональнозвуковые | TOSHIBA |
| 58974 | 2SJ109 | ТИП СОЕДИНЕНИЯ П CAHNNEL (ПРИМЕНЕНИЯ
ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОГО УСИЛИТЕЛЯ УСИЛИТЕЛЯ НИЗКОГО ШУМА
ТОНАЛЬНОЗВУКОВЫЕ) | TOSHIBA |
| 58975 | 2SJ113 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ СИЛЫ FET MOS КРЕМНИЯ
P-CHANNEL ВЫСОКОСКОРОСТНОЕ | Hitachi Semiconductor |
| 58976 | 2SJ113 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ СИЛЫ FET MOS КРЕМНИЯ
P-CHANNEL ВЫСОКОСКОРОСТНОЕ | Hitachi Semiconductor |
| 58977 | 2SJ115 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ СИЛЫ FET MOS КРЕМНИЯ
P-CHANNEL ВЫСОКОСКОРОСТНОЕ | Unknow |
| 58978 | 2SJ115 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ СИЛЫ FET MOS КРЕМНИЯ
P-CHANNEL ВЫСОКОСКОРОСТНОЕ | Unknow |
| 58979 | 2SJ116 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ СИЛЫ FET MOS КРЕМНИЯ
P-CHANNEL ВЫСОКОСКОРОСТНОЕ | Hitachi Semiconductor |
| 58980 | 2SJ116 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ СИЛЫ FET MOS КРЕМНИЯ
P-CHANNEL ВЫСОКОСКОРОСТНОЕ | Hitachi Semiconductor |
| 58981 | 2SJ117 | Fet Mos П-Kanala Кремния | Hitachi Semiconductor |
| 58982 | 2SJ118 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ СИЛЫ FET MOS КРЕМНИЯ
P-CHANNEL ВЫСОКОСКОРОСТНОЕ | Unknow |
| 58983 | 2SJ118 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ СИЛЫ FET MOS КРЕМНИЯ
P-CHANNEL ВЫСОКОСКОРОСТНОЕ | Unknow |
| 58984 | 2SJ119 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ СИЛЫ FET MOS КРЕМНИЯ
P-CHANNEL ВЫСОКОСКОРОСТНОЕ | Unknow |
| 58985 | 2SJ119 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ СИЛЫ FET MOS КРЕМНИЯ
P-CHANNEL ВЫСОКОСКОРОСТНОЕ | Unknow |
| 58986 | 2SJ125 | 150mW SMD J-FET (полевой транзистор), максимальная оценка: 50В Vgdo, -10mA Ig, от -1 до -12 мА Idss. | Isahaya Electronics Corporation |
| 58987 | 2SJ128 | Транзистор силы влияния электрического поля mos | NEC |
| 58988 | 2SJ128-Z | Транзистор силы влияния электрического поля mos | NEC |
| 58989 | 2SJ130 | Fet Mos П-Kanala Кремния | Hitachi Semiconductor |
| 58990 | 2SJ130(L) | Подача питания MOSFET | Hitachi Semiconductor |
| 58991 | 2SJ130(L)/(S) | Fet Mos П-Kanala Кремния | Hitachi Semiconductor |
| 58992 | 2SJ130(S) | Подача питания MOSFET | Hitachi Semiconductor |
| 58993 | 2SJ130L | Fet Mos П-Kanala Кремния | Hitachi Semiconductor |
| 58994 | 2SJ130L | Transistors>Switching/MOSFETs | Renesas |
| 58995 | 2SJ130S | Fet Mos П-Kanala Кремния | Hitachi Semiconductor |
| 58996 | 2SJ130S | Transistors>Switching/MOSFETs | Renesas |
| 58997 | 2SJ132 | Транзистор силы влияния электрического поля mos | NEC |
| 58998 | 2SJ132-Z | Транзистор силы влияния электрического поля mos | NEC |
| 58999 | 2SJ133 | Транзистор силы влияния электрического поля mos | NEC |
| 59000 | 2SJ133-Z | Транзистор силы влияния электрического поля mos | NEC |
| | | |
